寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关，体现着器件的“内在个性”。毫不意外，功率MOSFET的规格书中通常都会提供寄生电容参数。 
通过下图，可以从功率MOSFET结构角度理解寄生电容的来源。
（图来自Ref 1）
和元器件第042篇 功率MOSFET 寄生二极管和寄生三极管模型对比，可以发现上图的Cds，就是寄生三极管模型的Cdb，这是因为基底（base）本来就是和源极短路的。
Ref
1. Power MOSFET Electrical Characteristics. Toshiba. 2018
作者： 电子知识打边炉， 来源：面包板社区
链接： https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4061550.html
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