原创元器件第045篇功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt （二）

 2024-8-3 23:25  241 1 1 分类: 模拟文集: 元器件

在元器件第044篇中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径：Cgd和Cgs，它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电压（严格说来是电场传播），电容两端电压“不能突变”的说法只适合直流情况。电容串联后总容量变小，使得其谐振频率提高，在低于谐振频率的频段上，其等效阻抗小于串联的单体电容器，也就是说电容对AC能量的消耗变小了。

对于AC电压信号，串联电容电路是反应最快的分压器。栅-源电容 Cgs 两端电压等于 Vds x Cgd / ( Cgs + Cgd )。

Cgs 电压控制着漏-源之间的电阻。当电压低于 Vgs-th 的时候，功率MOSFET处于截止区，漏-源之间只有1mA以下的电流。一旦电压升高（Cgs 储存的能量变大了），超过了 Vgs-th，那么漏-源之间就开始导通，功率MOSFET将从截止区进入饱和区。换句话说，功率MOSFET被意外地开通。

意外开通经常是设计者不希望出现的，所以设计时应该考虑以下情况：

1. 关断过程中，漏-源电压变化太快（所有用法）

2. 寄生二极管反向恢复功率太大（感性负载开关用法）

这就是对 dV/dt 参数的第二种解释。

Ref

Dusan Grovac. Parasitic Turn-on of Power MOSFET-How to Avoid It? Infineon. 2008

作者：电子知识打边炉，来源：面包板社区

链接： https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4061550.html

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