如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压，并不断增大，超过其 Vds最大值，那么总有一个电压的极限值，使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程并不会让功率MOSFET因为 dV/dt 超过器件规格，但器件还是坏了，可见这是与 dV/dt失效不同的失效机理。
功率MOSFET的漏-源之间的电压，实际上加在p阱和外延层（epi）之间（参见 元器件第042篇）。当漏极电压升高，内电场增加，半导体材料将发生碰撞电离，发生雪崩效应。大量载流子会流过p阱（寄生三极管的基极），促使其离开截止区。正如 元器件第043篇 介绍的那样，功率MOSFET突然开通，因为电流热效应而失效。
Ref
dV/dt Ratings for Low Voltage and High Voltage Power MOSFET. AOS. 2009
作者： 电子知识打边炉， 来源：面包板社区
链接： https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4061550.html
版权声明：本文为博主原创，未经本人允许，禁止转载！
EE直播间
更多
-
第三代功率半导体器件测试解决方案 直播时间： 03月06日 10:00
关闭
站长推荐
/1 
/1
文章评论（0条评论）
登录后参与讨论