功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容，在功率MOSFET规格书中，Cgd 表示为 Crss，而 （Cgd + Cgs）表示为 Ciss。详见元器件第044篇。
Ciss可以“通交流”，即漏-源电压中的高频交流分量可以通过。电流在电容上产生电压，即电容的串联分压作用，使栅-源电容Cgs上的电压增加。当漏-源电压迅速变化时，Cgs上的电压会增加。如果这个电压超过了功率MOSFET的 Vgs-th，那么就会让功率MOSFET意外开通。
要降低 Cgs 上面的分压，需要关注 Ciss 和 Crss 的比值。详见原理设计第007篇。
那么，这个比值该怎么选？参考文献给出了经验值
1. 这个分压效应，对高压功率MOSFET（Vds > 500V）才需要关注。低压功率MOSFET普遍具有强的UIS能力，可以承受大的 dV/dt.
2. 对于高压功率MOSFET，推荐的 Ciss / Crss 为14以上，最低不要低于9。
Ref
Parasitic Turn-on of Power MOSFET-How to Avoid It? Infineon. 2008
作者： 电子知识打边炉， 来源：面包板社区
链接： https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4061550.html
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