时源芯微 专业EMC解决方案提供商 为EMC创造可能
(适用于高频时钟电路,提升EMC性能与信号稳定性)
一、设计目标
- 抑制电源噪声:阻断高频干扰(如DC-DC开关噪声)传入晶振电源。
- 降低时钟抖动:确保晶振输出信号纯净,减少相位噪声。
- 通过EMC测试:减少晶振谐波辐射(如30MHz~1GHz频段)。
二、滤波电路架构
典型拓扑:
电源输入 → 磁珠(FB) → 大电容(C1) + 高频电容(C2) → 晶振VDD
1. 磁珠(Ferrite Bead)选型
- 阻抗特性:在目标频段(如100MHz~1GHz)需高阻抗(如600Ω@100MHz)。
- 额定电流:≥晶振工作电流的2倍(通常10mA~50mA)。
- 推荐型号:
- 低频噪声:TSCA1608系列(600Ω@100MHz)。
- 高频噪声:TSEA2012系列(1kΩ@1GHz)。
2. 大容量电容(C1)选型
- 作用:滤除低频噪声(<10MHz),稳定电源电压。
- 容值:10μF~100μF(电解电容或钽电容)。
- 关键参数:低ESR(如钽电容ESR<0.1Ω)。
3. 高频电容(C2)选型
- 作用:滤除高频噪声(>10MHz),提供低阻抗回路。
- 容值:0.1μF~1μF(陶瓷电容,X7R/X5R材质)。
- 关键参数:低ESL(<1nH),推荐0402/0603封装。
三、PCB布局关键要点
- 磁珠紧邻电源入口:
- 电容布局优先级:
- 高频电容(C2)最靠近晶振VDD引脚 → 大电容(C1)次之 → 磁珠(FB)在电源路径最前端。
- 地平面完整性:
- 电容接地端通过多个过孔连接至完整地平面,减少接地阻抗。
- 晶振包地处理:
四、参数设计实例
场景:25MHz晶体,电源电压3.3V,存在200MHz开关电源噪声。
- 磁珠:TSCA2012E102- 1R0TF(1kΩ@100MHz,额定电流200mA)。
- 大电容:47μF钽电容(ESR=0.05Ω)。
- 高频电容:0.1μF陶瓷电容(X7R,0402封装,ESL=0.5nH)。
五、常见问题与对策
问题1:滤波后晶振启动失败
- 原因:磁珠DCR过大导致压降(如DCR=2Ω,电流50mA时压降0.1V)。
- 对策:选择DCR<0.5Ω的磁珠,或增加电源裕量。
问题2:高频噪声残留
- 原因:高频电容ESL过大或布局不佳。
- 对策:
- 使用多个并联小电容(如0.1μF+10nF+1nF)。
- 电容接地端直接打孔至地平面。
问题3:EMC辐射超标
- 原因:晶振谐波通过电源线耦合。
- 对策:
- 电源线串联磁珠后,并联pF级电容(如10pF)到地,滤除GHz级噪声。
- 在晶振输出端串联22Ω电阻,减缓信号边沿。
六、仿真与测试验证
- 仿真工具:
- 使用SIwave或ADS进行电源完整性(PI)仿真,优化电容组合。
- 实测方法:
- 频谱分析:用近场探头扫描晶振电源引脚,对比滤波前后噪声幅度。
- 相位噪声测试:评估晶振输出信号质量(如≤-150dBc/Hz@10kHz偏移)。
七、总结
设计口诀:
- 磁珠抑高频,电容分大小
- 布局要紧凑,接地须牢靠
- 噪声无处逃,时钟稳又准
作者: 时源芯微, 来源:面包板社区
链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4100897.html
版权声明:本文为博主原创,未经本人允许,禁止转载!
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论