原创 宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（一月）

为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出 《产业信息简报》，本刊聚焦 政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板块，为行业同仁打造一个全面、权威、高效的信息交流平台。每月更新，持续为行业赋能。若您有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

【投稿/合作请联系：lianmeng@iawbs.com】

目 录

政策资讯

1工信部：发布关于2025年未来产业创新任务揭榜挂帅工作通知，涉及金刚石、石墨烯

2山东：重点发展碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料

3南京江北新区：加快第三代半导体等未来产业发展

技术前沿

1国内首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功，并通过太空验证

2燕山大学田永君院士团队合成出世界最硬的金刚石块材

3世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运

4全球首套！金刚石量子器件新突破

企业合作

1芯联集成与广汽埃安成立联合实验室

2集创北方+国创中心，共推车规级芯片研发

3京东方华灿与晶通半导体发力氮化镓

新产品/新技术

1晶驰机电：8英寸碳化硅电阻式长晶炉通过客户验证

2日本电装：开发出GaN 三电平汽车电驱方案

3日本丰田合成株式会社：开发出8英寸GaN单晶晶圆

4镓仁半导体：成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶

项目建设/投融资信息

1苏州镓和半导体正式开业

2士兰8英寸SiC项目即将封顶，年产72万片

3六方科技：SiC/TaC涂层材料项目奠基

4力量钻石半导体项目正式建成投产

5重庆安意法半导体项目8英寸碳化硅项目预计2月底通线投片，总投资约300亿

6青禾晶元总部落户天津，将陆续建设键合设备二期扩产线、大产能复合衬底材料产线

71.15亿美元！安森美收购Qorvo旗下SiC JFET技术

8Coherent追加5.8亿元扩产，新增75万片产能

9英飞凌泰国功率模块组装新厂动工，2026年初投入运营

10印度年产60万片SiC晶圆项目签约，总投资1400亿卢比

11香港首座世界先进第三代半导体碳化硅八英寸晶圆厂签约，投资69亿港元

12芯干线科技第三代化合物半导体项目签约落地舟山

13瀚天天成：完成Pre-IPO轮融资，加码8英寸SiC外延片

14翠展微电子：完成数亿元B+轮融资

15纯水一号：完成千万级 Pre-A 轮融资

16瞻芯电子：完成C轮首批近十亿元融资

17百识电子：完成数亿元B轮融资

18聚芯半导体：完成超亿元融资

政策资讯

工信部：发布关于2025年未来产业创新任务揭榜挂帅工作通知，涉及金刚

1月17日，工业和信息化部办公厅发布关于组织开展2025年未来产业创新任务揭榜挂帅工作的通知。内容涵盖量子科技、原子级制造、清洁氢三大部分。其中原子级制造揭榜挂帅任务榜单中部分内容涉及原子级超光滑金刚石表面制造。

二、重点产品

（一）多场辅助化学机械原子级抛光装备

揭榜任务：面向半导体衬底原子尺度抛得光、纳米尺度抛得平、微米尺度抛得快的高质高效加工需求，研究电、光、声、等离子体等多场辅助化学机械原子级去除工艺，突破多场辅助协同调控、超低压力分区加压、测量反馈智能控制等关键技术，开发多场辅助化学机械抛光装备，实现原子级精度抛光，满足半导体衬底应用需求。

（二）高效团簇离子束原子级抛光装备的研发及在大径厚比金刚石光学窗口的加工应用

揭榜任务：面向高功率激光系统、中长波红外探测器等对原子级表面精度的金刚石窗口需求，突破气体原子团簇束流中和关键技术，建立原子级超光滑金刚石表面制造方法，研制超硬金刚石团簇离子束原子级抛光装备，实现大径厚比金刚石光学窗口的原子级制造，并应用验证。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/zj_h9QQTrFPRoZyAOJUxCw

山东：重点发展碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料

据山东省科学技术厅官网消息，山东省发布了《山东省新材料产业科技创新行动计划（2025—2027年）》（以下简称“《行动计划》”），提出实施标志性产业链战略材料攻坚行动，在新一代电子信息材料方面，研究大尺寸碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料制备技术和装备，突破碳化硅、氮化镓衬底超精密高效加工核心技术。攻克超宽禁带金刚石单晶、氮化铝生长及器件技术，突破大口径高质硅单晶、高端光刻胶制备技术，满足面向集成电路、芯片产业领域的自主可控技术需求。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/DiqENugoBnh9XSOp499OxQ

南京江北新区：加快第三代半导体等未来产业发展

近日，江苏印发《关于支持南京江北新区高质量建设的意见》（以下简称：《意见》），以贯彻落实国家关于促进国家级新区高质量建设的部署要求，支持南京江北新区（以下简称江北新区）充分发挥国家级新区、自贸试验区“双区叠加”优势，全面深化改革创新，加快高质量建设，服务全省高质量发展继续走在前列。

《意见》提出加强战略性新兴产业梯度培育，推动融合集群发展。深化集成电路芯机联动发展，加强EDA等关键技术攻关，优化先进及特色工艺产线集中布局，支持创新产品纳入省新产品新技术目录、首台（套）重大装备名单、首批次新材料名单；围绕第三代半导体、氢能、新型储能、细胞和基因技术、合成生物、前沿新材料等未来产业方向，加快突破高端光子芯片、器官芯片、脑机接口等前沿技术，谋划布局一批未来产业（技术）研究院，培育一批具有核心竞争力的应用场景和重点企业，在关键细分领域形成若干新增长点等内容。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/pCpPAnDq_PaVQHMf35Ay0g

技术前沿

国内首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功，并通过太空验证

中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。刘新宇表示，合作团队共同开展的碳化硅载荷，已于2024年11月搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了在中国空间站轨道的科学试验之旅。

本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、SiC功率器件综合辐射效应等科学研究，有望逐步提升航天数字电源功率，支撑未来单电源模块达到千瓦级。

通过一个多月的在轨加电试验，SiC载荷测试数据正常，高压400V SiC功率器件在轨试验与应用验证完成，在电源系统中静态、动态参数符合预期。本次搭载第一阶段任务完成，实现了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，SiC功率器件将成为大幅提升空间电源效率的优选方案，牵引空间电源系统的升级换代。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/DlUxZhkKNc4JDDwskDz0wA

燕山大学田永君院士团队合成出世界最硬的金刚石块材

近日，实验室高压科学中心田永君院士团队联合南京理工大学、宁波大学的研究人员在超硬材料领域实现重大突破：成功合成出硬度达276GPa的超细纳米孪晶金刚石块材，刷新了材料硬度的世界纪录。相关研究以“Enhancing the hardness of diamond through twin refinement and interlocked twins”为题，于2025年1月3日在Nature Synthesis在线发表。

田永君院士团队开创了孪晶细化的新途径制备高硬度金刚石块材，与传统晶界相比，孪晶界具有更低的界面能量，为材料的超细化提供了新的可能。团队前期研究已经证实这一方法的可行性——他们成功合成了平均孪晶厚度仅5纳米的金刚石块材，其硬度达到200GPa，是天然金刚石的两倍。

在最新研究中，研究团队通过精确控制洋葱碳前驱体尺寸并进行高压相变，成功合成出具有突破性性能的超细纳米孪晶金刚石块材：平均晶粒尺寸18纳米，平均孪晶厚度仅2.3纳米，硬度高达276GPa。这一突破不仅刷新了硬度纪录，更为突破共价材料硬度极限开辟了新思路。通过孪晶组织的细化和类型调控，研究团队开创了提升材料性能的新途径，这对超硬材料的未来研发具有重要指导意义。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/bx3ChJ6C458SNoz72GAN8w

世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运

近日，三峡集团云南弥勒风电场柔性直流工程成功投入运行，该工程由三峡集团投资建设，联合清华大学、南网科研院、西电电力系统、许继电气、南瑞继保等共同实施，属于国家发改委“揭榜挂帅”重点科技攻关项目。该工程是世界首个采用IGCT器件的新能源柔性直流工程、世界首个采用6.5kV功率半导体器件的柔性直流工程，是继珠海直流配电、东莞中压互联、乌兰察布源网荷储等工程后IGCT柔直技术的又一重要突破，将有力推动IGCT柔直技术在沙戈荒、海上风电、城市电网等场景中规模化工程应用。

云南弥勒工程地处弥勒市虹溪镇石万村，海拔高达2500米，IGCT换流阀组件完全对标海上风电柔性高压直流输电工程，采用288只全国产化6.5kV/4kA（通流2kA） IGCT-Plus器件，是对IGCT器件及其换流阀技术的全面工程检验。工程调试阶段，严格对标海上风电工程进行检验，通过100余项稳态、暂态、保护功能试验项目，该工程表现出超出现有技术的可靠性，于2024年12月24日通过连续168小时试运行后转入正式运行阶段。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/RsfvLlWm-TgCuR_8JJs14Q

全球首套！金刚石量子器件新突破

近日，由南方电网公司输配电部牵头，南网数研院、南网传感公司、中国科学院上海微系统所、超高压输电公司、贵州电网公司、西电高压开关、中国科学技术大学、浙江大学等单位联合研制的全球首套±800kV特高压直流量子电流传感器（以下简称“量子电流传感器”）顺利通过新产品技术鉴定，该量子电流传感器解决了传感器在电网强磁高压环境下的非侵入电流测量技术难题，首次实现了1mA至10kA范围内万分之六的宽量程、高精度电流测量。

依托国家重大项目，南方电网数字电网研究院股份有限公司、中国科学技术大学等单位联合开展了量子测量原创技术攻关。研究团队利用金刚石内部独特的量子特性，通过检测电流产生的磁场来实现非接触电流测量。由于量子的加持，可实现其他传感器所不具备的超大范围、超高精度和高稳定的电流测量。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/7f1B7oDrMX1aDfTrhLpT7Q

企业合作

芯联集成与广汽埃安成立联合实验室

1月3日，据芯联集成官微消息，芯联集成与广汽埃安于1月2日共同签署联合实验室战略合作协议并举行揭牌仪式。

按照协议，双方共建的联合实验室将围绕汽车半导体开展从工艺设计、生产制造，到终端应用的研究与产品开发，共同解决车规级功率半导体的设计、制造及应用难题，强化汽车半导体的供应链建设，快速推进产品迭代与创新，从而提升双方在新能源汽车领域的市场竞争力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/iaBanNoEQyu1Et_QXjB8LQ

集创北方+国创中心，共推车规级芯片研发

1月9日，北京集创北方科技股份有限公司（集创北方）与国家新能源汽车技术创新中心（国创中心）在北京签订了战略合作协议。据协议，双方将利用各自优势，整合行业资源，在车规级芯片设计研发、汽车电子、行业标准、产业推广、生态建设等领域进行深度合作。此外，双方还计划成立联合工作组，并探讨共建车规芯片联合实验室，以推动相关产业的快速发展。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/psbsTt5PW9KEZ7ULStr1mQ

京东方华灿与晶通半导体发力氮化镓

2025年1月8日于珠海金湾工厂京东方华灿与晶通半导体签署了合作备忘录，共同致力于宽禁带半导体之氮化镓（GaN）功率器件的研发与量产，以创新驱动行业发展，满足市场日益增长需求。

京东方华灿专注于氮化物半导体领域，其氮化物专利布局位居全球前列，具备优异的运营管理能力，一直致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务。晶通半导体在GaN技术领域深耕多年，拥有GaN HEMT、GaN SBD、Smart-GaN®、Smart-Driver® IC的设计能力，以及基于AI机器学习的动态测试技术平台。通过此次合作，双方将整合各自资源，共同打造高性能、高可靠性的GaN功率器件，以满足消费类、AI数据中心、车用、光伏及储能等新兴市场的多元化需求。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/9u27bzPdsideXpKNA1r9fQ

新产品/新技术

晶驰机电：8英寸碳化硅电阻式长晶炉通过客户验证

近日，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉顺利通过客户验证，设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。

图 8英寸碳化硅电阻式长晶炉

此次推出的8英寸碳化硅电阻式长晶炉，是晶驰机电针对当前市场需求精心打造的先进半导体材料制备新装备。该设备采用独特的结构设计，结合最先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化。通过创新的热场设计，实现均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度。热场稳定性高，使用寿命长，大幅提升了晶体的质量和良品率。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/0NnuQs_4L1wLgS9q8QIoXw

日本电装：开发出GaN 三电平汽车电驱方案

1月15日，据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机。

图 ：电装横向 GaN HEMT 电驱逆变器（左）、单相降压 DC-DC 转换器运行时的开关波形（右）

名古屋大学与日本电装的这项成就将响应时代需求，扩大 GaN 器件的应用，并为车载电力电子技术的进一步复杂化和多样化做出贡献。

电动汽车用 800V 三相三电平逆变器使用开发的 GaN 器件，采用二极管中性点钳 （NPC） 型。功率半导体采用水平 GaN HEMT，额定电压为 650V，额定电流为 60A。该电路由四个并联排列的 GaN HEMT 组成，形成一个单相电路，三相电路设计为输出功率相当于 40 kW。

据悉，该团队去掉了单相部分，在实际工作中施加了 800V 直流输入的两串联平滑电容器的一侧直接施加了 400 V 的电压，通过操作 DC-DC 转换器转换器，确认了它在 13 kW 的输出功率下表现出正常的开关特性。如果转换为 800V DC的三相交流输出，则可以以相当于 40 kW 的功率驱动电机。

此外，电磁场模拟用于验证三电平和两电平电机驱动期间的损耗，并评估这三个电平的应用效果。当电路配置相同的 GaN HEMT 时，与常用领域 600 V DC、20 kHz 载波频率和 3000 rpm 的驱动条件进行比较，已证实电机的铁损可以减少 18.3%。高速低扭矩区域和低速高扭矩区域之间的电流值差异很大，电机中的铁损会波动。将来，将根据此分析结果建立最佳控制方法。

三电平逆变器的 40kHz 分量的铁损已大大降低。因此，即使开关频率相同，总谐波失真 （THD） 几乎相同，与两电平逆变器相比，电机总铁损也可以降低 18.3%。

该团队使用四个并联耐压为 650 V 的 GaN 垂直 MOSFET 制作了输出功率为 10 kW 的三相 GaN 逆变器的原型，并通过在电机台架上演示实际机器来确认其运行情况。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/DK5XoSf_JGHbIwI7udqqnw

日本丰田合成株式会社：开发出8英寸GaN单晶晶圆

1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。

据介绍，该200mm GaN衬底可用于生长 600V 垂直 GaN 晶体管，常闭操作，栅极电压阈值超过 2 V，导通状态下最大漏极电流为 3.3 A。此外，它还表现出超过 600 V 的击穿电压和关断状态操作期间的低漏电流。

信息来源：

https://www.toyoda-gosei.com/news/details.php?id=415

镓仁半导体：成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶

2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级，采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出4英寸氧化镓单晶，这是国内首次实现该项技术突破。该型VB法氧化镓长晶设备及工艺包全面开放销售。

图1镓仁半导体VB法4英寸氧化镓单晶底面

图2 镓仁半导体VB法4英寸氧化镓单晶顶面

值得一提的是，本次镓仁半导体采用了细籽晶诱导+锥面放肩技术来生长4英寸氧化镓单晶，相较于无籽晶自发成核和等径籽晶技术，更容易确保晶体质量。其中，籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向，可加工4英寸(010)面衬底。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/MeDjwrqpeYxhdNYe6L6cHw

项目建设/投融资信息

苏州镓和半导体正式开业

1月15日苏州纳米城企业苏州镓和半导体有限公司正式开业助力园区先进半导体材料领域强链补链为园区纳米技术应用及新材料产业高质量发展提供更强支撑。

苏州镓和半导体有限公司，是专业从事氧化镓材料、相关器件研发及其应用的高科技企业，研发生产单晶衬底和外延晶片、单晶及外延设备、高灵敏日盲紫外探测器件、高压高温高频率大功率电力电子器件等高质量氧化镓系列高科技产品。

团队由唐为华教授领衔，结合其在北京邮电大学及南京邮电大学氧化镓领域十多年的研究成果，成功开发出了完整的氧化镓晶体生长及外延生长的工艺流程，打破了日本在氧化镓材料领域的封锁及垄断。公司拥有氧化镓单晶衬底、外延、器件以及专用装备等方面的核心技术，在第四代半导体领域具有独创性、引领性和影响力，属国内第四代半导体产业的引领企业。

目前该项目已经完成首轮融资6500万元，得到了包括凯石资本及海通证券在内的业内重要投资机构的投资，并且与多家行业下游知名企业开展业务洽谈。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/dHu9Ap6FhWWLlY8I0n8Weg

士兰8英寸SiC项目即将封顶，年产72万片

1月22日，据“厦门日报”消息，士兰微子公司士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目完成了钢桁架梁吊装，预计2025年一季度封顶。在接下来的半个月时间里，主厂房的其余22榀钢桁架梁将一一就位。与此同时，主厂房支持区、动力站、废水站、甲乙丙类仓库、测试楼、食堂等配套设施也将继续加速推进，预计整体项目将于今年一季度封顶，四季度初步通线，2026年一季度进行试生产。据悉，该项目今年春节建设不停工，1000多名工人将全力保障项目建设进度。

据报道，2024年5月，士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府等多方签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》及《投资合作协议》，宣布合资在厦门市海沧区建立一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，总投资规模约120亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/hZqigbDrWJbwvmi5RXF9Pg

六方科技：SiC/TaC涂层材料项目奠基

1月18日，六方科技在浙江省绍兴市诸暨市举行了其集成电路先进制程精密零部件新材料项目的奠基仪式。这标志着公司在半导体新材料领域迈出了重要一步，也为未来在碳化硅（SiC）和碳化钽（TaC）涂层材料领域的持续创新和发展奠定了坚实基础。

六方科技将投资8000万元用于此次SiC/TaC涂层材料项目的建设。原定于5D智造谷厂区和中节能园区的部分建设内容，将整体搬迁至三马厂区，并租用新亭路6号8#厂房进行扩建。项目建成后，三马厂区将具备年产3000套SiC涂层石墨托盘的生产能力，而西子厂区的年产能力将达到3900套SiC涂层石墨托盘，以及14000套TaC涂层石墨托盘。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/afBnQE-qYqWzkbpN0fT47Q

力量钻石半导体项目正式建成投产

2025年1月15日，力量钻石半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目，历经一年多筹备和建设，正式建成投产。

力量钻石半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目与中国台湾捷斯奥企业强强联合，瞄准行业前沿科技和国家重大需求，开展先进金刚石功能材料关键技术攻关，全面提升公司在金刚石功能材料的创新能力和科技水平。该项目建设高标准金刚石半导体研发中心，购置安装国际先进设备，用于研发制造大尺寸半导体高功率金刚石散热片。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/_burlew84REcG7kldKaqvg

重庆安意法半导体项目8英寸碳化硅项目预计2月底通线投片，总投资约300亿

安意法半导体副总经理李志勇介绍，整个建设过程历时14个月，已经达到了点亮的条件，应该是创造了一个奇迹，以目前的推进速度，2025年2月底可以实现通线投片生产，有望在三季度末开始批量进行生产。

据悉，三安意法半导体项目总投资约300亿元，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，致力于建设技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/tYTZrh74xFJpjcHx84QU1w

青禾晶元总部落户天津，将陆续建设键合设备二期扩产线、大产能复合衬底材料产线

1月8日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司官宣迁址天津滨海高新区，更名为青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司，作为青禾晶元全国总部和上市主体，并于近期完成最新一轮融资，融资规模超过4.5亿元。

青禾晶元表示，天津作为中国北方重要的经济中心和首批沿海开放城市，拥有完善的产业链和丰富创新资源。在天津市、滨海高新区以及海河基金支持下，青禾晶元将陆续建设键合设备二期扩产线、大产能复合衬底材料产线，总面积超30000平方米，以更快速、更高效地为客户提供异质集成产品和服务，进一步提升市场竞争力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/V89rfK3oKzZr_bqUPwCk1g

1.15亿美元！安森美收购Qorvo旗下SiC JFET技术

1月16日，安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。

SiC JFET技术的加入将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。在电动汽车应用中，用基于SiC JFET的固态断路器替代多个组件，有助于提高能效和安全性。在工业终端市场，SiC JFET将支持某些储能拓扑和固态断路器应用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/TLW2-eEPXywgIBlmO4P6wg

Coherent追加5.8亿元扩产，新增75万片产能

1月17日，据外媒报道，美国商务部宣布根据《芯片和科学法案》新签署四份补助合同，其中包括向Coherent（原贰陆）提供7900万美元（约5.79亿人民币）的直接拨款资助——

据介绍，美国商务部拟议的资金补助将支持Coherent在宾夕法尼亚州伊斯顿的现有制造工厂的扩建，以提高6英寸和8英寸SiC衬底的产能；此外，该资金还将支持Coherent扩大该工厂的SiC外延片制造能力、生产线后端处理、电子性能和可靠性测试能力。扩建完成后，Coherent的SiC衬底产能将每年增加超过75万片，并使外延片的年产量增加一倍以上。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/HMCKq2EsaCweIpWnuT9pBw

英飞凌泰国功率模块组装新厂动工，2026年初投入运营

英飞凌已在泰国曼谷南部的北榄府开始建设一座新的高度自动化后端组装厂，用于生产功率模块，首座建筑计划于2026年初投入运营。该项目得到了泰国投资委员会（BOI）的支持。这座高度自动化的工厂将在英飞凌多样化制造布局中发挥关键作用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/K2HVUDSB2_Ap7ZMTPYT8XQ

印度年产60万片SiC晶圆项目签约，总投资1400亿卢比

一月，印度Indichip Semiconductors Limited与日本Yitoa Micro Technology Limited (YMTL) 携手合作，与安得拉邦政府签署了一份谅解备忘录 (MoU)，将在库尔努尔区 Orvakal 工业园区建立该国首家私营半导体制造工厂，投资额超过 14,00 亿卢比(约118.7亿人民币)。新工厂初期将具备每月生产1万片SiC晶圆的能力，并计划在未来两至三年内增至每月5万片SiC晶圆。这一战略性的举措是印度“Atma Nirbhar Bharat”计划的关键部分，旨在满足全球对节能产品（包括电动汽车和可再生能源方案）日益增长的需求。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/onOYInYpiYS1PaQftgU0LQ

香港首座世界先进第三代半导体碳化硅八英寸晶圆厂签约，投资69亿港元

1月10日，杰立方半导体（香港）有限公司（以下简称“杰立方”）在大湾区（深圳）工商界高峰论坛及交流会2025上，与香港工业总会（FHKI）正式签署了合作备忘录（MOU）。

作为杰平方半导体（上海）有限公司的全资子公司，杰立方自2023年10月成立以来，始终致力于成为国际一流的车规芯片厂商（“IDM”）。该公司位于香港科学园的全球研发中心已于2024年6月正式启用。杰立方晶圆厂项目预计总投资约69亿港元，计划于2026年正式投产。达产后年产24万片晶圆，将能满足150万辆新能源车的生产需求，预计年产值将超过110亿港元，同时为社会创造超过500个就业岗位。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/vSBo_3NfGKmsBYrIpQAjyA

芯干线科技第三代化合物半导体项目签约落地舟山

1月11日下午，南京芯干线科技有限公司与普陀区智创城西开发建设有限公司、杭州九智投资管理有限公司完成第三代化合物半导体项目签约，项目计划总投资5亿元，其中一期总投资约1亿元，一期全部投产后预计可实现年产值约5亿元。

“芯干线科技”成立于2020年10月，是一家深耕第三代半导体氮化镓、碳化硅、智能功率模块等功率器件研发设计与销售的宽禁带功率器件企业，系国家高新技术企业。产品广泛应用于汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、储能、消费电子、AI服务器等领域。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/FYo4pBKO5bQZC4nBzAdO3A

多家企业融资信息:

瀚天天成：完成Pre-IPO轮融资，加码8英寸SiC外延片

12月31日，厦门产投联合两只工银AIC基金共同助力我市碳化硅外延片链主企业--瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（简称“瀚天天成”）增资扩产，顺利完成瀚天天成本轮pre-IPO融资。得益于本轮的高效融资，瀚天天成将加快在厦投资建设8英寸碳化硅外延片生产线，把握碳化硅行业发展机遇，更好地满足国内外客户日益增长的需求。

翠展微电子：完成数亿元B+轮融资

1月8日，翠展微电子在官微宣布，他们已完成数亿元B+轮融资，由国科长三角资本领投，同鑫资本和银茂控股等跟投，未来将加速IGBT&SiC模块产能扩张与市场布局。本轮融资资金将主要用于新产线建设、新设备购置以及新产品研发，以全面提升翠展微在IGBT模块领域的生产能力和技术创新水平。翠展微目标在2025年具备交付超过300万套IGBT模块的能力，以持续提高在新能源汽车供应链中的影响力，并将持续开拓工控、光伏、储能等领域的市场，不断丰富产品线。

值得关注的是，截止到2024年12月，翠展微电子的车规级IGBT及SiC模块已经量产超过6家主机厂及10余家Tier1客户，与此同时，他们已按期迁入三期园区，具备了实现年产300万套功率器件模块的生产能力。

纯水一号：完成千万级 Pre-A 轮融资

据猎云网报道，纯水一号已获得千万级 Pre-A 轮投资，由同创伟业领投。纯水一号成立于2002年，专注于提供水处理系统解决方案，可为晶圆、芯片制造、第三代半导体及其产业链产品、光伏太阳能、光电显示、电子化学品、新能源新材料等行业提供电子级超纯水及回用水系统。目前在碳化硅领域，纯水一号已经与比亚迪、粤海金、天科合达、青禾晶元、中科汇珠、基本半导体等企业达成合作。

瞻芯电子：完成C轮首批近十亿元融资

一月，上海瞻芯电子科技股份有限公司完成了C轮融资首批近十亿元资金交割。自2017年成立至今，瞻芯电子已累计完成了逾二十亿元股权融资，持续获得资本市场青睐。此次C轮融资，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。

瞻芯电子本轮首批融资款将主要用于产品和工艺研发、碳化硅(SiC)晶圆厂扩产及公司运营等开支，以持续提升产品的市场竞争力，增强晶圆厂的保供能力，满足快速增长的市场需求。

百识电子：完成数亿元B轮融资

1月2日，南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）官宣完成了完成B轮数亿元融资。百识电子成立于2019年8月，由多名拥有数十年第三代半导体外延经验的资深专家联合创办，核心团队具备外延工艺开发、良率保障、设备改良等全栈能力。百识电子8英寸碳化硅外延片已获得海外知名客户认证，致力于打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。截至2024年12月，该公司已累积37项专利，目前百识电子已在全部产品技术指标上达到世界领先水平。

聚芯半导体：完成超亿元融资

1月6日，据星格资本透露，广东聚芯半导体材料有限公司已完成超亿元 Pre-A 轮融资，由华金资本领投，深担创投、珩创投资、深圳高新投、虹石资本、半山创投、云创资本、国投证券、北京翰龙知行等多家知名创投基金跟投。据悉，聚芯半导体是一家面向第三代半导体以及先进制程的纳米级氧化铈颗粒及铈基CMP抛光液自主研发、生产、销售、服务为一体的新材料公司，是全球第二家、国内第一家掌握纳米二氧化铈 CMP 研磨颗粒研发与产业化关键技术的领军企业。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/_XM0ROIRcVj0Iy-rutv6mg, https://mp.weixin.qq.com/s/Rh9NnTVXM9F0zQJLL1OsKg, https://mp.weixin.qq.com/s/nSJe-U01HaxUOctfeGkVOw, https://mp.weixin.qq.com/s/nbU88GVSsPFPFJdegqMmow综合整理

以上就是本期《产业信息简报（一月）》的全部内容，再次感谢您的关注与支持！未来，我们将持续深耕宽禁带半导体领域，不断探索与创新，力求为您提供最前沿、最全面的宽禁带半导体产业信息。如果您有任何建议或需要进一步的信息支持，欢迎随时与我们联系。期待与您共同见证宽禁带半导体产业的蓬勃发展！

【投稿/合作请联系：lianmeng@iawbs.com】