原创 涉及碳化硅专利，格力电器、芯联集成新动态

近日，格力电器、芯联集成两家公司分别获得一项实用新型专利授权。

格力电器专利名为“碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202010940924.5，授权日为2025年2月7日。

source：国家知识产权局

专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。

该碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。

芯联集成专利名为“半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件”，专利申请号为CN202421074447.9，授权日为2025年2月7日。

source：国家知识产权局

芯联集成专利摘要显示，本实用新型提供了一种半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件。该半导体器件包括衬底；位于衬底上的多个第一栅极介质层和多个第一栅极导电层，用于构成多个晶体管器件，第一栅极导电层沿着第一方向延伸，多个第一栅极导电层沿着第二方向依次排布，并使多个第一栅极导电层的端部相互电连接，其中部分相邻的第一栅极导电层的端部相互连接而定义出整流区；位于衬底上的第二栅极介质层和第二栅极导电层，用于构成超势垒整流器，第二栅极介质层和第二栅极导电层依次堆叠在整流区内，第二栅极介质层的厚度小于第一栅极介质层的厚度，第二栅极导电层的长度小于第一栅极导电层的长度。本实用新型有利于缩减电路规模，降低芯片制造成本。

来源： 集邦化合物半导体

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