原创 宽禁带科技论|西安电子科大/复旦大学/剑桥大学 :基于β-Ga₂O₃的高稳定性电子器件

2025-2-17 10:18 132 0 分类: 电源/新能源

宽禁带科技论

Theory of  Wide Bandgap Semiconductor

"宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文,为读者提供行业内前沿科技信息。

西安电子科技大学韩根全教授联合复旦大学杨迎国、陈更生,剑桥大学Linfeng Pan等人发表了题为“  Highly Stable Electronics Based on

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