近段时间，碳化硅技术领域迎来了一系列重大进展，包括华润微电子、Wolfspeed、三菱电机在内的众多企业纷纷发布最新的技术平台和产品，推动了新能源汽车、工业控制等领域的技术革新。
华润微电子发布多款功率模块新品
华润微电子于近期在重庆举办了功率模块新品发布会，推出了基于高压超结MOS、IGBT、SiC的多种PIM模块、车规主驱模块及IPM模块等系列新品。这些新品主要应用于新能源汽车的车载充电机（OBC）、主驱逆变器、高压直流转换器（DC-DC）等关键部件，以及新能源发电、工业控制、白电等领域。
据悉，华润微电子的SiC模块产品包括DCM系列半桥功率模块、MSOP系列半桥功率模块、HPD系列全桥功率模块，具有高功率密度、低开关损耗、小型化设计、高散热性等特点，能够显著提升新能源汽车的系统效率和续航里程。据华润微电子有关负责人介绍，截至目前，华润微电子已有56款车规级功率芯片实现量产，正式进入重庆某主机厂的供应链名单。以半桥功率模块为代表的产品，已向国内多家头部新能源车企批量供货。Wolfspeed推出全新的第4代MOSFET技术平台
2月12日，Wolfspeed发布了全新的第4代MOSFET技术平台。
据悉，Wolfspeed第4代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计，并为Wolfspeed的各类产品（包括功率模块、分立元件和裸芯片产品）制定了长远的发展规划路线图。这些产品目前有750V、1200V和2300V等级可供选择。
source:Wolfspeed
Wolfspeed的第4代技术还通过采用更小、更经济实惠的无源和滤波元件，降低了系统成本并缩短了开发时间。该技术能够实现在相同封装尺寸内将功率输出提升多达30%，并简化了EMI认证流程。其主要优势包括可整体提高系统效率。在工作温度下，导通电阻降低高达 21%，开关损耗降低高达15%。确保可靠的性能，包括高达2.3 μS的短路耐受时间，以提供额外的安全余量，并拥有更低的系统成本。
英飞凌新增汽车领域SiC合作
近期，据外媒消息，国际汽车供应商 Forvia Hella 已选择英飞凌1200V 汽车级SiC MOSFET作为其下一代 800V DC/DC 充电解决方案。
据了解，英飞凌的CoolSiC MOSFET采用Q-DPAK封装，专为800 V汽车架构中的车载充电器和 DCDC 应用而设计，该封装的爬电距离为4.8 mm，无需额外的绝缘涂层即可实现超过900 V的工作电压，基于Gen1p 技术，0V关断可实现单极栅极控制，从而通过减少PCB中的元件数量来简化设计。
三菱电机推进SiC功率模块技术开发
三菱电机于近期宣布，他们已经加入欧盟的“FLAGCHIP”项目，该项目由来自欧洲9个国家的11个合作伙伴（包括企业和学术机构）组成，旨在开发创新的功率半导体模块及其状态监测技术，并研究利用可再生能源（如风能和太阳能）的发电系统在初始投资和维护方面的成本效率。三菱电机将负责开发和验证功率半导体模块内部半导体芯片（SiC-MOSFET）的温度估计技术。该技术利用半导体芯片表面的内建门极电阻的电阻值随温度变化的特性，通过测量门极电流产生的电压值来计算电阻值，从而准确估计半导体芯片的温度。此外，三菱电机计划从2026年10月开始验证模块原型，这些原型将用于将直流（DC）电压转换为风力发电系统的特定直流电压。
南方电网、Fraunhofer iSE加速电网设施SiC研发应用
最近，中国南方电网有限责任公司申请了一项名为“基于高速光耦的SiC-MOSFET有源串扰抑制电路”的专利。该技术旨在通过各个模块之间的协同工作，确保从电源供应到信号传输和控制的全过程得到优化，抑制栅极串扰振荡，提高了系统的性能和可靠性。此外，Fraunhofer iSE公布了其用于快速充电站的中压系统技术，该技术采用高效的碳化硅半导体和更高的电压，可减少快速充电站的材料使用量和成本。
来源：集邦化合物半导体
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