原创 2013年硬件类笔试题（三）

一、星网锐捷 硬件笔试

1、在双向总线设计时，当总线没有输出的时候，应该将总线赋值为（）

A逻辑0   B逻辑1   C高阻    D不定态

2、如果一个多接口设计电平需要支持LVCMOS33、LVCMOS25和PCI33_3的电平标准，那么在CPLD造型的时候，应该选择芯片的BANK数应该大于等于（）

A2   B1    C3   D4

3、CPLD的复位信号低电平有效，那么复位信号在约束处理合理的是（）

A端接上拉约束  B端接下拉约束  C端接总线保持约束，外部下拉    D端接悬浮约束，外部下拉

4、能够实现“线与”功能的门电路是（）

A与非门  B或非门   C三态输出门   D集电极开路门

5、

6、

7、组合逻辑电路消除竞争冒险的方法有（）

A前级加电阻  B在输出端接入滤波电容  C后级加缓冲电路  D屏蔽输入信号的尖峰干扰

8、

9、

10、设计一个四位二进制码的奇偶位发生器（假定采用偶检验码），需要几个异或门（）

A 2   B3    C4   D5

11、在计算机存储体系中，缓存的作用是（）

A弥补主存的存取速度不足  B缩短主存的读写周期  C减少CPU访问存储次数  D弥补主存容量不足的缺陷

 12、计算机系统中的虚拟存储器的地址应是（）

A逻辑地址  B物理地址  C间接访问地址  D直接访问地址

13、计算机系统中的外围设备的编址方式有（）

A统一编址和独立编址  B直接编址和间接编址  C程序编址和硬件编址 D可骗址和不可编址

14、

15、所谓中断查询，查询的是（）

A中断请求信号  B中断标志位  C外中断触发方式控制位  D中断允许控制位

16、负反馈放大电路中，为保证电路不产生自激，需引入补偿技术，为保证经补偿后的放大电路不的带宽不降低，需引入（）

A简单电容补偿  B密勒电容补偿  C超前相位补偿 D滞后相位补偿

17、

18、在下图所示的N沟道增强型MOS管的驱动过程中，当MOS管G级与S级之间的电压VGS进入密勒平台前是驱动电压给等效电容（）充电的过程，电压VGS进入密勒平台后是驱动电压给等效（）充电的过程。