申明:本贴转自杜金树的空间,在此向博主表示,感谢,其精妙的话语,一语道破,故将此分享,让苦恼于此的网友们,少走些弯路。
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(转)对SDRAM中“突发(Burst)”的理解
在模式寄存器中需要设置SDRAM的突发长度、突发类型以及其它的一些设置。我们这里这种讲解“突发长度”、“突发类型”。有这样的一张表格:
我现在有三个疑问:
(1)突发的概念。
(2)1、2、4、8、全页代表什么。
(3)全页、保留有什么区别,即A3的作用。
那么,我们现在就开始探索一下这三个问题:
1. 突发的概念
首先,从《高手进阶,终极内存技术指南——完整/进阶版》上找“突发”的概念,Burst与其翻译成突发不如翻译成连续。
所谓的“突发”是指当我们对一个地址进行寻址并操作完成后,不必再重新对下一个地址进行寻址,而是直接进行操作。这样就节省了很多的时间。具体的情况也很简单就是节省了延时的那段时间。
读:初始化→发行地址→RCD→发列地址→CL→数据
写:初始化→发行地址→RCD→发列地址→数据
即RCD,《高手进阶,终极内存技术指南——完整/进阶版》上说还有CL,不知对吗,我认为CL不可节省,之后的数据用一个周期就可以获得。
这里的突发长度(即BL)为4。我相信突发已经将清楚了,其他的后面再谈。
2. 1、2、4、8、全页代表什么?
答:突发长度(BL)的值,即连续读几个列地址。
所谓的对页(Page)操作是指对P-Bank中的每一个芯片的同一个L-Bank、同一个行地址,进行操作。Ok,这个问题也解释清楚了。
3.全页、保留有什么区别,即A3的作用。
上面的那张表表达并不完善,下面的这张表表述的更清晰一些
有了这张表,我们就可以很清晰的理解了A3的作用了,所谓的A3是控制突发类型的,A3=0是顺序、A3=1是交替。一般我们将A3设为0。
附录:
SDRAM框架
我们不难发现,突发模式,在资源利用上,十分合理,对于高速信号处理,更为重要。
用户1790792 2015-4-27 21:46