原创 逆袭！中国充电桩核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断

一、我国充电桩核心芯片成功量产

一块手机SIM卡大小的芯片，却能承载超过700伏的电压，导通电阻仅有30欧，实现高效低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET（金属氧化物半导体型场效应管）。近日，记者从苏州东微半导体公司了解到，新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产，打破国外厂商垄断。

直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中，MOSFET是开关电源模块中最核心的部分，是实现电能高效率转换，确保充电桩稳定不过热的关键器件。MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中，需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去，这一领域被国外厂商垄断，国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET，不仅价格高昂，还经常缺货。

东微半导体经过两年的研发，原创了全套专利技术，目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产，在国内充电桩企业批量应用。同时，该产品还出口到韩国、日本和德国市场。同时，还广泛应用在手机充电器、LED照明，显示器、工业照明等电源转换领域。

二、传英特尔将重组业务，裁员数千人

美国OregonLive网站援引消息人士的说法称，英特尔计划从今年春季开始进行大规模裁员。这一裁员计划并未在英特尔公司内部正式宣布，也没有公开披露。英特尔尚未对这一消息置评。

英特尔正面临着PC市场的持续滑坡，这一市场对英特尔营收的贡献达到60%。近几年，个人用户和企业正在转向移动设备，而老款PC的升级速度开始放慢。在开拓除PC以外新市场的过程中，英特尔将对管理层和员工队伍结构进行调整。

英特尔新的裁员是公司重组的一部分，而英特尔的高管团队也在发生变动。英特尔前总裁蕾妮·詹姆斯(Renee James)于去年离职，接替她的是高通前高管文卡塔·伦杜琴塔拉(Venkata Renduchintala)。英特尔上周宣布，两名报告给伦杜琴塔拉的副总裁将离职。

消息人士表示，其他高管的角色也将发生改变。上周，伦杜琴塔拉向管理层发邮件，提出了开发关键产品、解决英特尔技术中“竞争性差距”的新计划。

三、武汉新芯发表240亿美元投资计划

大陆国营企业武汉新芯(XMC)最近发表约240亿美元的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。依韩国业界看法，武汉新芯与三星电子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技术差距，但将是大陆市场上的潜在最大对手。

NAND Flash领域霸主三星市占率在31~35%左右，并拥有独家3D NAND Flash堆叠技术。即便如此，全球业者对于3D NAND Flash领域龙头三星的追逐战仍在热烈上演。据EE Times的报导，三星与东芝(Toshiba)之间尚有1年的技术差距，由于东芝3D NAND Flash目前仍处于样品水准，而三星已进入量产阶段。依日本分析师研判，样品与量产之间的技术差距大约为1年。

市调机构IHS评论武汉新芯的挑战，对三星将是一大难题。由于大陆存储器市场有55%的需求源自本国市场，因此政府为了达成半导体自产自销的目标，扶植存储器产业的意志很强烈。对三星而言，现在大陆市场上最大的潜在对手就是武汉新芯。

一、AMD第七代芯片进军NB市场

超微(AMD)第七代芯片Bristol Ridge即将问世，可望提高笔记型电脑(NB)的电池续航力和性能，运算速度也比2015年Carrizo大约快了18%，于是外界开始揣测搭载新一代超微NB的性能。据Computerworld报导，AMD新一代Bristol Ridge芯片已获得惠普(HP)最新NB Envy x360采用，这款15.6吋2-in-1装置可变身平板电脑，电池续航力为10小时，亦可播放4K影片。

二、国内首款ARM Cortex M4F内核MCU

致象科技今日宣布，推出国内首个基于ARM Cortex M4F内核开发的MCU 产品系列—Marco Polo系列，打开了国产MCU的新篇章。高性能的第一代Marco Polo系列MCU可广泛应用在智能家居、无人机、可穿戴设备等物联网领域。致象科技此次推出的第一代Marco Polo系列MCU-TG401，不但具备小封装尺寸、低功耗、高性价比等特点，还集成了DSP扩展功能和浮点协处理器，能提供快速DSP和浮点处理功能。这在需要复杂传感器融合算法、音频解码和图像处理的产品应用中具有天然的优势，如近来热门的无人机飞控系统就是典型的应用场景。