原创碳纳米管半导体问世预示硅半导体将被取代

 2008-5-22 16:59  2777 7 7 分类: 测试测量

碳纳米管半导体问世预示硅半导体将被取代

作者：Christina Nickolas 　日期：2004-3-1 　来源：今日電子

美国马里兰大学（位于美国马里兰州College Park）的研究人员发现半导体碳纳米管的迁移率比其他半导体材料高25%，比硅高70%。这些发现有望促使碳纳米管在从计算机芯片到生化传感器的各类应用中取代传统半导体材料。
----研究人员制作了一个碳纳米晶体管，他们发现在25℃时这种纳米管的室温迁移率大于100 000cm2/V-s，这一举超越了锑化铟保持了长达48年之久的室温迁移率纪录（原先为77000 cm2/V-s）。目前的硅电脑芯片提供大约1500cm2/V-s的迁移率。
----研究人员对精确地放置了金属线的长碳纳米管进行了测量。纳米管的实测长度为0.3mm（大约是其直径的100000倍），这比以前所研究的纳米管长100倍。
----纳米管是直接生长在平坦的硅芯片上的。由于很难将纳米管固定在芯片上以便与导线相连，因此开发了一种采用扫描电子显微镜的特殊工艺。
----在纳米管最终取代电脑芯片之前还有许多难题有待解决。研究人员需要找到一种方法来控制纳米管与金属电极之间的接触电阻。他们还在研究纳米管必需如何精确地放置在衬底上。
----如欲了解更多信息，请与马里兰大学的Lee Tune联系，电话是001-301-405-4679，电子信箱是ltune@umd.edu或与该校的Karrie Sue Hawbaker联系，
----电话是301-405-5945，电子信箱是karrie@physics.umd.edu，
----或访问http://www.umd.edu。

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