原创 65nm技术开发的FeRAM材料存储能力高达256Mb

采用65nm工艺技术就可以将存储容量至少提高到256Mb，工作在1.3V电压下的功耗是现有产品的一半。
BFO是由铋、铁和氧原子构成的具有钙钛矿型结构的铁电材料。目前普遍使用的铁电材料是锆钛酸铅（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的电荷存储能力低，可升级性有限。PZT的技术局限在130nm节点就会反映出来，因为随着存储单元区的减少，对极化的要求也越来越高。

随着对BFO的深入开发，可以实现256Mb的大容量FeRAM，这种FeRAM与现有的1Mb产品相比，密度将会高出两个等级。密度的提高使得FeRAM的应用将在新的领域（如快速启动，它使计算机在开机后能够立刻使用）得到扩展，而不再仅限于在安全应用领域。FeRAM还可以用于电子纸设备，该设备能让用户浏览和阅读传统上印刷在纸张上的大量信息。欲了解更多信息，请访问http://us.fujitsu.com。