原创 超小型功率半导体器件的封装 (图)

----该封装占用的线路板面积只有5.3×4.8mm，仅仅是同类封装所占用面积的三分之一。它可耗散2.5 W的功率，是SOT-23封装的三倍。除了体积小以外，此封装的结构也比通常的半导体封装更为坚固。

----例如，它的金属引线锁紧设计可以将金属连接线牢固地固定在塑料底座上，加强了机械耐力。易焊接的金属层扩展到封装的各边，可以使焊接材料在回熔时形成焊接层，有利于提高散热性能。此封装在设计上还完全摈弃了磁性材料，也不采用引线键合工艺，因而和一般的采用引线键合工艺的SMT封装相比，显著地降低了高频损耗，提高了承受电流峰值的能力。

----此封装将首先封装该公司生产的UPF1N100，n-型沟道1000V 的MOSFET。以后将用来封装应用于照相机闪光灯和电动机控制器的500V MOSFET，以及其它电压为30V和50V，应用于音频放大和驱动的MOSFET。

----如欲了解更多情况请与Cliff Silver先生联系。电话号码为；001-714-979-8220，网址为：http://www.microsemi.com。