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用户1736994 2014-5-1 21:18
理想IGBT驱动电路的基本性能
IGBT器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的静态驱动功率接近于零。但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在 ...
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