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杨茜碳化硅功率模块
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杨茜碳化硅功率模块 2025-1-22 11:54
为什么40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET可以替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN？
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M ...
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