标签: 磁阻传感器

　MEAS新推出一款KMA36通用磁性编码器。KMA36集成芯片结合了磁阻传感器阵列以及一个模数转换器和信号处理集成在一个标准的小TSSOP封装内。MEAS技术平台打造的这款传感器非常适合客户多种不同的应用 (电位计、电动机反馈控制、读数仪表、精确线性位移测量或方向盘位置测量）。 　　　　　　　　　　　　　 　　这款非接触式传感器利用各向异性磁阻(AMR)技术测量磁场角外部磁铁360°旋转以及增沿直线的5毫米磁条长度增量。数据通信(I²C),和一个模拟信号很容易通过TSSOP针脚输出。传感器软件包含了一个自我诊断序，可执行自检测功能,检测信号错误和失效。KMA36可以设置为低功耗模式、睡眠模式以及断电。 　　KMA36不仅克服了霍尔传感器容易受到外部噪音影响的弱点，同时也克服了光学编码器轴承常常损坏的弊端。这些特点可以作为低功耗传感器一个选择。该产品具有睡眠和低功耗模式，可通过I²C自动唤醒 - 这使得KMA36的成为许多电池应用的理想选择。位置数据可以使用PWM或双线（SDA，SCL）通信总线传输。 　　这款传感器主要是用于恶劣工业环境、发动机和车辆,机械控制、机床、机器人技术和电机运动。KMA36可以承受的灰尘、温度变化、污垢和类似的污染物。该传感器也可以应用在医疗、实验室和传送设备仪表。 　　磁阻传感器和霍尔传感器主要区别在于使用环境： 　　1 磁阻传感器的使用不受磁场强度影响，可以在恶劣工况和强干扰影响下工作。霍尔传感器可以达到的测量目的磁阻传感器基本都可以做到。随着磁阻传感器的普及使用，产品成本跟霍尔的差距也在逐渐缩小。在位置测量的应用上必将逐渐取代霍尔传感器。 　　2 霍尔传感器需要在无干扰环境下使用。对安装有很严的要求。 　　北京赛斯维测控技术有限公司负责KMA36数字磁阻传感器在中国地区的市场推广及技术服务，咨询热线：010-84775646、84775648。 　　转载请注明来源：赛斯维传感器网（www.sensorway.cn）

磁 传感器 是传感器产品的一个重要组成部分，已经广泛地应用在航空航天、汽车、工业、消费等许多领域。汽车中应用的磁传感器数量越来越多，是磁传感器最大的市场，预计在2010年有更大的增长。随着导航产品的普及，磁性传感器与MEMS结合，在消费电子中的应用也将有不错的表现。而在最近的 物联网 与智能电网两大热点中，也将看到它更多的身影。        MEMS（微机械系统） 传感器 近两年的快速发展抓住了业界的眼球，不难发现，国际和国内市场MEMS厂商的数量在急剧增多。其实，在传感器领域，不仅仅是新型的MEMS传感器，传统的磁传感器市场也在迅速发展。据iSuppli预测，磁传感器芯片市场将在2010年感受到来自汽车、工业与消费性应用领域的强劲需求。该市场营收估计将由2009年的8.21亿美元，增长到2013年的14亿美元的规模；以出货量计算，则是由2009年的28亿颗，增长到 2013年的50亿颗以上。        磁 传感器 在汽车中主要被用于车速、倾角、角度、距离、接近、位置等参数检测以及导航、定位等方面的应用，比如车速测量、踏板位置、变速箱位置、电机旋转、助力扭矩测量、曲轴位置、倾角测量、电子导航、防抱死检测、泊车定位等等。        据iSuppli分析师RichardDixon分析，仅在汽车车身应用方面，一辆车使用的磁性 传感器 与开关平均数量，就将从2008年的6.7颗，增加到2013年的9.4颗。        未来磁 传感器 在消费电子市场将有较大的成长，MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进，对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长，技术相对成熟，但仅作为电子罗盘的单独应用，在以前并不被人们很看好，而现在它与MEMS的结合，会在导航市场成为一个亮点。        由于MEMS和磁阻 传感器 在功能上可以互相补充，它们的结合使导航产品更加精准。霍尼韦尔有一类产品是把磁阻传感器和MEMS加速度传感器集成在一个IC中，现在它已经被大量应用。还有一类集成度更高的产品，是把陀螺仪、加速度和磁阻三种传感器集成在一起，三者在功能上互相辅助，构成了功能更强大的惯性导航产品。 PNI Corporation 是传感器技术的设计、开发和应用的先驱。磁感式（Magneto-Inductive (MI)）磁传感器是PNI发明的当今世界最先进的磁传感器技术，该技术是PNI产品的基础。当前PNI的插件式和贴片式磁传感器应用到美国超过95%的带指南针的汽车中，和90%以上销往欧美的数字罗盘和指南针表 中。显然有很多的原因导致MI传感器在全世界受到欢迎，请看它的优点。 最精确(= 分辨率最高) MI 传感器上最高分辨率的磁场测量，它有两种分辨率可选： 插件式磁传感器（SEN-L）分辨率是0.0055uT (0.000055Gauss)，贴片式磁传感器SEN-S65分辨率是0.015uT (0.00015Gauss)。 最宽的动态范围（=最大的磁场测量范围） MI磁传感器有最宽的动态范围：SEN-L是+/-550uT (+/-5.5Gauss)，SEN-S65是+/-1,100uT (11 Gauss)。罗盘传感器动态范围越宽，传感器接近强磁场物体达到饱和的机会越小。如果罗盘传感器饱和了，罗盘指示的航向将是偏的不正确的。 最高的重复性 MI磁传感器有最小的磁滞现象，当磁传感器的磁滞越小，罗盘在两个点之间来回转动时，在同一航向角时罗盘总是重复指示一致的航向。 最低的功耗消耗 在3V直流供电时，MI磁传感器的工作电流小于500uA 。因为它们消耗最小量的功率，在可供选择的方案中，它们是最理想的电池供电产品的方案。正因为这个原因，也不限于这个原因，MI磁传感器几乎成为电子罗盘的标准方案。 抗电子干扰 其他技术如Honeywell，Philips，Hitachi等的磁阻传感器，对EL背光或其他外围电路的电子干扰非常敏感，因为他们的信噪比非常的低。而MI磁感传感器在所有磁传感 器中有最高的信噪比。 没有温度漂移 在整个工作温度范围，从–30’C 到+80’C （SEN-L）或 从–55’C 到+140’C（SEN-S65），MI磁感传感器极其稳定。 铭之光公司作为美国PNI公司在中国大陆的总代理，竭诚为大家服务。