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随着云端运算以及云端储存成长快速，网络服务供货商对于服务器的需求也随之提高，而云端服务供货商需要持续成立更多的数据中心，并且提供合格且数量充沛的硬件设施，来才有能力满足用户对于海量信息的存取需求。特别是近年来Netflix, Disney+, Spotify等各种影音串流媒体的兴起，更持续地带动服务器本身在储存空间及效能上的需求。 噪音与振动：耗电量与散热转速提升的待解课题 身为服务器不可或缺的关键构成，想当然尔，使用于服务器中的CPU以及硬盘(HDD)的市场需求自然也有了相当高程度的增长。CPU效能的提升，对CPU本身及服务器的其他零组件带来了更高的耗电量，此外，硬盘的容量也在近几年有了加倍的成长。 当服务器整体耗电量提高，散热需求也就势必要能够有所对应。作为服务器散热系统中的主要组件，为了提供足够的散热风量，便需要更高的风扇转速才能将累积于服务器中的热量，送至服务器的机壳之外。可想而知的是，散热风扇所产生的振动与噪音将会随着转速的提升而变得越来越大，进而影响到服务器中的其他组件。 其中硬盘就是服务器中最容易受到散热风扇的振动与噪音影响的组件。 依据目前的经验以及研究指出，影响硬盘效能的振动，可能会来自以下几种： 系统运作时的振动。 硬盘与硬盘之间的互相传导。 来自硬盘附近的其他装置所产生的振动。 其中，又以高速运行的风扇所产生的噪音与振动对硬盘的效能影响最大。 目前的硬盘科技对于2kHz以下的振动有较强的修正能力。 高速运行的风扇可产生高达20kHz的振动。 Attenuating Acoustic Effects on HDD Performance”, OCP Global Summit, 2021 而高密度、高性能的储存需求加剧了硬盘性能稳定性的挑战，其中，散热风扇的高频声波振动也将极大地影响着硬盘的性能。 当磁盘本身盘片密度变高时，盘片之间的距离更近，读取磁头与盘片的距离也将更加接近，如此一来，硬盘将更容易受到服务器内部的噪音、振动等外界干扰的影响，并对其造成非常大的性能变化。另一方面，为因应更高密度的机柜设计，服务器为了提升散热效果所进行的风扇功率、频率及速度上的各种强化，同样也会对高密度、大容量机械硬盘带来更多干扰。其中又以声波产生的声压对硬盘的影响最为明显，除了会造成硬盘的效能降低，甚至有可能对硬盘的寿命产生不良的影响。 也因此服务器产品设计的初期，我们就应该开始考虑到如何去减少服务器中散热风扇的振动与噪音对机械式硬盘的效能及寿命上可能产生的负面影响。 只不过，由于过去缺乏统一的量测工具以及量测方法，使得服务器制造商、机壳制造商与硬盘制造商之间必须经常性地耗费多余的时间和心力，来厘清不同制造商间，因为使用不相同的量测工具以及量测方法所带来的误差。而这项棘手难题，一直到了近几年Open Compute Project (OCP) 基金会的成立才获得了一定程度的缓解。 OCP除开源了包括数据中心、服务器在内的一系列硬件设计，也制定了像是数据中心的服务器、储存系统等硬件规格与建置标准。自2011年设立以来，OCP不仅开启了全球云端数据中心开放规格发展与风潮，同时也成为了全球通行标准。其中，针对散热风扇的振动与噪音对硬盘的影响，也特别成立了 OCP Storage HDD Dynamics Group ，透过集结来自于各个硬盘制造商以及深谙风扇振动与噪音的专业人士团队，在经过周延的讨论与实作后，所订出了的量测工具。 OCP Acoustical HDD Surrogate White Paper 作为专业测试验证与解决方案的领导品牌，百佳泰(Allion Labs)备有OCP Storage HDD Dynamics Group所建议的量测设备，更同时具备丰富的声学以及储存装置测试经验。不论是针对硬盘本体还是服务器机壳都能够提供对应的量测方法，并且使用专业的聆听室 (Listening Chamber) 来排除其他环境噪音所造成的量测误差，产出最正确的量测数据。 噪音振动对硬盘的影响 透过在执行效能测试的硬盘前方给予不同频率与强度的噪音，找出硬盘对于那些噪音的频率以及强度的应对较差，提供硬盘制造商以及机壳(硬盘抽取盒)制造商设计产品时的参考。 输出数据： 各个组合的声压曲线 各个声压下的硬盘效能 服务器中的散热风扇音量 将假体硬盘安装于服务器的硬盘槽中，量测散热风扇于各种转速下产生的噪音传到至硬盘槽的声量大小。提供服务器制造商于设计服务器内部构造时的参考。 输出数据： 每一个散热风扇转速下噪音的录音档 每一个散热风扇转速下噪音的频谱分析 基于上述两项量测方法，我们便能找出硬盘抗噪音振动的弱点，并且得出散热风扇于机壳中所产生的噪音频率，作为优化硬盘以及机壳抗噪音能力的重要依据。在下一篇文章中，我们将继续为大家带来实际测试中所得到的实验数据。

温度，对于电子元组件来说，一直都是不可避免的问题。以储存装置来说，一般的HDD/SSD在通电运作过程时，工作温度通常在0°C~60°C上下都是正常的温度范围。若温度高过70°C以上，除了影响效能，更会导致产品寿命提前结束。装设在服务器中的HDD/SSD，考虑到稳定耐用度，温度更是产品设计的必要考虑因素之一。 以工业标准来计算(JEDEC Data Retention)，我们可以在可靠性测试(reliability)中，利用温度变化的条件，来仿真储存装置老化实验，验证该产品老化试验下寿命的表现。 关于HDD/SSD可靠性测试，就温度因素观点探讨，可从下面试验方向进行验证： 温度变化试验(Thermal Cycling Test) ：在HDD/SSD工作温度范围内，稳定升温，观察其效能变化，找出其弱点。 高低电压/温度试验(4-Corner Test) ：利用HDD/SSD高低工作温度值，以及工作电压+/- 5%四个条件，设计成四个象限的corner test，进行长时间的读写混合测试，验证HDD/SSD在高低温度电压下的效能。 高温老化试验(Retention Test with High Temp) ：依照JEDEC规范写入数据，接着将待测物断电放进chamber，进行长时间高温测试，最后再将待测物移至测试仪器上进行SMART check以及全碟读取检查。 温度过高对硬盘会有什么样的影响？ 这边以高温老化试验来说明，在不同温度与时间的条件下，将硬盘断电放进chamber进行测试后，用执行全碟读取检查的运行时间，作为结果判断依据。如果运行时间延长，即代表产品老化的反应奏效。从下 图 结果可以发现，虽然长时间一定温度下的劣化结果不明显，不过在高温125°C条件下，超过10小时之后，读取效能开始明显的下降。 我们接下来探讨125°C/24 hrs.这 个条件下的 结果。 以下这些SSD透过SMART check回报时，皆为正常状态。 接着逐一进行全碟读取检查，就可以在此看出些端倪。 首先，就运行时间来看，可以发现到「SSD A」效能明显较低，需要近5个小时才能完成测试。 另外，从延迟反应来看，「SSD A」相较其他三颗，Rank B以上的延迟时间比例明显提高，故我们可以了解到高温老化对于一些体质较差的SSD来说会造成效能下降的严重影响。 从上表可以看到，Rank A低于0.5 mSec，延迟低，效能好； Rank 高于10 mSec，延迟高，效能差。 故Rank能集中在AB是相对好的。 针对HDD/SSD可靠度测试，我们提供与日本知名实验室合作之「Hirota Smart Tester」测试仪器与共同开发脚本，结合专为HDD/SSD开发的可程序恒温恒湿试验机来执行可靠性测试。此外可依照客户需求，温度／时间客制化、阶梯化设置等控制，来验证客户产品的可靠度。 Hirota Smart Tester 可程序试验仪器执行脚本 测试脚本A TBW Test (Enterprise and Client) 测试脚本B Evaluation by ON/OFF of Power Supply 测试脚本C Evaluation by Variable Voltage 测试脚本E SNIA SSS PTS 测试脚本F Low Power Measurement 测试脚本G 4-corner, power on/off, etc… 客制化脚本 Customer Request 可程序恒温恒湿试验机技术规格 温度范围 -20°C ~ 100°C (Operation Mode Chamber) 85°C ~ 200°C (Non-operation Mode Chamber) 湿度范围 10% ~ 98% RH 可同时执行DUT数量 HDD: 12 Qty. ; SSD: 12 Qty.

IDE 　　IDE的英文全称为“Integrated Drive Electronics”，即“电子集成驱动器”，它的本意是指把“硬盘控制器”与“盘体”集成在一起的硬盘驱动器。把盘体与控制器集成在一起的做法减少了硬盘接口的电缆数目与长度，数据传输的可靠性得到了增强，硬盘制造起来变得更容易，因为硬盘生产厂商不需要再担心自己的硬盘是否与其它厂商生产的控制器兼容。对用户而言，硬盘安装起来也更为方便。IDE这一接口技术从诞生至今就一直在不断发展，性能也不断的提高，其拥有的价格低廉、兼容性强的特点，为其造就了其它类型硬盘无法替代的地位。 IDE代表着硬盘的一种类型，但在实际的应用中，人们也习惯用IDE来称呼最早出现IDE类型硬盘ATA-1，这种类型的接口随着接口技术的发展已经被淘汰了，而其后发展分支出更多类型的硬盘接口，比如ATA、Ultra ATA、DMA、Ultra DMA等接口都属于IDE硬盘。 SATA 　SATA的全称是Serial Advanced Technology Attachment，是由Intel、IBM、Dell、APT、Maxtor和Seagate公司共同提出的硬盘接口规范，在IDF Fall 2001大会上，Seagate宣布了Serial ATA 1.0标准，正式宣告了SATA规范的确立。SATA规范将硬盘的外部传输速率理论值提高到了150MB/s，比PATA标准ATA/100高出50%，比ATA/133也要高出约13%，而随着未来后续版本的发展，SATA接口的速率还可扩展到2X和4X(300MB/s和600MB/s)。从其发展计划来看，未来的SATA也将通过提升时钟频率来提高接口传输速率，让硬盘也能够超频。 　　SATA接口需要硬件芯片的支持，例如Intel ICH5(R)、VIA VT8237、nVIDIA的MCP RAID和SiS964，如果主板南桥芯片不能直接支持的话，就需要选择第三方的芯片，例如Silicon Image 3112A芯片等，不过这样也就会产生一些硬件性能的差异，并且驱动程序也比较繁杂。 　　SATA的优势：支持热插拔 ，传输速度快，执行效率高. SCSI　 　　至于SCSI(Small Computer System Interface，小型计算机系统接口)，其速度、性能和稳定性都比IDE要好，价格当然也要贵得多，主要面向服务器和工作站市场。 在过去的几年间，IDE进步得很快，Ultra DMA 33推出不到两年，Ultra DMA 66就上市了。其实，SCSI的发展一点也不比IDE慢，只不过我们较少接触，对其了解不深而己。SCSI的标准从1980年开始实行，但到现在还未统一，各厂商对它的命名不相同，容易令人混淆是最主要的原因，下文介绍了SCSI接口的各个方面，希望对准备购买SCSI设备的朋友有所帮助。 　　一、概述 　　SCSI是一种连结主机和外围设备的接口，支持包括磁盘驱动器、磁带机、光驱、扫描仪在内的多种设备。它由SCSI控制器进行数据操作，SCSI控制器相当于一块小型CPU，有自己的命令集和缓存。要了解SCSI，必须先了解它的类型，以下是STA(SCSI Trade Association，SCSI同业公会)的标准分类。 　　SCSI的类型，注释： 　　(1)点到点传输的总线长度 　　(2)SCSI、Ultra SCSI或Ultra2 SCSI均是可选项 　　(3)LVD(Low Voltage Differential，低分差动)没有定义它的速度，在12米以内都能保持正常传输率。如果在总线内有一个设备设置成单终结，整个总线也会切换成单终结。 　　(4)单终结没有定义它的长度 　　(5)HVD(High Voltage Differential，高分差动)没有定义它的速度 (6)在Ultra2之后，所有高速传输都是基于宽带(Wide)模式。 　　看到上述标准，是否觉得有点眼花缭乱，其实，对于一个新用户来说，了解SCSI控制器和数据线的类型比接口类型更重要。在SCSI总线中，控制器也算一个设备， 　　即实际最大可连接设备数目 = 理论最大支持设备数目-1。 　　二：SCSI连接器的类型 　　SCSI连接器分为内置和外置两种。 　　内置数据线的外型和IDE数据线一样，只是针数和规格稍有差别，主要用于连接光驱和硬盘， 40针IDE线有40根导线，40针ATA66有80根导线，SCSI内置则分为50针、68针和80针。 　　至于SCSI外置数据线，就有以下几种规格，它们的密度均不相同，千万别弄错了。 　　Apple SCSI，共有25针，分为两排，8位，常用于Mac机和旧式Sun工作站。 　　Sun Microsystem的DD-50SA，共有50针，分为三排。 　　SCSI-2 ，共有50针，分为两排，8位。 　 Centronics，共有50针，分为两排，8位，有点像并行口，它可以连接的设备数目最多。 　　SCA，共有80针，分为两排。 　　SCSI-3和Wide SCSI-2，共有68针，分为两排，16位。旧式DEC单终结SCSI使用68针高密接口。 　　三、SCSI ID和总线终结器 　　相信许多SCSI用户都有这种经历，插上设备之后，操作系统怎样也不认，后来检查总线，才发现是终结和ID没有设置好。ID(identify)作为SCSI设备在SCSI总线的唯一识别符，绝对不允许重复，可选范围从0到15，SCSI主控制器通常占用id 7，即是说我们可以用在设备上的ID号共有15个。总线终结器能告诉SCSI主控制器整条总线在何处终结，并发出一个反射信号给控制器，必须在两个物理终端作一个终结信号才能使用SCSI总线。常见的错误是把终结设置在ID号最高或最低的地方，而不是设置在物理终端的SCSI设备上。其实，SCSI设备总是以链形来连接的，按顺序就能分辨出哪一个是终结设备。 终结的方式有三种：自终结设备、物理总线终结器和自终结电缆。大多数新型SCSI设备都有自终结跳线，只要把非终结设备的自终结跳线设置成OFF即可避免冲突问题;物理总线终结器是一种硬件接头，又分为主动型和被动型两种，主动型使用电压调整器来进行操作，被动型利用总线上的能源信号来操作，被动型比主动型更为精确;自终结电缆可以代替物理总线终结器，也是一种硬件，它的价格非常昂贵，常用于两个主机连接同一个物理设备，如：两个服务器存取同一个物理SCSI硬盘。 通过检查SCSI ID和总线终结器，我们可以找出大多数冲突现象的解决方法，这是SCSI设备用户必须重视的一点。 　　四、IDE V.S. SCSI 在面对新SCSI用户时，我最常听到的一个疑问是：“究竟SCSI好，还是IDE好?”。这是个很难回答的问题，它包括了性能、价格、易用性、扩展性多方面因素。 从性能上说，SCSI当然要比IDE好，毕竟SCSI控制器上有一个相当于CPU的芯片，能够处理大部分工作，减轻了中央处理器的负担(CPU占用率)。同一时间推出的硬盘中，SCSI系产品的转速、缓存容量和数据传输率均比IDE系高，要比速度，IDE怎样也比不过SCSI。 在价格方面，SCSI是昂贵的代名词，面向商业级应用，IDE则以低价格著称，面向桌面式计算机。 易用性：使用SCSI的过程中，常会发生SCSI ID和总线终结器设置错误，导致硬件不能识别的故障，IDE设备仅有主、副之分，在同一数据线上只有两个设备，只要分别设置为Master和Slave就不会有冲突。 扩展性：能够连接多达15个设备是SCSI的优点之一，而标准PC的IDE接口，最多只能连接4个设备。 购买一样产品之前，我们最主要的是考虑到自己的需求，凭着这一点，很容易判断出哪个产品较适合你，仅说“好”与“不好”没有太大意义。如果你用电脑来玩游戏机、看DVD、上网，IDE硬盘己能满足你的应用，SCSI仅会让Quake 3增加几帧，绝对划不来。若是用计算机来视频捕捉、影像编辑等要求大量磁盘输入/输出的工作，相信SCSI是你的上上之选，别为了省几个金钱而买IDE哦，否则会得不偿失的。 USB USB ,是英文Universal Serial BUS（通用串行总线）的缩写，而其中文简称为“通串线，是一个外部总线标准，用于规范电脑与外部设备的连接和通讯。是应用在PC领域的接口技术。USB接口支持设备的即插即用和热插拔功能。USB是在1994年底由英特尔、康柏、IBM、Microsoft等多家公司联合提出的。 从1994年11月11日发表了USB V0.7版本以后，USB版本经历了多年的发展，到现在已经发展为2.0版本，成为目前电脑中的标准扩展接口。目前主板中主要是采用USB1.1和USB2.0，各USB版本间能很好的兼容。 USB接口可用于连接多达127个外设，如鼠标、调制解调器和键盘等。USB自从1996年推出后，已成功替代串口和并口，并成为当今个人电脑和大量智能设备的必配的接口之一。 串口和并口串行接口 串行接口（Serial port）又称“串口”，主要用于串行式逐位数据传输。常见的有一般计算机应用的RS-232（使用 25 针或 9 针连接器）和工业计算机应用的半双工RS-485与全双工RS-422。 并行端口，又称并口，是计算机上数据以并行方式传递的端口，也就是说至少应该有两条连接线用于传递数据。与只使用一根线传递数据（这里没有包括用于接地、控制等的连接线）的串行端口相比，并口在相同的数据传送速率下，并口可以更快地传输数据。所以在21世纪之前，在需要较大传输速度的地方，例如打印机，并口得到广泛使用。但是随着速度迅速提高，并口上导线之间数据同步成为一个很难处理的难题，导致并口在速度竞赛中逐渐被淘汰。目前USB等改进的串口逐渐代替了并口。 串口形容一下就是一条车道，而并口就是有8个车道同一时刻能传送8位（一个字节）数据。但是并不是并口快，由于8位通道之间的互相干扰。传输时速度就受到了限制。而且当传输出错时，要同时重新传8个位的数据。串口没有干扰，传输出错后重发一位就可以了。所以要比并口快。串口硬盘就是这样被人们重视的。

台湾的DRAM产业曾经是台湾科技界指标性产业，但近几年DRAM的供需市场产生很大的变化。 　　2013年美光(Micron Technology Group)并购日本内存大厂尔必达(Elpida)后，全球DRAM生产几乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，侥幸存活的少数厂商只能转而帮其他大厂代工，或是改为生产具有市场利基的产品。如今行动装置与物联网重新带动DRAM市场需求，朝向更小、更省电的方向迈进，若能掌握这股新趋势，未来台湾厂商在内存产业还是大有可为。 标准DDR4模块展示 　　动态随机存取内存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常见的内存组件。在处理器相关运作中，DRAM经常被用来当作数据与程序的主要暂存空间。相对于硬盘或是闪存(Flash Memory)，DRAM具有访问速度快、体积小、密度高等综合优点，因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中，例如计算机、手机、游戏机、影音播放器等等。 　　自1970年英特尔(Intel)发表最早的商用DRAM芯片－Intel 1103开始，随着半导体技术的进步与科技产品的演进，DRAM标准也从异步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、进展到上下缘皆可触发的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。 　　每一代新的标准，目的不外乎是针对前一代做以下的改进：单位面积可容纳更多的内存、数据传输的速度更快、以及更少的耗电量。更小、更快、更省电，是半导体产业永不停息的追求目标，当然DRAM也不例外。 　　固态技术协会(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM标准，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的发表，已有5年之久。 　　对于产品日新月异，瞬息万变的科技业而言，5年是非常久的时间。2007年6月第一代iPhone问世，同年DRAM产业宣布DDR3时代来临；到了2012年，iPhone都已经推进到iPhone5了，DRAM才正式进入DDR4，相比之下DRAM的进步不得不说相当缓慢。 　　随着行动装置的盛行，个人计算机市场逐渐式微，加上缺乏可以刺激消费者积极更新设备的应用程序，这些因素都降低了大众对新一代DRAM标准的渴望。 　　即使新标准看起来有更多优点，但无法激起消费者的购买欲望，就没有市场，新一代DRAM的需求若不显著，DRAM厂对于投入资金研发新技术的意愿就显得意兴阑珊，新标准的制定也就不那么急迫了。 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 　 DDR4 PK DDR3 　　即使缓步前进，DDR4终究还是来到大家的面前。新的标准必定带来新的气象，让我们来看看DDR4与DDR3有什么不同之处： 图二：DDR4标准与DDR3标准简单对照表 储存容量：单一的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间，而每个DDR4模块(module)最多可搭载8个DDR4芯片，比DDR3多一倍。也就是说，DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置，DDR4可容纳更大的内存容量；换个角度来说，在容量需求不变的情况下，DDR4所需的空间比DDR3要小。 　　传输速度：DDR3的传输速度从800MHz(MHz=每秒百万次)到2188MHz不等；而DDR4的传输速度从2188MHz起跳，目前的规格定义到3200MHz，将来可望达到4266MHz。 　　耗电量：省电是DDR4最明显的改进之处。DDR3所需的标准电源供应是1.5V(伏特，电压单位)而DDR4降至1.2V，专门为行动装置设计的低功耗DDR4(LPDDR4)更降至1.1V。除了降低工作电压，DDR4支持深度省电模式(Deep Power Down Mode)，在暂时不需要用到内存的时候可进入休眠状态，无须更新内存(Refresh)，可进一步减少待机时功率的消耗。 图三：DDR4 vs. DDR3的标准化能量消耗 除了上述的三个主要部份外，DDR4还支持命令/地址总线上的同位核对(parity check)，以及在数据写入时，数据总线上支持循环冗余检验(CRC)等功能，以自动侦错的方式来避免因讯号干扰而导致不正确的命令或数据被写入内存，增加高速传输时数据的完整性。 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 　　 DDR4应用限制 　　世上没有白吃的午餐。虽说DDR4具有上述的优点，但在应用上却有额外的负担。 　　首先，跟DDR3相比，DDR4读写指令需要更长的启动时间周期(Read Latency或Write Latency，也就是读写指令下达后，需花费多少时间周期，数据才会出现在接口上)。因此在相同频率下，DDR4的读写效率会比DDR3低。这其实是可以理解的。随着半导体制程技术的提升，内存对外的接口逻辑电路的速度也越变越快，但内存内部的反应速度却没有增加，因此对外部的控制电路而言，DDR4的读写指令需要更长的时间周期才能被启动。换句话说，DDR4的输入频率频率或许可以比DDR3快上一倍，但内存的反应速度并没有增快一倍，因此只好定义更多的读写起始周期来因应。若因为系统的限制，使得DRAM的输入频率无法达到太高的频率时，DDR3的读写效率会比DDR4来得好。其实从DDR2进展到DDR3时也有类似的问题发生。新一代的内存在刚推出的时候，价格不但偏高，同频操作下的效率又比旧型内存差，总要过一段时间，市场对高速内存的需求升高，再加上产能提升带动单位内存价格的下降，才会真正达到世代交替。 　　其次，DDR3有8个独立内存组(bank)，每个bank可独立接收读写指令。控制DRAM的逻辑电路若妥善安排内存地址，可以减少相邻读写指令间等待的时间，降低数据总线额外闲置的机率，提高传输的效能。DDR4虽然增加内存组数为16，但却加入内存群组(bank group)的限制。不同bank但若属于同一个bank group，连续读写指令间必须增加等待时间周期，造成数据总线的闲置机率升高，传输效能降低。在此种限制下，如何充分利用数据总线以达成最高效率，对于控制DDR4的逻辑电路设计是新的挑战。 　　目前各DRAM大厂已陆续推出DDR4的内存模块，英特尔最新个人计算机旗舰平台—Haswell-E搭配X99芯片组全面支持DDR4，价格上比相似规格的DDR3贵上20~50%，实际使用起来却感受不到太大的差别。其实内存的执行速度虽然重要，多数情况下并不是系统效能的瓶颈所在。因此，价格如果不能大幅降低，对桌面计算机的消费者而言，改用DDR4的诱因不大。 图四：2014Q1~Q2全球品牌DRAM营收排行表数据 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载 行动DRAM兴起带动市场需求 　　近几年DRAM的供需市场产生很大的变化。 2013年美光(Micron Technology Group)并购日本内存大厂尔必达(Elpida)后，全球DRAM生产几乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，小厂只能挑选大厂已经淘汰的小众市场勉强维持(详见图四)。而低功耗的行动DRAM(mobile DRAM)逐渐取代标准型DRAM，成为DRAM产业最重要的市场。根据DRAMeXchange所做的统计，苹果公司(Apple Inc)已是全球DRAM最大采买商，预计2015苹果的产品将占用全球25%的DRAM产能。 　　DRAMeXchangee更进一步预测，2014年行动DRAM占整体DRAM产出的36%，2015年有机会突破40%大关。由此趋势看来，未来几年，行动内存大有机会取代标准型DRAM，成为最大的DRAM产出。目前高阶智能型手机或平板计算机上的DRAM配备容量大约是1GB~2GB，对省电方面的要求更加严格。今(2015)年多家手机大厂新推出的旗舰型智慧手机计划将搭载低功耗的行动DDR4(LPDDR4)，加上苹果新一代iPhone与iPad将提高内建DRAM容量，预期LPDDR4将比标准DDR4更快普及。看准行动DRAM的商机，DRAM三大厂纷纷宣布设置新设备来增加行动DRAM的产量。在标准型DRAM方面，虽然个人计算机市场需求下滑，但近年来云端运算与云端数据储存应用的崛起，带动服务器设备需求逐年攀升，服务器DRAM也跟着稳定成长，成为标准型DDR4切入市场的契机。 　　以DRAM的基本结构(一个电容和一个晶体管组合成一个记忆单元)来看，未来在速度与耗电量的改进空间不大，产学界早已积极开发类似的内存架构，例如Z-RAM、TTRAM等，DDR4会不会是末代DRAM标准，谁也无法预测。 　　台湾的DRAM产业曾经是台湾科技界指标性产业，但经过10多年的巨额投资，终究还是敌不过韩国与美国大厂，在下一个DRAM周期的春天来临前就黯然退出主要竞赛行列。侥幸存活的少数厂商只能转而帮其他大厂代工，或是改为生产不被大厂青睐、市场规模较小的产品。如今内存整体市场已经跟10年前大不相同。行动装置与物联网所带动的市场需求，明显地朝向更小、更省电的方向，而非一昧着重在速度跟效率上。若能好好掌握这股新的趋势，未来台湾厂商在内存产业还是大有可为。 《电子技术设计》网站版权所有，谢绝转载

  去年，泰国一场洪水，让硬盘价格飞涨3倍，并连累了电脑DIY市场，让不少消费者推迟了购置新电脑的计划，各大PC配件厂商纷纷调低了今年销量的预期。不过，坚挺了半年多的的硬盘价格，本周终于出现了松动，不少主流型号产品大幅下挫。整个华强北DIY市场又再次红火了起来。 原本市场最畅销的500GB硬盘，去年泰国洪水开始一路走高，从270元飙升至600元以上。硬盘暴涨不仅影响了DIY市场，甚至连配件库存丰富的品牌电脑也抵受不住压力，于年底上调了售价。硬盘在主流配置的电脑中，所占成本不过15%左右，而现在却高达40%，这让不少消费者觉得难以接受，因此推迟了购机计划。这一推迟就是半年。从华强北多个商家处获悉，本周硬盘价格终于出现了大幅松动。