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低电压指令(LVD)低电压指令(LVD)一、前言本文将介绍欧联最新版本的低电压指令及说明如何满足新指令的要求，重点将放在包含测试报告的CE技术文件的要求，以协助厂商因应LVD指令。本文简要的陈述指令的一般要求，而后，把焦点放在测试要求上，并提供一些例子，说明了如何符合LVD测试的相关问题。二、LVD的适用范围LVD适用于所有本身功能使用电压范围在交流50~1000V，直流75~1500V的电机产品，这个定义系指指令的适用范围，而不是指令适用的限制(例如，在使用交流230V的计算机中，直流12V的电路所造成的危险也受LVD的规范)。LVD适用于提供给消费者和工业使用的产品，如果是工业用设备，指令也涵盖了制造商本身使用的产品(例如:测试设备)。三、CE技术文件的要求LVD的CE体制与EMC指令类似，所有在适用范围内的产品都必须有CE标志，而且必须有制造商的代表或进口商所签署的符合声明书。简单的自我宣告并不足以确定产品是安全的(〝安全〞被定义成不会造成人员或家畜的死伤及财务的损害)，基于这个原因，LVD的声明需要有技术文件档案的支持来证明。技术证明文件须包含:1.机设备的一般性描述2.概念上的设计及制造图样3.了解这些图样所必须的描述和说明4.列出全部或部份适用的标准，及描述为满足指令安全观点所采行的对策5.设计的推算结果，执行过程的检查6.测试报告制造商须用各种必要的方法以确保制造过程符合技术文件所述，档案的内容应清楚的证明产品在设计观点上，是安全的，而且能确定在制造过程中一直都符合。建立安全设计较好的方法是，先表示符合所列出的调和标准，而以测试报告为证据。调和标准会定期地发表在EC的官方公报(OfficialJournal)。使用已受……

低电容EMI滤波器抗干扰性能低电容EMI滤波器抗干扰性能随着无线市场的继续发展，下一代手机将拥有更多的功能特性，例如带多个彩屏(每部手机至少有两个彩屏)以及百万像素以上的高分辨率相机等。|||图1：LCD模块周围的噪声与ESD传输路径。|仍旧受紧凑设计趋势的推动，实现高分辨率LCD及相机将使设计者面临多种挑战，其中一个主要设计考虑便是这些新模块对电磁干扰(EMI)的敏感性。对于目前流行的许多手机(尤其是翻盖型手机)来说，彩色LCD或相机CMOS传感器通过连接在手机(上下)两个主要部分之间的柔性或长走线PCB与基带控制器相连。一方面，该连接线会受到由天线辐射出的寄生GSM/CDMA频率的干扰。另一方面，由于高分辨率CMOS传感器及TFT模块的引入，数字信号工作于更高的频率上，从而使该连接线会像天线一样产生EMI/RFI或可能造成ESD危险事件。总之，在上述两种情况下，所有这些EMI及ESD干扰均会破坏视频信号的完整性，甚至损坏基带控制器电路。为抑制这些EMI辐射并保证正常的数据传输，可考虑实现几种滤波器解决方案，这可通过使用分立阻容滤波器或集成的EMI滤波器来实现。|||图2：GSM衰减频率对应滤波电容。|EMI及ESD噪声抑制方法如果考虑到板空间、手机工作频率上的高滤波性能以及保存信号完整性等设计约束，目前已知的解决方案正在达到其技术极限。分立滤波器不能为解决方案提供任何空间节省，而且还只能提供针对窄带衰减的有限滤波性能，故大多数设计者目前都在考虑集成的EMI滤波器。在配有高分辨率LCD及嵌……

新型低电容EMI滤波器为手机带来更强抗干扰性能新型低电容EMI滤波器为手机带来更强抗干扰性能2006年01月01日随着手机中LCD及相机的视频分辨率提高，数据工作的频率将超过40MHz，对抑制无线EMI与ESD而言，传统的滤波器方案已达到它们的技术极限。为适应数据速率的增加且不中断视频信号，设计者可以选择本文讨论的新型低电容、高滤波性能EMI滤波器。随着无线市场的继续发展，下一代手机将拥有更多的功能特性，例如带多个彩屏(每部手机至少有两个彩屏)以及百万像素以上的高分辨率相机等。|||图1：LCD模块周围的噪声与ESD传输路径。|仍旧受紧凑设计趋势的推动，实现高分辨率LCD及相机将使设计者面临多种挑战，其中一个主要设计考虑便是这些新模块对电磁干扰(EMI)的敏感性。对于目前流行的许多手机(尤其是翻盖型手机)来说，彩色LCD或相机CMOS传感器通过连接在手机(上下)两个主要部分之间的柔性或长走线PCB与基带控制器相连。一方面，该连接线会受到由天线辐射出的寄生GSM/CDMA频率的干扰。另一方面，由于高分辨率CMOS传感器及TFT模块的引入，数字信号工作于更高的频率上，从而使该连接线会像天线一样产生EMI/RFI或可能造成ESD危险事件。总之，在上述两种情况下，所有这些EMI及ESD干扰均会破坏视频信号的完整性，甚至损坏基带控制器电路。为抑制这些EMI辐射并保证正常的数据传输，可考虑实现几种滤波器解决方案，这可通过使用分立阻容滤波器或集成的EMI滤波器来实现。|||图2：GSM衰减频率对应滤波电容。|EMI及ESD噪声抑……

低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展第33卷第4期2003年8月微电子学MicroelectronicsVol133,№4Aug12003文章编号:100423365(2003)0420317207低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展曹克,杨华中,汪蕙(清华大学电子工程系,北京100084)摘要:由于无线移动终端重量、体积以及成本等各方面的限制,电路必须满足低电压、低功耗的要求。在CMOS射频低噪声放大器中,如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗,已成为当前研究的热点。文章综述了几种降低CMOS低噪声放大器电源电压和功耗的方法,讨论了一些相关的设计问题。最后,展望了低电压、低功耗CMOS低噪声放大器的未来发展趋势。关键词:低电压;低功耗;CMOS射频电路;低噪声放大器中图分类号:TN722.3文献标识码:AAnOverviewofLow-VoltageandLow-PowerCMOSRFLow-NoiseAmplifiersCAOKe,YANGHua2zhong,WANGHui(Dept1ElectronicsEngineering,TsinghuaUniversity,Beijing,100084,P1R1China)Abstract:IC’susedinportablewirelessterminalsystemsmustbelow2voltagecompatibleandlow2powe……

高速ADC应用中降低电源噪声的方法……

低电压低功耗恒跨导CMOS推挽运算放大器的设计与研究应用研究ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ低电压低功耗恒跨导ＣＭＯＳ推挽运算放大器的设计与研究ＤｅｓｉｇｎａｎｄＳｔｕｄｙｏｆＡＬｏｗ－ｖｏｌｔａｇｅ，Ｌｏｗ－ｐｏｗｅｒ，ＣｏｎｓｔａｎｔＴａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅＲａｉｌ－ｔｏ－ｒａｉｌＰｕｓｈ－ｐｌｌＣＭＯＳＯｐ－ａｍｐ湖南大学电气与信息工程学院（长沙４１００８２）张杰方厚辉房华华孝泉摘要：本文设计和研究了一种新型的低电压低功耗且有恒定跨导的ＣＭＯＳ运算放大器，输入级采用电流镜技术的差分输入级结构，输出为推挽结构，其输入输出摆幅均为Ｒａｉｌ－ｔｏ－ｒａｉｌ，工作电压为２．０Ｖ低电源电压，整个电路采用标准的中芯国际０．３５ｍＣＭＯＳ工艺参数进行设计。Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｄｅｓｉｎｓａｎｄｓｔｕｄｉｅｓａｎｅｗｌｏｗ－ｖｏｌｔａｇｅ，ｌｏｗ－ｐｏｗｅｒ，ｃｏｎｓｔａｎｔｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｒａｉｌ－ｔｏ－ｒａｉｌＣＭＯＳｏｐ－ａｍｐ．Ｉｎｐｕｔｃｉｒｃｕｉｔｕｓｅｓａｎｅｗｃｕｒｒｅｎｔｍｉｒｒｏｒｓｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｏｕｔｐｕｔｃｉｒｃｕｉｔｉｓｐｕｓｈ－ｐｌｌ．Ｉｎａｗｏｒｄ，ｔｈｅｓｗｉｎｇｏｆｔｈｅｗｈｏｌｅｃｉｒｃｕｉｔｉｓｒａｉｌ－ｔｏ－ｒａｉｌ．Ｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｄｅｓｉｇｎｉｓｒｅａｌｉｚｅｄｉｎ０．３５ｍＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｗｏｒｋｓｉｎａ２．０Ｖｌｏｗｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅ．关键词：ＣＭＯＳ低功耗Ｒａｉｌ－ｔｏ－ｒａｉｌ推挽Ｐｕｓｈ－ｐｌｌＫｅｙｗｏｒｄｓ：ＣＭＯＳＬｏｗ－ｐｏｗｅｒＲａｉｌ－ｔｏ－ｒａｉｌ１引言近年来，随着集……

低电压CMOS模拟集成运算放大器输入级的研究第27卷第4期2004年12月电子器件ChineseJournalofElectronDevicesVol.27No.4Dec.2004TheResearchofInputStageofLowVoltageCMOSAnalogIntegratedCircuitAmplifierYUXue2gang,CHENGMeng2zhang(HuaianCollegeofInformationTechnology,Huaian223001,China)Abstract:TheproblemsofinputstageoflowvoltageCMOSanalogintegratedcircuitamplifierareThreesolvingmethodswhichincludesRail2to2Raildifferentialinputstage,stabletransconductancedifferentialinputstage(AssumeKN=KP)andstabletransconductancedifferentialintroduced.inputstage(AssumeKN≠KP)arediscussed.ThemorerespectingproblemsofinputstageoflowvoltageCMOSana……