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标签: 碳化硅MOS

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所需E币: 0

时间: 2022-1-20 16:53

大小: 784.38KB

上传者: Eways-SIC

SICMOSFET是第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。

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