本帖最后由 Eways-SIC 于 2023-8-30 11:17 编辑

[size=15.3333px]针对 SiC MOSFET 模块应用中[size=15.3333px]出现的串扰问题。 SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,提出3种有效应用对策.pdf (3.55 MB, 下载次数: 3)
全部回复 11
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
SiC MOSFET(碳化硅MOS半导体)栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1k5E67PXz-syQ-cu3zsfPSQ提取码9fvc
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
碳化硅MOS优点及驱动设计(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
SiC MOSFET国产的650v-1200v-1700v-3300v 新能源800V平台最佳功率器件
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
碳化硅MOS驱动设计原理图_工业电子与自动化-面包板社区  https://mbb.eet-china.com/forum/topic/140406_1_1.html
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
碳化硅MOS驱动设计原理图_工业电子与自动化-面包板社区  https://mbb.eet-china.com/forum/topic/140406_1_1.html
  • 13 主题
  • 147 帖子
  • 1184 积分
身份:LV4 高级技术员
E币:703
碳化硅MOS驱动设计原理图_工业电子与自动化-面包板社区  https://mbb.eet-china.com/forum.php?mod=viewthread&tid=140406&pid=160386&page=1&extra=page%3D1#pid160386
回复楼主
您需要登录后才可以评论 登录 立即注册