本帖最后由 Eways-SIC 于 2024-7-12 17:17 编辑

普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等技术详解 普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等技术详解-2024.pdf (3.49 MB, 下载次数: 5)
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SiC MOS通过了车规级AEC-Q101
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>>资料：数字PFC控制：实现电机控制系统监控的增值.pdf
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图腾柱无桥PFC取代传统的PFC或交错并联PFC。
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SiC是大势所趋
>>资料：PFC电源及功率磁元件设计技术培训.pdf
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国产碳化硅MOS管，供应链的本土化采购的必然趋势。
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图腾柱无桥PFC取代传统的PFC或交错并联PFC。
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SiC氣相生長溫度在2,300℃以上，壓力350MPa，而矽僅需1,600℃左右
>>资料：白金牌电源绿色电源设计
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SiC   MOSFET  适用于高温、高频、大功率等
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SiC MOS主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
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碳化硅MOS主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
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SiC MOSFET（碳化硅MOS半导体）栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1k5E67PXz-syQ-cu3zsfPSQ提取码9fvc
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