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    2022-5-5 16:43
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    从Intel 4004聊到苹果M1:聊聊摩尔定律的续命
    译者的话:很多同学可能对半导体尖端制造工艺更感兴趣,毕竟 5nm、3nm 这些词听起来就格外的一颗赛艇。不过行业不是整天在说“摩尔定律停滞/放缓”吗?大体上说的就是晶体管器件微缩的速度变慢了,那么驱动整个电子科技行业的底层技术也就变慢了,做不到 12-18 个月单位面积的晶体管数量翻番。 几年前就看到有人提出 More than Moore 还有“超越摩尔”之类的市场营销词汇。包括现在有像 Synopsys 这样的 EDA 公司提出 SysMoore 从系统层面来延续摩尔定律。其实这些都离不开先进封装工艺的发展。 “封装”“封装”,应该是说把芯片给密封、包装起来把?放在纸盒子里?一般我们说,“封装”要达成的是对芯片的支撑和机械保护,以及把电信号从芯片上引出来。在封装技术上做文章,也就是现在我们常说的“先进封装”工艺,应该是当代半导体制造技术发展的一个主旋律。 所以我预计会翻译 4-5 篇这方面的技术文章,个人感觉都还相对通俗易懂,且比较有科普价值的。期望对各位半导体技术爱好者有帮助吧。本文是此系列文章的第一篇,我觉得可以作为先进封装技术的一个概览,从“形式”上让各位同学对“封装”有个基本的概念。后面的几篇会做进一步的深入。 原文标题: Semiconductor Packaging History and Primer ,作者:Doug O'Laughlin 个人转载的请随意,但起码标明原文地址和我这个译者吧(毕竟我翻译的文章都有浓重的个人风味...)... 正文开始: 为什么现在封装技术很重要? 封装(packaging)原本是半导体制造流程后面的一道工序。将小片的硅造出来,然后用某种方法把它连接到什么板子上。随着摩尔定律的发展,工程师们认为应当充分利用芯片的各个组成部分、工序,包括封装,让最终产品达到最佳状态。采用更优的封装方式,能够带来很多好处,比如说更厚的金属片提供了更好的导电性,还有像是 I/O 问题——也仍是半导体产品需要考虑的最重要的问题之一。 只不过以前,封装企业并不像传统的前道(front-end)制造工艺企业那样受重视。封装供应链常被称作“后道”(back-end),被视为成本中心,类似于银行的前厅和后勤办公室的关系。但现在前道生产工艺的器件缩放进度放缓,那么新的技术热点也就随之转移,封装也就受到了重视。本文将讨论各种封装工艺,让你了解包括 2.5D、3D 封装等在内的概念究竟是什么意思。 封装简史 下面这张图是封装技术一个简单的层级关系,来自于某个油管课程。建议有时间的同学 前往观看 。这个课程展示了封装技术从过去到现在的发展情况。 WLP 显然有挺多不同的封装技术的,不过我们只谈谈其中简单的一些——具有一定的代表性,然后再谈谈现在的一些技术。下面这张图作为高层级的一个总揽,也相当不错,虽然这张图有些过时了,但内容上没什么问题。 在封装技术发展初期,陶瓷、金属罐(metal cans)很常见;密封以达成最佳可靠性。这类方案绝大部分应用于航天、军用领域——这些领域的可靠性要求非常高。不过这样的要求对于日常民用设备而言就没有必要了,于是我们开始采用塑料封装以及 DIP(dual in-line packaging,双列直插式封装)。 DIP 封装(1964-1980s) DIP 最早是在 20 世纪 70 年代引入的。在表面贴装技术出现以前,DIP 在大约 10 年的时间里成为一项标准。DIP 采用塑料外壳,包围半导体器件;有两排伸出的 pin 脚——名为引线框(leadframes)——连接到 PCB 板,如下图所示。 内部的芯片 die 通过焊线(bonding wire)连接到两侧的引线框,引线框连接到 PCB 板 DIP 是于 1964 年由仙童半导体打造的。DIP 封装现在是具备了象征意义的,其设计方案在当时也比较好理解。Die 完全密封在树脂里面,达成较高的可靠性,且成本较低。早期不少颇具代表性的半导体器件都采用这种封装方式。Die 是通过引线连接到外部的引线框的,也就让这种封装方式称为“引线键合(wire-bonding)”,后文还将详细介绍。 下面这颗芯片是 Intel 8008,应该是最早的一批现代微处理器了。注意这颗芯片就采用了具代表性的 DIP 封装。类似于这种看起来像蜘蛛形态的半导体器件,那就表明是 DIP 封装了。 Intel 最早的微处理器,8008 家族 这样的金属片会焊到 PCB 板上,令其与其他电子器件和系统其余部分连接。下面这张图展示的,就是焊到 PCB 板上的样子。 PCB 本身通常由铜和非导电材料层积而成。PCB 能够从不同位置导通电信号,实现 PCB 板上的器件互联互通。PCB 板上不同电路器件之间会有很精细的线路连接,这些线路嵌入在主板上,扮演着导管的作用。上图的这个模块自然是封装过后的器件,不过其实从系统层级来看,PCB 板也可认为是最高层级的封装形式。 DIP 的传奇故事当然不止于此,不过接下来我们就来谈谈下一个时代的封装技术:表面贴装(Surface Mount Packaging)吧。 表面贴装(1980s-1990s) 表面贴装简称 SMT。顾名思义,表面贴装是直接贴装到 PCB 的表面上。这样一来 PCB 板能容纳更多组件,单基板实现了更低的成本。下面这张图就是典型的表面贴装应用。 这种封装方案有很多不同的变体。在半导体创新发展的全盛时期,这样的封装技术在较长时间里扮演着重要角色。这里需要注意的是,原本 DIP 上的两排引线框,换成了 4 边都有了引线。值得一提的是,封装技术的发展,在于占据越来越小的空间,同时增大连接带宽。每次技术演进,都是期望在这方面做文章。 这项工艺曾经是手工完成的,当然现在已经高度自动化了。除此之外,这项技术其实也给 PCB 带来了不少问题,比如说 popcorning。Popcorning 是指塑料封装内部存在的湿气,在焊接过程中被加热,则导致在快速加热、冷却的过程里,PCB 产生问题。此处值得一提的是,每次封装工艺进步,都意味着复杂度在增加、出错率也在增加。 BGA 封装(1990s-2000s) 随着半导体性能持续进化,封装技术的要求也越来越高。在此期间 QFN(quad-flat no-leads,方形扁平无引脚封装)和其他表面贴装技术其实也在持续发展,不过我想介绍一下随后的封装技术——这些封装设计也成为后续技术发展的开端。首先是 BGA 封装(Ball Grid Array packaging,球柵阵列封装)。 这些球或者说凸起,名为焊接凸点/焊球 这就是 BGA 球柵阵列的样子,可以直接把一片硅和 PCB 连起来,或者是连接到 PCB 板更下层的基板上,而不像之前的表面贴装技术那样只能局限在四边。 所以 BGA 封装本质上也属于封装技术发展的必然,即占据更小的空间、达成更多的连接点。BGA 封装是把一个封装模块直接连接到另一个模块(译者注:也就是 PCB)上,而不再是通过精细的连线。这样一来能够达成更高的密度、更好的 I/O 表现,与此同时也增加了复杂度——BGA 封装是否正常工作是需要仔细检查的。此前 BGA 封装需要从视觉上去观察和测试。现在我们已经看不到封装的样子了,需要藉由 X 光等更复杂的技术来进行检查。 像焊接凸点这样的方案,目前仍然是键合的一个主要技术,是模块之间互连最常见的类型。 现代封装(2000s-2010s) 接下来就该谈谈当代的封装技术了。其实前文谈到的不少方案今天依然在应用,只不过当代涌现出了更多的封装类型——其中的一些技术将来也会变得更普及。接下来我就谈谈这些技术。需要指出的是,其中的一些技术其实在很多年以前就已经发明出来了,但受限于成本,此前一直没有广泛应用。 倒装芯片(Flip Chip) 这应该是现在你们经常看到或者听到的一种常见的封装技术。很高兴我能在这儿给倒装芯片下个定义,因为我还从来没有在别的地方看到对这项技术满意的解释。芯片倒装是由 IBM 发明的,经常被简写成 C4。实际上芯片倒装并不是一种独立的封装形式,它描述的是某一种封装形态。它也需要搭配 die 上的焊接凸点。互连不是通过引线键合达成的,而且在封装的时候,芯片是翻转过来,面朝其他芯片;两者中间当然需要连接介质;所以被称作“倒装”芯片。 这句话可能还是很费解,所以我打算举个例子——来自维基百科,我觉得是比较好理解的。我们来谈谈这其中的步骤。 1.首先 IC 从晶圆上造出来; 2.芯片表面形成金属层的 pad;(译者注:原句为 Pads are metalized on the surface of the chip) 3.Pad 上沉积出焊接点; 4.把芯片从晶圆上切下来; 5.把芯片倒过来,如此一来这些焊接球就面向了电路; 6.焊接球再度融化; 7.然后再填充绝缘的胶粘剂 (译者注:个人感觉这个解释仍然不够完备,尤其是没有解释为什么要这么做,以及到底什么样的芯片用了倒装方案。实际上我们现在所见的很多基于尖端工艺的芯片,比如 Intel 酷睿处理器基本都是芯片倒装。另外,某些企业也将芯片倒装称作“先进封装工艺”...这部分将在未来翻译的文章里做更详细的解释...) 引线键合 注意倒装芯片和引线键合(wirebond)是不同的。还记得上面的 DIP 封装吗?那就是基于引线键合,die 藉由引线连接到另一片金属上,最终焊接到 PCB 板。引线键合已经不是某一种特定的技术方案了,而是一类技术的统称,可以衍生出各种不同形态的封装方案。我认为,这是描述倒装芯片最好的方法。引线键合相对于倒装芯片而言,是某种前置技术(译者注:原句为 Wirebond is a precursor to filp-chip to be clear;这句话可能也是着重在表达这两个词是不同层级的描述方式)。 这部分了解到这个程度也就可以了。实际上每种形式的封装方案都有不同的变体。顺带一提,KLIC(库力索法半导体)是这一领域的市场领导者,谈到旧封装技术,就应该想到这家公司。 先进封装(2010s 至今) 进入“先进封装”半导体时代还是相当漫长,我期望谈谈某些高层级的概念。这里面其实有多个层级的“封装”要谈。前面我们在谈的绝大部分封装,是专注在芯片到 PCB 的封装;而先进封装要从手机开始说。 从各个层面来看,手机都可以说是先进封装诞生的巨大前提。这其实也很合理,毕竟手机是以那么小的体积装下那么多的晶体管和硅相关技术,比笔记本和电脑密集多了。而且一切都需要被动散热,还必须尽可能地薄。每年苹果和三星都会发布性能更强、但外形更薄的手机,这也就驱动了封装技术的发展。我下面要谈的很多概念都是从智能手机封装开始的,并且最终将这样的技术在半导体行业的更多应用上普及开。 芯片级封装(Chip Scale Packaging,CSP) 芯片级封装描述的范围其实比较广,原本的意思是达到芯片尺寸的封装。其确切定义应该是描绘某一个封装模块,其尺寸不大于内部 die 尺寸的 1.2 倍,必须为单 die 且可连接。前面其实已经引入过 CSP 的概念了,就是在倒装芯片的部分。不过 CSP 还是藉由智能手机,将技术带到了新的高度。 本世纪 10 年代,CSP 几乎成为一种标准;上面这张图的一切封装尺寸,都大约是芯片 die 尺寸的 1.2 倍左右,极尽所能地节约占板面积。CSP 也有多种不同类型,包括倒装芯片、right substrate(?这是啥,欢迎评论补充)等其他技术。不过其实知道其中细节对你们应该也不会有多大帮助。 晶圆级封装(Wafer-level packaging,WLP) 这里其实还有一种更小的方案,属于“终极版”芯片级封装尺寸,或者可以叫晶圆级封装。基本上就是将封装直接放到 die 身上;在此,封装就是 die 本身。它比最高层级的 I/O 还要薄,显然也非常难于制造。先进封装解决方案当前仍在 CSP 级别,但未来将完全转向晶圆级。 这样的进化方向很有趣,封装某种程度上是被硅包含在内了。芯片即为封装,封装即为芯片。这样的方案比在芯片上焊个锡球就贵多了,那为什么还要用这样的方案呢?为什么我们还在追求高级封装呢?(译者注:个人感觉,这番解释还是有点问题) 先进封装:未来 这也是我之前一直在说的一个趋势。异构计算并不仅是架构专用化,还在于怎么将这些专用芯片放到一起。先进封装就是其中非常关键的技术。 我们来看看苹果 M1 芯片,典型的异构计算芯片,而且还配了统一内存架构。M1 出来的时候,我并没有感觉到多惊讶,它只是异构计算的典型代表。M1 的确表明了未来的方向,很多芯片设计也将很快追随苹果的方案。SoC(System on Chip)本身并不能说是异构,但采用定制化的封装方案,把内存放到 SoC 旁边就是异构了。(译者注:对这个说法深表不赞同) 这张图虽然是宣传图,但注意 PCB 上没有出现引线,应该是因为 2.5D 集成的关系(译者注:个人认为,这个说法应该也不对;苹果的这种统一内存充其量就是从基板走线的 2D 封装) 先进封装方案中比较具有代表性的另一个产品是英伟达 A100,注意 PCB 板上同样没有出现引线。 下面这段话来自英伟达的白皮书: A100 并没有像传统方案那样,在 GPU 芯片周围放上好几个独立的内存芯片(如 GDDR5 GPU 显卡设计),而是采用 HBM2 内存——这种内存本身在垂直方向就叠了多个内存 die。这些存储 die 通过一些很微小的“线”连接起来(基于 TSV 硅通孔和 microbump 微凸点)。1 个 8Gb HBM2 die 包含超过 5000 个 TSV 孔。然后再用一层有源(passive)硅中介(silicon interposer),把内存堆栈和 GPU die 连起来。HBM2 堆栈、GPU die、硅中介一起,装到一个 55mm x 55mm BGA 封装中。图 9 展示了 GP100 加上两个 HBM2 堆栈;图 10 则展示了 P100 的 GPU 和内存微观图片。 我们把这段话变成人话,首先要谈谈“高级封装”的两个类别:“2.5D 封装”和“3D 封装”。 2.5D 封装 2.5D 本质上属于倒装芯片的升级版本,不过不是将 die 堆在 PCB 板上,而是把多个 die 放在一层叫做“硅中介(silicon interposer)”的东西上面。下面这张图应当很好地解释了这个方案。 2.5D 就类似于开了个地下通道,通到邻居家里;实际上这个“通道”是藉由凸点(bump)或者 TSV 硅通孔深入到硅中介,然后通过硅中介把你和你的邻居连起来。这种方案在速度上当然不会比直接在芯片内部通信更快,但其输出表现取决于封装性能,两颗 die 之间的距离缩短、连接点增多。其价值还是比较大的。其中一个好处在于可以用“known good die”,或者说把更小片的 die 封装到一起,形成一个更大的封装。之所以这么做会比 1 整片 die 的方案要更优,是因为它让制造变得更容易了,毕竟只需要造小尺寸的 die。 这些小片的 die,常被称为 chiplet(译者注:国内有译作“芯粒”的),你们应该也常听到。如此一来,把较小功能模块的 chiplet 组合到一起,在一块硅基板上对这些 chiplet 进行连接,就构成了 2.5D 封装的芯片。 Chiplet 和 2.5D 封装可能还会应用较长的一段时间。它在各方面都有优势,比如质量、相比 3D 封装工艺更简单,而且成本也更低。另外,这种技术也具备了弹性,比如复用新的 chiplet,通过替换 chiplet 的方式把全新的芯片带到相同的封装之上。AMD Zen 3 就是一个例子,封装本身是类似的,chiplet 可做扩展。但还有个终极版本,3D 封装。 3D 封装 3D 封装乃是封装的超级形态(ultimate ending)。前面谈到的那些封装,其实都是把房子建在地上、一层楼高,然后通过地下室相连;而 3D 封装则是建高楼,按照功能需要做定制化。这就是 3D 封装,封装都建基于 die 本身。这是最快,且具备了能效比的方法;而且用这种方法能够打造规模更大、更复杂的结构,大幅“扩展”摩尔定律。未来或许要实现器件尺寸微缩会有很大的难度,但有了 3D 封装,就能延续摩尔定律。 其实整个半导体市场,已经有了 3D 堆叠的示范:存储器。3D 结构的存储就属于未来的写照。NAND 发展为 3D 结构的原因就是器件尺寸微缩难度变得很大。把存储介质想象成大型的 3D 高楼,每一层都通过电梯相连——也就是 TSV 硅通孔。 这就是未来的样子,甚至有可能把 CPU、GPU 相互叠起来,或者把存储堆栈放到 CPU 上面。这是最终的发展方向,而且我们很快应当就能达成这个目标。我们应该在未来 5 年内就会看到各种 3D 封装芯片的涌现。 2.5D/3D 封装解决方案一览 我不打算深入去谈 3D/2.5D 封装,还是展示一些已经在用的封装工艺会比较好。我想专注在 fab 厂的工艺上,这些也是驱动 3D/2.5D 集成往前发展的一些技术。 台积电 CoWoS 这应该是 2.5D 集成工艺的主力技术,赛灵思是采用该技术的先驱。 这项工艺主要是把所有的逻辑 die 放到一片硅中介上,然后再放到封装基板(package substrate)上。其上所有组成部分都通过 microbump(微凸点)或者焊球来连接。这是比较典型的 2.5D 结构。 (译者注:这里其实如果能够列举硅桥方案会更好。因为并非所有的 2.5D 封装都需要藉由硅中介来实现。不过未来高级封装技术的系列文章还是会仔细去谈这个部分的) 台积电 SoIC 这是台积电的 3D 封装平台,属于比较新的技术。 注意下图中的 bump 密度和键合间距(bonding pitch),SoIC 的这两个参数与倒装芯片/2.5D 封装相去甚远,基于密度和尺寸都属于前道工艺。 下面这张图则对其技术做了对比,SoIC 的确实现了芯片之间的堆叠,而不单是通过硅中介来实现 2.5D 集成。 三星 XCube 三星这些年也成为很重要的 foundry 厂, 这则视频 是其 XCube 技术的展示。 这则视频呈现的信息其实不多,不过要指出的是英伟达 A100 就是基于三星的这项工艺,这应该也是英伟达最近的一些芯片采用的技术方案。另外值得一提的是,三星可能是在 TSV 硅通孔技术上经验最多的企业,毕竟他们在 3D 存储平台上积累颇多。 Intel Foveros 最后要谈的是 Intel 的 Foveros 3D 封装 。未来我们应该还会看到更多这项技术的身影,尤其是 Intel 未来的 7nm(译者注:已更名为 Intel 4)及其 CPU 混合架构。Intel 也在 Architecture Day 上谈到了这会是他们未来发展的重点。 (译者注:这里之所以提到混合架构,也就是一般人所说的大小核设计,是因为 Intel 最早的大小核芯片 Lakefield 其实就用到了 3D 堆叠,具体可 参见这篇文章 ;不过目前混合架构的 Alder Lake 并没有采用这项封装技术) 比较有趣的是,其实三星、台积电、Intel 在 3D 工艺方面的差别并不是特别大。(译者注:对这一说法持严重怀疑态度) 先进封装的赢家 先进封装,在流程中实际上属于“中道(mid-end)”技术(译者注:mid-end 是相对于 frond-end 和 back-end 而言的,如下图所示)。技术本身是在发展中的。 以前,封装预算是被排除在 WFE(Wafer Fab Equipment)预算之外的;但从 2020 年开始,也开始把晶圆级封装包含在内。这本身就是风向变化的一个信号,以及中道工艺变得重要的原因。中道的另一个定义是 BOEL(Back End of Line)。要了解封装相关企业信息,可以 参见这篇文章 。
  • 热度 2
    2020-12-10 11:17
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    配图来自Canva可画 在最近多部热播韩剧的镜头里,经济实力强大的男主、女主、男配、女配等都用上了三星友情赞助的折叠屏手机,彰显其金钱以及走在时代最前沿的身份地位。而生活拮据的男主、女主等人,为了符合角色设定自然还是用最普通的智能手机。 其实,早些年前折叠屏手机的概念就已经出现过,但是当时技术尚未成熟,消费者也只能够惊艳并期待,没有实物可以摸索。折叠屏手机是平板和手机的结合,学习、娱乐两不误,拥有一款折叠屏手机对很多人来说是一个不错的选择。 当前,三星的折叠屏手机无疑是处于行业领导者的地位,不仅将概念转变为现实,成功量产,而且逐年升级换代,比如Galaxy Z Fold2 5G、Galaxy Z Flip(5G)和W21 5G。 不过,三星的折叠屏手机发展并未一帆风顺,相反关于三星折叠屏手机各种问题的报道此前也多次出现过。而华为、柔宇、中兴等手机厂商的聚焦,都不得不让三星紧张起来。此外,折叠屏手机面临的诸多技术难关,也成为了整个行业快速发展的阻力。 各家角逐越发激烈 2018年,国产屏幕厂商柔宇科技在北京国家会议中心发布了全球首款折叠屏手机——FlexPai柔派,被载入折叠屏手机历史重要时刻。此前,两大巨头华为和三星为了载入史册,正相互角逐当中,没想到却杀出了个柔宇。 据悉,全世界范围内,既能做折叠屏手机,又能自主生产柔性屏的企业,目前只有两家,一家三星,另一家则是柔宇科技。目前,只有三星、华为、微软、摩托罗拉、柔宇5家发售了折叠屏手机,而其他企业,如小米、OPPO、中兴等仍在积极筹备当中。 其中,三星折叠屏手机发售的款式是最多的。三星共有5款:Galaxy Z Fold2 5G、Galaxy Z Flip(5G)、W20/21 5G、Galaxy Fold;华为有两款:Mate X和Mate Xs;柔宇也是两款:FlexPai、FlexPai2;微软有一款:Microsoft Surface Duo;摩托罗拉有一款:Moto razr。然而,价格做到万元以下的只有两家:柔宇和微软。 激烈角逐下厂商间的对比也成为热点,比如有外媒曾称三星折叠屏手机不敌柔宇,原因有二,一是柔宇自主研发的柔性屏区别于三星,独特性较强;二是柔宇折叠屏手机低于万元,价格占有绝对优势。 依照目前公开信息来看,苹果小米OPPO等对折叠手机越来越上心,一些新产品的上市时间也越来越近,因此折叠手机赛道只会越来越激烈。 三星很认真 对于折叠屏手机,三星绝对是认真的。一方面,三星是如今全球唯一一家同时具备手机芯片、屏幕、内存、摄像头等各零部件自研能力的品牌,拥有着折叠屏手机的全产业链,集设计与制造为一体。 另一方面,三星官方数据显示,2019年三星全年研发投入资金高达165亿美元,创下历史新高;2020年上半年,研发费用已达145亿美元。据透露,这些支出三星主要用在系统芯片和下一代显示面板的研发上。 而且目前市面上在售的折叠手机中,三星推出的种类是最多的,三星明显已经在折叠手机上采用了机海战术,以抢占正在起势中的折叠手机消费市场。 此前有媒体爆料,三星明年将推出万元以下的折叠屏新机,力求加快折叠屏手机普及速度。由于价格是阻碍目前折叠手机大面积普及的核心原因,而三星推出更便宜的折叠手机,明显是为了吸引更多的消费者。 此外,5G时代下消费者普遍迎来换机期,更便宜的折叠5G手机有望能吃到这部分红利,帮助三星拿下更多的折叠手机市场份额。 激进和质疑 2019年时,三星的首款折叠屏手机Galaxy Fold一经推出就出现了各种故障,导致三星被迫推迟全球发售计划。 据当时的英国《独立报》报道,三星电子首席执行官高东真(DJ Koh)在接受采访时表示,“我承认三星在可折叠手机上出了一些偏差,但是我们正在努力恢复中。”他说,“这件事说起来非常尴尬,Galaxy Fold还没准备好,我就把这部手机推出了。” 有人不禁发出疑问:三星的行为是不是激进了些? 折叠屏手机最为核心的技术自然是折叠屏技术,折叠屏技术如若不稳定,折叠屏手机商用化将面临首要阻挠。“现在的折叠屏是为了折叠而折叠”。OPPO副总裁、中国大陆事业部总裁沈义人曾在去年说道。 从第一款到接下来的几款手机,Galaxy Z Fold2 5G、Galaxy Z Flip(5G)、W20/21 5G等,虽然能看到折叠屏手机技术在不断进步,但用户的吐槽声仍在。 三星虽然靠大量发新品为折叠手机市场营造出了更热的氛围,但是在一些新闻报道和产品测评中,我们仍然能看到类似的评价:当前的折叠手机仍然不够成熟。 未来决胜焦点 目前,虽然市面上的折叠手机越来越多,但是折叠手机还有很多技术升级需要突破,比如折叠次数、折痕处理、铰链技术、面板柔韧性等等。可以说,处于发展初期的折叠手机,未来仍然有非常长的一段路要走。 虽然三星从Galaxy Fold到Galaxy Z Flip,分别实现了横向和纵向的折叠,实现了UTG超薄玻璃技术的实装,不断地对已有的技术进行着改良,探索手机的不同形态,为折叠屏手机领域做出巨大贡献,实属不易。 但是比较可惜的是,就目前来看,折叠手机因为价格和实用性等原因,仍然难以打开大众市场,包括三星在内的大厂因此不得不硬着头皮开垦这块无人区。所以对于三星而言,真正的对手或许不是华为,也不是柔宇,而是行业发展的初级阶段,真正的难题其实是如何让折叠手机的渗透率进一步提高。 整个赛道会越来越激烈,这也意味着三星的突围战会越来越有挑战性,尤其是当苹果、小米等拥有大量粉丝基础的厂商真正下场时,三星的压力可能比现在要大的多得多。 文/刘旷公众号,ID:liukuang110
  • 热度 6
    2020-9-11 11:29
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    眼看着 9 月 15 日,这个美国规定的禁令缓和期的最后一天将至,这个关键时间点对华为的重要性不言而喻。 就在这个节骨眼上,事态又有了新的变化,坏消息一个接一个。 韩系厂商的全面切割? 根据韩国媒体《朝鲜日报》的报道,目前份额最大的两个DRAM(简单来说就是内存)芯片厂商三星与海力士,均可能会受美国禁令影响而不得不停止向华为供货。此前,因为这个禁令,台积电已经切断了与华为海思的合作,余承东早先承认,麒麟9000可能会是这一系列的“绝唱”。 同时,在本月早些时候,美系芯片大厂美光科技证实,将遵循美国针对华为的相关供货,也就是说在2020年9月14日之后,美光也将停止对华为的芯片供应。 2020 年一季度,DRAM市场前三名分别是三星、海力士和美光,三者的份额分别为44.1%、29.3%和 20.1%,合计将近 95%。同时,三星与美光也一直是华为存储芯片的供应商。 你能看到上面的供应链梳理表格中,很多部件都已经实现了国产供应替代,只有屏幕和存储芯片还有美系和韩系厂商的身影。眼看着最后期限将至,很难说特朗普的智囊团们是不是也拿着这样一张表格在琢磨如何彻底堵死华为。 无论是手机、平板、PC还是服务器,没有任何一款设备不需要存储和闪存,如果说手机SoC还能用比较地段、制程相对落后的产品“凑合”,那么对于存储芯片——这个完全被美韩垄断的领域来说,想凑合都没办法。 与之相对应的一则消息是,韩联社 9 月 9 日消息,受美国制裁华为的影响,三星显示器和LG Display 将从9月15日起停止向华为供应高端智能手机面板。由于面板驱动IC芯片属于制裁对象,显示器面板也随之被列入制裁品类目录。一直以来,三星显示器和 LG Display向华为供应部分智能手机OLED面板。LGD近期还开始向华为供应电视OLED显示屏,但因受此次美国制裁影响,预计供货将暂停。 一部智能手机是由多个部件协同组合而成,任何一个环节出了问题,都会对出货量造成影响。韩媒《The Elec》报道,消息人士透露华为计划在2021年只生产约5000万部智能手机,这将比2020年的预估出货量暴跌74%。禁令风波,对于华为的影响,就是这么残酷而猛烈。 唇亡齿寒,韩系供应商也会受到不小的打击。《朝鲜日报》的报道提到,众华为分别占三星电子半导体部门和海力士销售额的6%和15%,DRAM的价格较2018年的最高点已经滑落不少,究其原因是供过于求,半导体行业预测,内存价格可能会在今年下半年稳步下降。如今,少了华为这样一个大客户(2019 年华为是半导体采购额全球第三的公司,仅次于三星和苹果),生意更不好做了。更宏观地看待,这不仅限于内存芯片,整个半导体市场都会面临震荡,这个好不容易走过周期性低谷的行业,要面对系统性的低迷;而显示方面,华为也会快速甩掉韩系供应商,全面转向国产。 可有替代? 正如上文所说,DRAM市场的前三名已经占到了 95% 左右的份额,排名第四的则是南亚科技,市场份额为 3.2%,其他的厂商份额瓜分剩下的蚊子肉。 国产DRAM无法绕开的一家公司是长鑫存储,作为国产DRAM的领头羊,长鑫在2019年12月获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告,将生产国产第一代10nm工艺级8GB DDR4内存芯片,成为国内第一家也是唯一一家 DRAM供应商。 长鑫的不少技术与专利来自于收购,比如拿下了 2009年破产的奇梦达。据台媒报道,长鑫位于合肥的DRAM厂已投资约八十亿美元初期月产约10000 片十二寸晶圆,2020年可望进提升至3万到4万片。而更有消息表示,长鑫预计今年底合肥长鑫的产能就有可能超过7万片晶圆/月。 但是,这依然和主流市场差得远,顶多能把第四名南亚科技作为对标的目标。据日经报道,长鑫今年的支出为15亿美元,两倍于南亚科技,但和美光的90亿美元投入还有明显的差距。 除了长鑫以外,2019年底,兆易创新透露,该公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证,测试成功后将进行大批量产,换句话说,举例上市还得有几年时间。由于存储芯片这一领域都被美韩厂商把控,如若切断供应,短时间内备选难觅。 华为终端面临着全方位的困境,从硬件到软件,从上游到下游,美国人是铁了心,要把所有能堵的路都给堵死。 据FT中文网报道,华为将专注于提供云技术和服务,以在美国对其消费者业务的制裁中生存下来。华为希望云业务成为其生态系统中的第三大支柱,与电信和消费者业务并驾齐驱。而在美国再三升级打击力度,发布出口管制新规以及牵头阻止该公司参与5G建设的情况下,云业务的重要性与日俱增。 云同样是一个竞争激烈,且涉及到诸多敏感资料的业务,但对于眼下的华为来说,确实已经没有太多退路了。 来源:大风号—虎嗅网 http://feng.ifeng.com/c/7zdQu8k01Lm * *有采购芯片需求(样板可售),详情联系芯广场公众号。
  • 热度 6
    2020-8-3 22:30
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    草木本芯 在全球半导体供应链中,韩国企业也处于顶级梯队,特别是在存储领域,是当之无愧的霸主。 韩国半导体的快速发展坚持的是循序渐进的方式, 坚持 引进、合作 与 自主融合 多措并举 , 同时也有抱团发展的特点。就领头羊三星电子来说,供应链垂直整合, 内部 奋斗 与外部 引进 的整合, 反周期扩张策略以及坚强的领导者, 是 其能够 崛起的 成功经验 。 三星是集团化大财阀, 其中 三星电子成立于 1969 年,是最大的子公司。 三星电子涵盖图像显示器、 IT 解决方案、生活家电、无线、网络、半导体及 显示面板 等事业部体系, 时至今日, 其半导体、显示面板、被动元件、移动设备、计算机、家用电器、基站及 IT 等技术处于全球领先地位。 但我们应深刻理解, 三星电子帝国远非一夜 造成 ,而是付出了长期的时间和极大的代价,才一步 一 步在质量、设计和创新等方面积累起优势。 最初,三星 从零开始,向三洋和 NEC 等日企学习黑白电视和真空管的制造,同时不断拓展手表 和 收音机等产品线, 1974 年, 其 业务横向扩展至冰箱、空调和洗衣机产品线, 也在这一年,三星 开始探索消费电子领域的垂直整合, 尤其是 在半导体器件上积累力量。 这个时间点把握的非常好,否则就很难有今日业界的地位, 具体情况我们在分享中国半导体产业发展的时候再对比介绍。 1983 年, 三星 开始制造 PC ,并在长期调研和准备后向日立( Hitach )、摩托罗拉等公司申请 DRAM 授权, 无一例外 遭 到了拒绝 。 不过, 幸运的 三星 获得了美光 64K DRAM 的授权,同时还获得了 Zytrex 公司高速 MOS 工艺的授权。 经过日夜奋战, 三星在几个月内不仅造出了 64K DRAM ,研究团队还 在 逆向工程 的基础上 设计出了 256K DRAM , 仅用两年左右时间 就 摆脱了授权费用,并开始 DRAM 代际突破, 之后经过多年巨额投资, 1993 年成为全球最大的存储器芯片生产商,并为超大规模集成电路( VLSI )制造奠定了基础。 另外在 1992 年,东芝为了应对英特尔的竞争而将 NAND flash 设计授权给三星,三星又一次快马加鞭地学习和赶超,十年后三星 NAND flash 市场份额达到了 54% 。 也 即 从 2002 年开始,三星成为全球 DRAM 和 NAND flash 的霸主,并一直延续至今。 在半导体器件上发力的 同 时 ,三星涉足车载电话研发, 法宝依然 是针对东芝 的 产品进行逆向工程, 然而这一次, 产品 出现了严重 质量缺陷。但团队没有放弃,又开始研究借鉴摩托罗拉手机的技术,并利用汉城奥运会的巨大商机,推销了几千台,可问题是质量依然不过关 …… 手机业务还能继续下去吗? 陷入困境的 研发人员 几乎要绝望了 , 但还是抱着放手一搏、虽败犹荣的信念, 持续探寻手机信号不好的原因。 另一方面,雄心万丈的 李健熙和 三星 高层在多方调查和咨询后,也转变了过去多年靠低成本模仿发展的 理念 ,决心走高质量、高附加值的发展路线, 向员工提出 “ 除了老婆和孩子,一切都要变 ” 的要求,并向手机部门下达任务 “ 到 1994 年生产出可与摩托罗拉相媲美的手机,否则就退出手机市场 ” 。 最终, 手机部门成功推出 了 SH-700 、 SH-770 Anycall 等产品, 1995 年三星取代摩托罗拉成为韩国手机市场的头牌, 不过 那段时间工厂 依然 曾因漏检而流出批量次品,所幸及时的补救、召回和批量销毁举措,及时挽救了声誉,强化了 “ 质量第一 ” 的公众印象。 此外,三星在 1994 年就开始跟 英国 ARM 公司开展广泛合作, 1996 年将 ASIC 用在 DVD-860 上击败了东芝、松下和先锋等竞争者,并乘势将 ASIC 技术扩展到手机领域。三星手机逐渐成为多种先进半导体技术的集大成者: DRAM 、 flash 、 ARM 内核和 ASIC ,以及电视和显示器业务中的小型化 LCD 面板的加持,这是纵横交错的产品和技术完美融合的成果。 供应链的垂直整合最初是为了应对处于组装末端或低技术环节的被动局面以提升竞争力, 比如 存储 、芯片、晶圆、显示面板等巨无霸业务,均是通过巨额投资和巨大代价才逐步积累起竞争优势。但在行业低谷或产品快速迭代时,会遇到产能闲置或技术过时的问题。如何充分利用产能, Cover 成本,稳定收益,紧跟行业节奏成了巨额投资绕不过的课题。 三星在 DRAM 获得成功后又第一时间把握了 flash 供应链的机遇,在学习了 flash 技术之后,于 1999 年推出了 MP3 播放器,并推出了一款带有集成 MP3 播放器和 16/32MB flash 的 PCS 手机( Personal Communications Service ),这有点左右互博的味道。两年后,苹果的 i pod 播放器也来了,三星以极大决心和诚意与苹果合作,开足马力为其供应 flash ,抢占 了 大部分市场。 这一举措 稳固 了 与业内领袖的合作,释放 了 晶圆产能,提升 了制程 工艺,真可谓一举多得。稍后几年,其 Arm 芯片也与 i phone 互相搭便车,并悄悄地将晶圆代工能力社会化,到 2005 年,宣布与高通合作。 在智能手机初世代,三星尝试了 Symbian 、 Palm OS 、 Windows Mobile 、 J2ME 及 Android 等各种系统,这 既 是迷失 和资源的浪费, 也 充分体现了 智慧 和高明之处 , 后来事实证明,功能机 一代雄主诺基亚出局了,老二 三星 却 能 “ 千年不朽 ” , 甚至登顶。 与此类似的还有 数码相机 业务 , 在智能手机之前数码相机相当火爆,三星也及时地跟进,并有所斩获。后来数码相机的大部分市场被手机抢占了,三星也就基本退出了。在终端产品上三星 很少 有像索尼、苹果那样的 革命性原创,但前卫市场 也 从 未 缺席 过 , “ 可能会迟到,但从不缺席 ” 这相当明显。智能手机 从最初的模仿跟随、怀疑和白眼,到 2014 年获得近 21% 的市场份额和领导地位, 20 年纵横捭阖与设计创新,足以与世界上任何一家厂商相媲美。 手机和半导体行业 瞬息万变 , 在许多情况下, 三星既是 零配件 供应商又 同时参与终端产品的 竞争, 处理好纷繁复杂的关系需要灵巧的艺术,更需要强大的实力。 经过数十年持续不懈的努力,三星已能在存储器、面板、以及 IC 制程等多个环节对全球供应链进行支配,甲方终端客户为了实现产品领先和市场目标,还要时不时地倒过来求助于三星,而三星则稳坐钓鱼台,一方面兼顾自家终端产品和零配件的市场和技术、兼顾总的收益和长远收益;另一方面会平衡对各客户、同时也是竞争对手的支持力度,避免一家独大威胁到自身利益。为了集团利益的总目标,三星经常会灵活地 调整 应对策 略。 与此同时 , 三星的 基带计划也酝酿了好几年,更先进的 SoC 之外,三星还决心进军智能手表和物联网等其 它 增长领域 。 当然,我们不能一味眼红人家躺着赚钱的好日子,正所谓家家都有难念的经,每家企业光鲜亮丽的 背后 也一定有惨痛的 教训和血泪 史 , 除前面提到 早期移动电话业务遇到的质量关之外,三星 DRAM 业务 在初期也经历了 长 期巨大 的亏损, 但 李健熙 等人通过对市场的深度研究,以及对技术优势的把握,下决心赌一把,采取反周期扩张策略,此前 高价时缩减产能, 积蓄资本,在行业低迷时低成本扩大 扩大产能, 低价 消灭对手, 几年后改变了竞争格局,获得定价权。半导体行业大约每 10 年一个荣枯周期,在每次行业低迷时,三星均会进行逆势扩张。这种策略可以说是三星成功的一大法宝,但实际操作起来并不容易,需要资金、人才、技术储备和耐心等的配合。 三星显示面板业务的发展史 也是对长期战略的一个佐证。 面板产业链投资十分巨大,韩国企业采取了抱团发展的模式。 1987 年, 当三星 进入液晶面板( LCD )领域时,日企已深耕多年,掌控着核心技术和量产工艺能力, 面板 行业有着极高的技术和资本壁垒,数十亿美元的投资一不小心就会化为乌有。为了学习技术,三星在日本设立了一个研发机构,利用产业衰退期,雇佣失业的日本工程师,积累研发能力。 与此同时广泛参与技术合作,签订长期合同,建立策略性联盟,进行业务垂直布局,一步步向主流靠拢。 1995 年和富士通签订交叉许可协议, 1996 年与美国康宁合资生产熔融玻璃基板, 为实现面板业务的战略目标,三星 各事业部通力协作, 三星 Techwin 投资光刻机设备,三星显示制造彩色滤光片,而三星电子提供驱动电路。 同时 “ 反周期投资 ” 帮助 三星 获得了巨大成功。 1997 年亚洲金融危机爆发,面板市场萧条,日系厂商面临窘境,三星、 LG 和现代果断投入数十亿美元,建设大尺寸生产线, 一举 扭转 了 局面,两年 以 后 全面 超越 了 日企。 韩企疯狂的投资让困境中的日企 艰难度日 , 于是日企就 扶植台企进行阻击, 但预期目标未能实现。 温情脉脉、狐疑不决从来都不是 商战 的本质。 韩企率先在 19 98 年建成 3.5 代线, 20 02 年建成 5 代线,并将 TFT-LCD 成功引入彩电业。 直 到此时,产业先行者才真正回过神来, 急红眼的 夏普, 直接 越过 5 代线建 6 代线,此后几年三星和夏普展开投资竞赛,交替领先。但 几年后, 08 年金融危机爆发了,行业再次大洗牌。 此时, 中国面板 业 供应链在 饱经磨难、 饱受劫掠后开始凤凰涅槃。如今液晶面板在电脑、电视、手机、数码相机、摄像机、移动多媒体、广告显示屏等大量电子产品上普及,同时 OLED (有机发光二极管)技术也逐步成熟,三星等韩企及时转型,在 OLED 面板领域重兵布局, 在 LCD 领域进行 战略 大 撤退。此外,三星的电子业务还在 MLCC( 多层陶瓷贴片电容 ) 等被动元件、 CIS ( CMOS 影像感测器)等领域也取得骄人成绩。 表面 来 看,三星简直强大到无以复加的地步,但 2019 年日本宣布对韩企断供 “ 氟聚酰亚胺 ” 、 “ 光刻胶 ” 和 “ 高纯度氟化氢 ”3 种材料,其中氟聚酰亚胺(业内称为 PI )是柔性 OLED 的基板材料,另外两种材料也是半导体制造不可或缺, 这让三星后背直冒冷汗。同样受到威胁的还有 SK 海力士和 LG 等半导体企业。 这再次印证了半导体供应链国际分工的精细性和复杂性,整个体系环环相扣,只要任一环节出现问题,产业就面临休克的威胁。有国际分工和充分竞争才能产生效率,但也带来了风险。一个经济体如何兼顾供应链的效率和管控风险?道理容易理解,但落到实处相当难, 需要长期坚持科学发展、均衡发展和持续发展,将这些精神和文化固化下来,避免半途而废,避免“行百里者半于九十”。 据 Gartner 数据, 2018 年三星电子半导体营收达 759 亿美元, 营收居全球第一位, 市场份额达 15.9% ,而 SK 海力士( SK 、 hynix ) 当年的 营收达 364 亿美元,市场份额为 7.6% ,二者合并营收约占全球市场份额的 1/4 。 SK 海力士主要研制 DRAM 、 NAND Flash & CIS 等半导体产品,营收居全球第 三 位,源于 1983 年成立的现代电子, 1999 年收购 LG 半导体, 2001 年从现代集团分离出来,更名为海力士半导体 ,2004 年将系统 IC 业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商 , 2012 年 SK 集团入主。 LGD 显示公司( LG Display )源于 1985 年的金星软件,是薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 面板、 OLED 、 flexible 显示器的领先制造商。 另外知名的韩国半导体企业还有美格纳 M agnachip ,其源头属于 1979 年成立的 LG 半导体、以及 2004 年的海力士的一个业务部门,现在主要提供驱动 IC 和电源管理 IC 。 三星、 SK 海力士 和 LG 是韩国半导体业的三雄,这些龙头企业 均从属于多元化经营的大财阀, 不可忽视的还有, 在当年产业化的过程中,政府强有力的方针政策,大力推进“政府 + 大财团”的经济发展模式,并推动“资金 + 技术 + 人才”的高效融合。 其今日之成果是由产业政策 + 企业家精神等因素共同造就的。 财团的 业务纵横交错,抱团发展,形成产业链集群,在数十年时间里从无到有,并 爬 升到 全球 第一梯队,掌握 了 定价权和战略主动权。 整体来看,韩国半导体企业在发展的关键阶段是幸运的,外部没有“巴统”或“瓦森纳”之类技术禁运的桎梏。同时也应看到, 领头羊三星电子历经半个世纪、两代人的接力奋斗,才崛起 成 为品牌、技术和供应链综合实力世界一流的企业。但即便如此,在瞬息万变和周期性极强的电子业,也不敢有丝毫懈怠。强大如三星,一不留神,也还是会有断粮 或局部休克 的风险。 以上这些都 非常值得我们深思和镜鉴。 喜马拉雅听书 中录播了 “半导体供应链的秋月春风”同名 专辑,方便一起交流学习, ⭐ 谢谢 ⭐ 参考文献: 1 、三星芯片发展史的启示:从借鉴到自主研发,第一财经百家号, 2018-04-22 2 、三星半导体发展史(摘自《手机风暴》( Mobile Unleashed ), OnePlusZero 2019-02-19 https://www.semiwiki.com/forum/content/7994-detailed-history-samsung-semiconductor.html 3 、 40 年称霸世界半导体行业,三星凭什么 ? 360 个人图书馆,铁血老枪, 2018-07-30 4 、一张图了解三星半导体发展史, 360 个人图书馆,细雨青衫, 2017-9-28 5 、 韩国半导体三大关键材料被日本卡脖子,中国企业有机会吗?天下网商搜狐号,张超, 2019-08-08 6 、 韩国电子制造业简史:曾与美国同台竞技,又为何被日本钳住咽喉? 2019-07-19 7 、关于三星半导体发展史分析介绍 , 半导体科技评论• djl• Daniel Nenni • 2019-08-28 http://www.elecfans.com/d/1010243.html 8 、以史为镜与三星半导体 30 年崛起之路,爱否科技 FView 企鹅号, 2018-4-24
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    2020-7-13 11:34
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    7nm究竟是指晶体管的哪部分?14nm是7nm的四倍?
    其实我之前发 7nm 工艺介绍相关的文章 的时候,就提到过:我们说 7nm 工艺,那 7nm 这数字究竟还存在毛意义?它大概除了用于表现在市场上某一个工艺节点,数字本身已经没有任何意义了。至少,台积电、三星的 7nm 节点上,晶体管并不存在任何一个物理参数是 7nm 的。那它有什么资格叫 7nm 呢? 原本针对这一点,我也挺想花时间去研究一下的。不过前一阵发现 Linus Tech Tips 对此专门发表了一则视频,我觉得讲的特别清楚。这则视频内容构成,也获得了 Intel 两名工程师的协助。作为一名称职的搬运工,我将此视频的内容做浓缩,有兴趣的还是欢迎拉到文末去看看原视频: 在 1997 年以前,几点几微米,或者几百纳米,那的的确确是指的晶体管上面的 gate 的长度(gate 在大陆叫做栅,在台湾叫做闸,我个人觉得闸是个明显更好的译法),注意是长度(图上标的 Lg,当然了,这已经是 FinFET 结构了,但大致意思不变)。 而在 1997 年以前,工艺数字的步进是以每代是上一代的 0.7 倍为节奏的,因为 0.7x0.7 约等于 0.5,也就是晶体管整体面积相比上一代缩小一倍——就是当年摩尔定律所说,工艺迭代面积小一倍,性能增一倍。当时的工艺在 350nm,也就是 0.35μm。 1997 年以后,gate 长度的缩减速度更快了——至少快于 0.7 倍步进这个节奏,但晶体管的其他部分尺寸却未能按照这么快的速度去减小。所以 gate 长度这个时候对于衡量晶体管尺寸的意义已经没那么大了。后续的工艺节点数字,命名开始逐步用于反映一组晶体管构成的单元尺寸(而且通常是最高密度单元库),即便单元本身的尺寸和这个数字相去甚远。 奔腾 3 处理器的 250nm 即是这种规则下的数字,这个数字本身实际上大约是上一代 350nm 的 0.7 倍。因为这代工艺的性能大约等于上一代的两倍——所以取 0.7 倍这个数字也是十分合理的(假装面积也小一倍)。但 250nm 节点的 gate 长度实则大约为 190nm,而不是 250nm。 2012 年,22nm 节点问世,随即而来的是一种新型的晶体管,也就是 FinFET。这种 3D 结构,要用一个数字来衡量尺寸的难度其实就更大了。但业界仍然在遵循 0.7 倍的命名原则,包括 14nm、10nm。到这一时期,这些数字就几乎不存在任何实际意义了——或者说,其实际意义显然已经不大了。 所以看我之前写的 7nm 工艺的文章中,你就会发现,现在的晶体管,并不存在任何一个组成部分的长宽高是 7nm...而实际上,如果我们要追求晶体管上某部分参数的最小值,恐怕可以看一看 fin 宽度。比如 Intel 的 10nm 工艺,晶体管的 fin 宽度为 7nm——应该是整个晶体管上,与 10nm 这个名义上的值最接近的部分了。而其他组成部分的差距就比较大了,比如说相邻 fin 间距是 34nm,gate 长度是 18nm,gate 间距是 36nm 等等。 来源:Intel 不过似乎不同的厂商仍有一些自己的坚持,Intel 在工艺节点的命名上,更期望它能够大致表达 Std Cell 标准单元尺寸。 不同芯片制造商,针对这个数字节点的态度是不一样的。所以台积电、Intel 之间的这个节点数字就不能直接比较,这个想必很多同学是知道的。比如我们一般认为 Intel 的 10nm 与台积电的 7nm 属于同代工艺;而三星规划中的 4nm 工艺,在晶体管密度上实则可能还比不上 Intel 的 7nm。 现在应该考虑一些更重要的参数,包括晶体管密度,以及材料方面的提升用以加强性能,还有结构上的提升,让电子通过地更快。这些其实在节点数字上不会表达出来,典型如 high-k metal gate、FinFET 结构本身之类的。 所以别再说出,14nm 是 7nm 两倍(或者面积是 4 倍)这种话了亲爱的们。 早前一直期望花时间去翻译 Wikichips 写的 Intel 7nm/10nm 相关技术文章,让更多人了解 Intel 的 10nm 和 7nm 的一些物理参数和相关技术。但毕竟文章巨长,而且我还要好好去消化和查更多资料。而且最近太忙了,估计这文章下个月才能问世,也发在面包板上吧... 原视频: Should You Believe CPU Marketing? - Linus Tech Tips 更多参考: Intel's 10nm Cannon Lake and Core i3-8121U Deep Dive Review - AnandTech
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