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电阻 、 电容 、 电感 是常见且重要的无源器件，本系列文章将分为三篇分别介绍这三种元件的详细的基础知识。本文将从 电容器 的型号命名、分类、常用电容等五个方面详解电容器。 电容是 电子 设备中大量使用的 电子元件 之一，广泛应用于隔直， 耦合 ， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制 电路 等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF），1F=10^6uF=10^12pF 一、电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 二、电容器的分类 按结构分三大类 ：固定电容器、可变电容器和微调电容器。 按电解质分类有 ：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。 按用途分有 ：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 高频旁路： 陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。 低频旁路： 纸介电容器、陶瓷电容器、 铝电解电容器 、涤纶电容器。 滤 波： 铝电解电容 器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体 钽电容器 。 调 谐： 陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 高频耦合： 陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。 低频耦合： 纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体 钽电容 器。 小型电容： 金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。 三、 常用电容器 1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化 氧化 膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。容量大，能耐受大的脉动 电流 容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波 2、钽电解电容器 用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈 短路 状态超小型高可*机件中 3、 薄膜电容器 结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差 滤波器 、积分、振荡、定时电路 4、瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受 振动 会引起容量变化特别适于高频旁路 5、独石电容器 （多层陶瓷电容器）在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路 6、纸质电容器 一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量 一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路 7、微调电容器 电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用 8、陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压 击穿 。高频瓷介电容器适用于高频电路 云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。频率特性好，Q值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器 9、 玻璃釉电容器 由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008 。 四、电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。 五、电容器容量标示 1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。 2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF，1p0表示1pF，6P8表示6.8pF， 2u2表示2.2uF. 3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。 下一篇分享：【无源元件之—— 电感 知识 详解 】，如果觉得内容还不错有价值，请点赞收藏，欢迎 评论交流，也请动动小手指转发分享让更多伙伴一起学习吧~

电阻、电容、电感是常见且重要的无源器件，本系列文章将分为三篇分别介绍这三种元件的详细的基础知识。本文的电阻介绍将会从电阻的型号命名、分类、主要特性参数、电阻器阻值标示方法、常用电阻器。 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分 ： 序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1（或00）、±2%-0.2（或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。 9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。 四、电阻器阻值标示方法 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。 表示允许误差的文字符号 文字符号 D F G J K M 允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20% 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。 五、常用电阻器 1、电位器 电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。 1.1 合成碳膜电位器 电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单，是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 1.2 有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 1.3 金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 1.4 绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 1.5 金属膜电位器 金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。 1.6 导电塑料电位器 用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 1.7 带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器 1.8 预调式电位器 预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 1.9 直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值。 1.10 双连电位器 有异轴双连电位器和同轴双连电位器 1.11 无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。 2、实芯碳质电阻器 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 3、绕线电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 4、薄膜电阻器 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 4.2 金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 4.3 金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。 4.4 合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 5、金属玻璃铀电阻器 将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。 6、贴片电阻SMT 片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。 7、敏感电阻 敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等。 7.1、压敏电阻 主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。 7.2、湿敏电阻 由感湿层，电极，绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性，较少使用。氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。 7.3、光敏电阻 光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。 7.4、气敏电阻 利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。 7.5、力敏电阻 力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言，合金电阻器具有更高灵敏度。 7.6、热敏电阻 热敏电阻是敏感元件的一类，其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的变化，具有半导体特性。 热敏电阻按照温度系数的不同分为： 正温度系数热敏电阻（简称PTC热敏电阻）和负温度系数热敏电阻（简称NTC热敏电阻）。 正温度热敏电阻（PTC Thermistor） PTC是PosiTIve Temperature Coefficient 的缩写，意思是正的温度系数，泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件。通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻，简称PTC热敏电阻。 PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻，超过一定的温度（居里温度）时， 它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。 PTC热敏电阻根据其材质的不同分为： 陶瓷PTC热敏电阻和有机高分子PTC热敏电阻。 目前大量被使用的PTC热敏电阻种类： 恒温加热用PTC热敏电阻 过流保护用PTC热敏电阻 空气加热用PTC热敏电阻 延时启动用PTC热敏电阻 传感器用PTC热敏电阻 自动消磁用PTC热敏电阻 一般情况下，有机高分子PTC热敏电阻适合过流保护用途，陶瓷PTC热敏电阻可适用于以上所列各种用途。 负温度热敏电阻（NTC Ther mistor） NTC是NegaTIve Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件。通常我们提到的NTC是指负温度系数热敏电阻，简称NTC热敏电阻。 NTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻，它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的减小。 NTC热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。 NTC热敏电阻根据其用途的不同分为： 功率型NTC热敏电阻 补偿型NTC热敏电阻 测温型NTC热敏电阻 下一篇分享：【无源元件之——电容器基础知识】，如果觉得内容还不错有价值，请点赞收藏，欢迎转发分享~

变压器只是一对电感器，它们磁耦合以实现它们之间的电磁感应。借助变压器，交流电压可以以较低的成本逐步升高或降低，而无任何麻烦。升高或降低直流电压需要复杂且昂贵的电路。这就是为什么即使大多数电子设备使用DC进行操作，也使用AC来分配电力。电子设备将交流电源转换为直流以发挥功能。 变压器具有各种形状，大小和构造。可以按铁心材料，几何形状和结构，电压水平和用途对变压器进行分类。 芯构造分类： 叠片铁芯、铁氧体磁芯、铁粉芯、空芯 外形结构分类： 螺线管芯、环形磁芯、锅芯 电压等级分类： 升压、降压、隔离 用途分类： 电力变压器、调压器、电抗器、互感器、专用变压器 一、变压器芯 　　在制造任何变压器时，制造商都试图在两个电感器之间实现最大的磁耦合。通过使用铁磁材料或铁粉作为磁芯，可以将磁耦合提高很多倍。与空心变压器相比，缠绕在铁磁芯上的一对电感器具有更好的耦合系数。但是，铁磁芯的使用有其自身的局限性。铁磁芯由于磁滞和涡流而具有一些能量损耗，并且还受到载流能力的限制。除了这些限制之外，铁心材料的选择还限制了变压器的频率范围。根据使用的铁芯类型，将变压器分类如下 　　 叠层铁变压器： 这些变压器以硅钢为芯材。硅钢也称为变压器铁或简称为铁。硅钢被层压成层，以避免由于涡流和磁滞而造成的损失。涡电流是在磁化时在磁性材料中流动的圆形电流。涡流导致磁芯以热量形式损失能量。磁滞是磁芯接受波动的磁通量的趋势。由于磁滞和涡流的损耗，这些变压器仅适用于音频范围内的60 Hz频率和其他低频。当频率增加到几千赫兹以上时，铁心的内部损耗会增加到超过可行的极限。 　　 铁氧体磁芯： 铁氧体磁芯具有高磁导率，并且需要较少的线圈匝数。但是，在几兆赫兹以上的频率下，由于涡流和磁滞，这种磁芯开始显示出明显的能量损耗。这就是为什么这些变压器适用于音频频率高达几兆赫兹的频率。 　　 铁粉芯： 与铁氧体芯相比，铁粉还具有较高的磁导率和较低的损耗，这归因于磁滞和涡流。随着频率增加，对高磁导率的需求降低。使用铁粉芯的变压器适用于高达100 MHz的极高频率。由于不需要在高于100 MHz的极高频率下实现高磁导率，因此空心变压器因其能效更高而更为合适。 　　 空芯变压器： 在空心变压器中，初级线圈和次级线圈都缠绕在抗磁性材料上。这种变压器中的磁耦合通过空气发生。在这样的变压器中，不仅两个线圈的电感都低，而且互感也非常低，因此线圈之间的磁耦合非常小。这些变压器不会因磁滞或涡流而损失能量，并且还能够调节大电流。这种变压器适用于能源效率是首要问题的高压应用，例如配电变压器。这些也适用于100兆赫以上的超高RF应用。在高射频下，所需的电感值很低，这可以通过空心电感轻松实现。 二、变压器的形状和构造 　　变压器也可以通过其形状和几何形状进行分类。变压器的形状取决于其构造中使用的电感器的类型及其铁心的形状。任何变压器本质上都是缠绕在同一磁芯上的一对电感器。分类如下： 　　 实用变压器： 公用事业变压器是使用层压铁皮作为芯材的电力变压器。这些铁芯变压器具有各种铁芯形状，例如E、L、U、I等，并且体积大而笨重。这些变压器中最常用的铁心形状是E磁芯或EI磁芯，因为叠片铁芯的形状为字母“E”并在“E”的开口端放置了一根棒以完成结构。线圈通过壳方法或芯方法缠绕在芯上。在壳式方法中，两个线圈都彼此顶部缠绕在“E”的中间条上。这确保了线圈之间的最大磁耦合，但以高的线圈到线圈电容为代价。壳法也限制了变压器的载流能力。在磁芯方法中，一个线圈缠绕在“E”的顶部条上，另一线圈缠绕在底部上。线圈之间的磁耦合仅由于穿过铁芯的磁通量而发生。磁芯方法在很大程度上减小了线圈到线圈的电容，并使其有可能处理高电压。具有EI芯且具有壳或芯绕组的公用事业变压器最常用作60 Hz变压器和其他音频变压器。 　　 电磁线圈变压器： 电磁线圈变压器通常用作射频电路的回路天线。这些变压器在圆柱芯（铁氧体或铁粉）上具有初级和次级绕组。线圈彼此缠绕或分开缠绕。在这样的变压器中，初级绕组捕获无线电信号，而次级绕组则为无线电电路的第一放大器级提供阻抗匹配。这样的变压器在便携式无线电通信设备中已经非常普遍。 　　 环形铁芯变压器： 环形铁芯变压器的初级和次级绕组都缠绕在环形铁芯上，线圈可能彼此缠绕或分开缠绕。环形磁芯是射频电路中螺线管磁芯的更好替代方案。它们将磁通包含在铁芯内，因此，只要线圈已绝缘，这些变压器就可以直接安装而无需任何其他屏蔽。除了没有电磁干扰，环形磁芯每圈线圈还提供更高的电感。由于磁通量仍然包含在铁芯内，因此环形铁芯变压器在线圈之间具有更好的磁耦合。 　　 罐式磁芯变压器： 罐式磁芯变压器的主绕组和副绕组彼此叠置或彼此相邻。锅芯可提供最高的电感，并具有自屏蔽的明显优势。锅芯变压器的主要缺点之一是线圈到线圈的电容。由于线圈与线圈之间的电容以及两个线圈的电感异常高，因此锅形铁芯变压器仅适用于低频。在高频下，所需的电感值很低，并且电容电抗必须基本减小。 三、变压器电压水平变压器 　　最常见的应用是调节交流电压。变压器可以升压，降压或保持完整的交流电压水平。这是最简单但最重要的变压器分类。 　　 升压变压器： 在升压变压器中，次级线圈的匝数比初级线圈高。当初级与次级的匝数比小于1时，施加到初级的电压将升至次级中的较高电压。因此，这是以次级绕组上较低电流水平为代价的。升压变压器用于稳定器和逆变器，其中需要将较低的交流电压转换为较高的电压。它们还用于电网中，以在分配之前提高交流电压水平。 　　 降压变压器： 在降压变压器中，初级线圈匝数高于次级线圈。当初级与次级绕组的匝数比大于1时，次级电压会低于初级电压。降压变压器通常用于电子应用中。电子电路通常需要5V、6V、9V、12V、18V或24V进行操作。降压变压器通常在电源电路中使用，先于整流器将120V或240V交流电源降压至所需的低压水平。在配电中，使用降压变压器来降低高压，以向两极供电。这确保了配电的能量效率和成本效益。 　　 隔离变压器： 隔离变压器的初级和次级匝数相同。由于初级与次级的匝数之比正好为1，因此两个绕组上的电压电平保持相同。这些变压器用于在电子电路之间提供电隔离，或消除从一个电路到另一个电路的噪声传输。隔离变压器需要具有高电感耦合和最小电容耦合。这就是为什么将这些变压器设计为在缠绕在高磁性和自屏蔽铁芯上的独立线圈上具有最少匝数的原因。 　　隔离变压器还用于连接平衡和不平衡电路。平衡电路是指可以跨端口任意方式连接的电路。不平衡电路是指需要以特定方式跨端口连接的电路。平衡和不平衡负载可以通过将平衡中心的中心抽头接地而通过隔离变压器连接。如果平衡负载和不平衡负载具有相同的阻抗，则隔离变压器的匝数比应为1。如果平衡负载和不平衡负载具有不同的阻抗比，则匝数比应与阻抗比的平方相匹配。 变压器按照用途划分细讲起来比较多，需要单独成篇分享。变压器的知识就先分享这么多吧。如果觉得内容整理的还不错，希望大家多给我点赞支持~

在功率半导体领域，除了二极管、三极管（晶体管），最重要的元器件莫过于晶闸管。 关于晶闸管的疑问，答案都在这！ 01、什么是晶闸管？ 晶闸管，即可控硅（SCR），是一种通过开关控制电流的半导体元件。与二极管、三极管这类小功率器件不同，晶闸管可作为大电流下的开关元件，在功率控制电路中发挥重要的作用。 02、晶闸管结构是怎么样的？ 电子元件的性能往往与其结构息息相关。 晶闸管是四层三端器件，PNPN 四层半导体结构，中间形成三个 PN 结：J1、J2、J3，从最上面的 P1 层引出阳极 a，从最下面的 N2 引出阴极 k，由中间的 P2 层引出控制极 g（门极）。 晶闸管结构等效于“pnp 型”和“npn 型”两个晶体管排列组成的复合电路。 pnp 晶体管的发射极和 npn 晶体管的基极都连在晶闸管 g 极上；pnp 晶体管的基极则和 npn 晶体管的集电极串联。 下图显示了晶闸管的掺杂图。注意，对应于 NPN 晶体管的等效发射极的阴极 K 被重掺杂，如 N +所示。门极 G 也重掺杂（P +），它是 PNP 晶体管的等效发射极。与等效晶体管 V1 基极和 V2 集电极区域相对应的两个中间层的掺杂程度较轻：N-和 P。 03、晶闸管在什么条件下导通？ 根据等效电路，我们让两个晶体管 V1 和 V2 都导通，晶闸管便导通。 那么怎样才能让 V1 和 V2 同时导通呢？（三极管的导通与截止，其实质是其内部 PN 结的单向导通与截止。） 首先我们在 AK 两极间加上正向电压，PN 结 J1 和 J3 正偏导通，J2 反偏截止，外加电压几乎全部落在 J2 身上，由于反偏 J2 阻断电流，通过电流非常小，因此晶闸管不导通。 当晶闸管承受正向阳极电压时， 为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的 PN 结 J2 失去阻挡作用 。 怎么做呢？ 我们在 GK 两极间也加上正向电压，产生足够的门极电流 Ig 流入晶体管 V2。对于 NPN 型晶体管 V2 来说，此时它的发射结（J3）正偏，集电结（J2）反偏，处于放大工作状态，Ig 经过 V2 放大后，形成集电结电流 Ic2，假设 V2 放大系数为β2，Ic2=β2*Ig。 由于 V1 的基极和 V2 的集电极串联，因此，Ic2 也是 V1 的基极电流。基极电流再经过 V1 放大，形成集电极电流 Ic1，假设 V1 放大系数为β1，Ic1=β1 Ic2=β1 β2*Ig。 由于 V1 的集电极和 V2 的基极都连在 g 极上，因此，Ic1=Ig，即 放大后的电流又作为 V2 的基极电流再被放大，如此循环往复，形成正反馈过程，从而使晶闸管完全导通（V1 和 V2 均放大到饱和状态） 。这个导通过程是在极短的时间内完成的，一般不超过几微秒，称为触发导通过程。 简而言之，晶闸管导通的条件是： 加上阳极和门极正向电压 。 而最有意思的是，晶闸管导通后，即便去掉门极正向电压，晶闸管依靠自身的正反馈作用仍然可以维持导通，晶闸管成为不可控——无法控制关断。 这就是晶闸管称为“半可控元器件”的原因，即可控制导通、无法控制关断。 04、如何关闭晶闸管？ 晶闸管一旦触发导通，便无法控制关断。但真要关断晶闸管，也不是没有办法。 关断导通晶闸管的条件是将流过晶闸管的电流减小到一个很小的值，接近于 0。 此时控制门极电压显然没用，只能降低或撤掉阳极正向电压，或者加大电阻，又或者给阳极换上反向电压，来让晶闸管电流变成小直到接近 0，从而关断晶闸管。 05、晶闸管有什么优点/缺点？ 晶闸管的优点很多，例如： 以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍； 反应极快，在微秒级内开通、关断； 无触点运行，无火花、无噪声； 效率高，成本低等。 因此，晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用，特别是在大功率 UPS 供电系统中。 晶闸管的弱点：静态及动态的过载能力较差，容易受干扰而误导通。 06、为什么晶闸管能处理大电流？ 晶闸管可以用弱信号控制强信号，能在大电流下工作，属于大功率器件。晶闸管用几十到一二百毫安电流，两到三伏的电压可以控制几十安、千余伏的工作电流电压，换句话说，它的功率放大倍数可以达到数十万倍以上。由于元件的功率增益可以做得很大，所以在许多晶体管放大器功率达不到的场合，它可以发挥作用。 那晶闸管是如何做到功率放大很多倍的呢？因为晶闸管 自身的正反馈作用 。 如上面提到的那样，当晶闸管在正向门极电压下，从门极 G 流入电流 Ig，经过 NPN 管 V2 和 PNP 管 V1 的放大，Ig 增大到： Ig（现在）=β1 β2 Ig（原来） 增大后的 Ig 再流经 NPN 管的发射结，从而提高放大系数β2，产生足够大的集电极电流 IC2 流过 PNP 管的发射结，并提高了 PNP 管的电流放大系数β1，产生更大的集电极电流 IC1 流经 NPN 管的发射结，这样强烈的正反馈过程迅速进行，直至 V1 和 V2 饱和导通。 晶体管的放大系数β正常情况下在几十到 100 多的范围内，因此晶闸管功率放大倍数可以达到数十万倍以上。 07、晶闸管和三极管有什么区别？ 功能不一样 ：晶体管的功能是检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。而普通晶闸管的功能则是可控整流（所以晶闸管也叫做可控硅）。 优点不一样 ：晶闸管的优点是以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等。晶体管的优点则是输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等。 分类不一样 ：晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG 晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。 结语： 自 1957 年诞生以来，经过几十年的发展，如今的晶闸管已广泛的应用在各种电路,以及电子设备中。随着新材料的出现，新工艺的采用，单只晶闸管的电流容量从几安发展到几千安，耐压等级从几百伏提高到几千伏，工作频率大大提高，器件的动态参数也有很大改进。 未来随着应用领域的拓展，晶闸管将继续沿着高电压、大电流、快速、模块化、功率集成化、廉价的方向发展。

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