摘要: 本文主要探讨二手东京电子 CELESTA 晶圆清洗设备及其配套的晶圆清洗方法。介绍了该设备在半导体制造流程中的重要地位,阐述了其工作原理、主要结构特点,同时详细分析了基于该设备的多种晶圆清洗技术,包括常见的湿法清洗、干法清洗等,旨在为相关行业有效利用二手设备进行晶圆清洗提供参考。 一、引言 在半导体制造过程中,晶圆清洗是确保芯片质量和性能的关键环节。高质量的晶圆清洗能够去除表面的颗粒、有机物、金属离子等污染物,为后续的光刻、蚀刻等工艺提供洁净的表面。东京电子 CELESTA 晶圆清洗设备在行业内具有较高的知名度,二手设备因其相对较低的成本,对于一些预算有限但又有晶圆清洗需求的企业或研究机构具有吸引力。深入了解其设备特性及清洗方法,有助于充分发挥设备效能。 二、二手东京电子 CELESTA 晶圆清洗设备概述 2.1 设备工作原理 二手 CELESTA 设备通过多种物理和化学作用的协同来实现晶圆清洗。例如,在湿法清洗模式下,利用特定化学溶液与晶圆表面污染物发生化学反应,将污染物溶解或转化为可去除的形式,同时配合超声波、喷淋等物理手段,增强清洗效果。在干法清洗时,借助等离子体等高能粒子与污染物的相互作用,使污染物从晶圆表面脱离。 2.2 设备主要结构 该设备主要由清洗腔室、溶液供应系统、废气处理系统、自动化控制单元等部分组成。清洗腔室是晶圆清洗的核心区域,具备良好的密封性和耐化学腐蚀性;溶液供应系统能够精确控制各种清洗溶液的流量、浓度和温度;废气处理系统负责处理清洗过程中产生的有害气体,确保环境安全;自动化控制单元实现对整个清洗流程的精确控制和监控。 三、基于 CELESTA 设备的晶圆清洗方法 3.1 湿法清洗 3.1.1 RCA 清洗 RCA 清洗是一种经典的湿法清洗工艺,在 CELESTA 设备上可有效执行。首先进行 RCA - 1 清洗,将晶圆浸泡在由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶液中,通过化学反应去除晶圆表面的有机污染物、颗粒和部分金属离子。接着进行 RCA - 2 清洗,使用盐酸、过氧化氢和去离子水的混合液,进一步去除金属离子和难以清除的无机污染物。清洗过程中,设备的温度、溶液流量和浸泡时间等参数可根据晶圆的具体需求进行精确调整。 3.1.2 Piranha 清洗 利用设备的溶液供应系统,将硫酸和过氧化氢的混合溶液(即 Piranha 溶液)输送至清洗腔室。Piranha 溶液具有强氧化性,能够迅速有效地去除晶圆表面的有机物和顽固污染物。在清洗过程中,设备可通过精确控制溶液温度和反应时间,在保证清洗效果的同时,避免对晶圆造成过度腐蚀。 3.2 干法清洗 3.2.1 等离子体清洗 在 CELESTA 设备的干法清洗模式下,等离子体清洗是常用的方法之一。设备通过射频电源等装置产生等离子体,等离子体中的高能粒子与晶圆表面的有机污染物发生化学反应,将其分解为挥发性物质,从而达到清洗目的。该方法具有清洗速度快、对晶圆损伤小等优点,特别适用于对湿度敏感的晶圆清洗场景。 3.2.2 紫外线照射清洗 设备配备的紫外线照射装置,可发出特定波长的紫外线。当紫外线照射到晶圆表面时,能够激发表面污染物发生光化学反应,使其分解或改变性质,便于后续通过真空抽吸等方式去除。这种清洗方法对环境友好,且能在不引入化学试剂的情况下实现一定程度的晶圆表面净化 。 四、清洗效果影响因素及优化措施 4.1 清洗效果影响因素 清洗溶液的浓度、温度、流量,清洗时间,设备的功率(如等离子体清洗时的射频功率、紫外线照射强度)等因素都会对清洗效果产生显著影响。同时,晶圆本身的材质、表面初始污染程度以及清洗工艺的选择顺序等也不容忽视。 4.2 优化措施 针对不同类型的污染物和晶圆材质,应通过实验优化清洗溶液的配方和浓度;精确控制设备运行参数,如合理调整清洗时间和温度,确保在有效清洗的同时避免对晶圆造成损伤;定期对设备进行维护和校准,保证溶液供应系统、功率输出系统等关键部件的稳定性和准确性。 海翔科技深耕半导体行业,专注于为全球客户提供高性价比的二手半导体设备及配套服务。依托全球化采购网络与资深技术团队,我们长期稳定供应晶圆外观检测设备、扩散炉、晶圆清洗机、工业控制计算机(工控机)及高端显微镜等精密光学仪器,覆盖半导体制造前道至后道多环节需求。作为资源循环经济的践行者,我们致力于通过设备再生技术延长精密仪器生命周期,为企业降本增效。选择海翔科技,让每一次合作都成为价值再生的起点!