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大功率LED驱动电路（AC—DC）设计实举例[pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic]`[pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic]……

大功率有源PFC电感设计PFC计DesignofactivehighpowerPFC1.PFC电感(L)计算公式1.1电路形式及输入数椐C的基本电路形式如图1，并定义电感输入端电压为Vi，电感输出电压为VOUT或记为V0。假定：1/PFC输出功率POUT＝2200w2/MOC管开关频率FSW＝50Khz3/PFC电感输出电压VOUT=380V并简称Vo4/PFC电感最小输入电压VIN(mim)＝90V(有效值)5/PFC电感最大输入电压为VIN(max)＝260V(有效值)6/最大温升50℃7/电感效率为η1=99%8/整个调节装置效率为η2=95%1.2PFC电感L及输入电流Iin的计算公式1.2.1电感基本表达式根据电磁感应定律VL=L×di/dt，当S导通时Vi=VL=Ldi/dt，L=Vi×dt/di(1)Vi是整流桥正输出电压也是PFC输入端电压，当S关闭时Vi=-L×di/dt+VO，V0是PFC输出端电压。L=(VO-Vi)×dt/di(2)导通时dt=tON关闭时dt=tOFF1.2.2导出占空比D与Vi和VO的关系∵式(1)，(2)相等且△i都一样，得到：Vi×ton＝(V0－Vi)×tOFFVi×ton＋Vi×tOFF＝VO×tOFF即Vi×T＝VO×tOFFtOFF/T＝Vi/Vo∵D被定义为tON/T则tOFF/T＝(T－ton)/T＝1－D∴D＝1－tOFF/T＝1－Vi/VO=(VO－Vi)/VO1.2.3导出由(PFC输入端未经滤波的)交流电压和PFC输出的直流电压所描述的电感表达式。∵Vi＝√2×V……

宽边藕合线在大功率合成中的应用宽边耦合带线在大功率合成中的应用段德钦duandq009@163.com摘要：宽边耦合带状线在VHF频段大功率合成中，用作合成器和分配器，具有插入损耗小、两端口相位和幅值均衡度好、功率容量大、体积小、便于装配和调试的特点，是一种很好的大功率合成方式。关键词：宽边耦合带状线功率合成Abstract:UsingBroadside-CoupledStripTransmissionLinesassynthesizeranddispatcherinhigh-poweredVHFsynthesis,thereareseveraladvantagessuchaslessinsertionloss;betteramplitudeandphasebalancebetweentwoport;higherpowercapacity;compactness;convenientforinstallationandadjustment.Itisavaluablesynthesismethod.Keyword:Broadside-CoupledStripTransmissionLinesPowerSynthesis150MHz频段无线寻呼发射机通常发射功率为100W,工作电压为13.8VDC。单管在该电压条件下，能达100W者甚少，国内外寻呼发射机生产厂家多数都采用双管合成的方式，单管功率可达75W，合成后仅使用至100W，设计冗……

L波段大功率固态发射机的研制维普资讯http://www.cqvip.com２ｏＯ１年第４期电子工程１９Ｌ波段大功率固态发射机的研制姚建国（南京长江机器集团有限公司）摘要简要说明了雷达固态发射机的基本组成，着重介绍了Ｌ波段大功率固态发射机的主要技术性能指标、电路形式、设计方法、关键工艺和关键技术。通过对研制的Ｌ波殷大功率固态发射机样机进行测试，结果表明：该Ｌ波段大功率固态发射扎实测各项指标达到设计任务书的要求，其主要技术性能指标已达到和部分超过了当前国外同类固态发射机的先进水平．在目前国内同类固态发射机中处于领先地位。关键词固态发射机功放模块电源功率分配，合成器ＢＩＴＥ１引言固态发射机技术是雷达系统发展的一个突破性的成果。雷达发射系统采用固态发射机具有高可靠、高稳定性、长寿命、工作频带宽、开关机迅速、操作简单安全以及故障软化和带电运行中更换故障单元，使雷达不停机连续工作等一系列优点。另外，固态发射机模块化设计和生产，有利于成批生产和随机备份。固态发射机的这些优点已成为雷达制造者和使用者的共识。在国外，……

S波段大功率合成器维普资讯http://www.cqvip.com２００４年第１期电子工程Ｓ波段大功率合成器汤国平戴化玲（南京长江机器集团有限公司南京２１０００３７）摘要Ｓ波段大功率合成器是某雷达固态发射机攻关技术之一。研制成功的大功率合成器除具有损耗小、分配比平衡、隔离度高、相位一致性好、承受功率大等特点外，还具有连接方便、结构紧凑的特点。该大功率合成器很好地解决了发射机合成中的关键问题。关键词大功率合成器分配器隔离相位１引言Ｓ波段大功率合成器在设计时也面临着许多难题。频率高，波长短，同轴形式匹配难，结构形式新。固态发射机具有可靠性高、稳定性高、寿命长、工作频带宽、操作简单安全等一系列优点。研制出高指标、小体积，适合本机安装的大功率分配器和合成器，是发射机完成战术指标的关键。采用金属板线的大功率合成器能满足整机要求，并且具有如下特点：・承受大的功率（这是具有隔离性能的合成器的难点之一）；各端口的幅度平衡性能好及大的隔离度；小的插入损耗及相位一致性好；・・・各端口的匹配性能好。２四合一功率合成器功率合成器是固态发射机的重……

大功率微波功放集成工艺探讨大功率微波功放集成工艺探讨信息产业部29所陆吟泉胡蓉摘要本文试图探讨大功率微波功放的集成工艺，分析了CrSi-Cr-Cu-Ni-Au系薄膜工艺的优缺点和大功率功放的微组装工艺。一、前言自六十年代以来，厚薄膜混合集成工艺迅速发展，已广泛应用于电子、通讯、汽车、军事等领域，在这四十年的发展中，厚膜、薄膜混合集成电路工艺和集成、封装工艺也日趋成熟。厚膜走过了单层电路并发展为多层厚膜和低温共烧（LTCC），薄膜则发展为不同的多层薄膜电路和几种相对稳定的工艺体系，其中TaN-TiW-Au系薄膜应用十分广泛；NiCr-Au、Cr-Au系薄膜工艺简单而稳定；CrSi-Cr-Cu-Ni-Au系薄膜工艺相对其它薄膜工艺而言，是以Cu为主要导体层具有鲜明的特色。虽然其薄膜电路制作工艺流程长、工序复杂，但是其产品成本低、电性能、微波性能优良且组装时与锡钎焊工艺兼容，特别适合于大功率微波功放等微波器件。微波功放的组装不仅需满足其微波特性，而且必须确保产品的可靠性，因此在组装时必须解决功放管芯的散热，内引线的可靠连接和气密性封装。二、功放的薄膜电路制作工艺2．1薄膜典型工艺流程薄膜电路工艺一般采用先激光打孔；然后蒸发、溅射、沉积等方法制作电阻层、过渡层、导体层；光刻后电镀加厚，或先图形电镀后再光刻等方法实现光化学转移图形制作；最后采用激光或砂轮切割等方法分割电路。2．2功放薄膜电路工艺目前，在薄膜电路中应用最广泛的导体材料是金（Au），金不仅具有优良导电性、导热性，而……

射频大功率测量误差分析第22卷第3期2006年6月文章编号:100526122(2006)0320055203微波学报JOURNALOFMICROWAVESVol.22No.3Jun.2006射频大功率测量误差分析余振坤曲文英(南京电子技术研究所,南京210013)3摘要:通过对射频测量误差,尤其是在大功率条件下的测量误差进行了深入研究。从理论上详细分析了由于功率源和负载间失配而引起误差的机理,并通过实例对大功率条件下使用衰减器和定向耦合器两种测量方法引起的误差进行分析对比,结果表明:选择端口驻波小的器件和简化测试系统可以有效地降低测量误差,同时要求在工程设计时要尽可能减小输出驻波。关键词:失配误差,射频功率,驻波系数ErrorAnalysisonHighPowerRFMeasurementYUZhen2kun,QUWen2ying(NanjingResearchInstituteofElectronicsTechnology,Nanjing210013,China)Abstract:Byin2depthresearchonRFmeasurementerror,especiallyinhighpowermeasurement,themechanismoftheerrorcausedbymismatchbetweenpowersourceandloadisanalyzedindetailtheoretically.Theerrorsinhighpowermeas……

大功率带线结环行器的设计和功率容量探测维普资讯http://www.cqvip.comＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ＆ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ・技术与应用大功率带线结环行器的设计和功率容量探测Ｄｅｓｉｇｎｏｆｈｉｇｈｐｏｗｅｒｃｉｒｃｕｌａｔｏｒａｎｄｉｔｓｐｏｗｅｒｃａｐａｃｉｔｙ南京广顺电子技术研究所金国庆陈惠唐正龙（南京２１０００１）摘要：本文阐述了一种通讯大功率带线结环行器的综合没汁方法，及提高器件功率容量的一些对策，并利用商的ＡｎｓｏｆｔＨＦＳＳ８．０高频结构仿真器软件进行了性能仿真和功率容量的探测，仿真结果与实测性能吻合。关键问：结环行器功率容量ＨＦＳＳ８．０中图分类号：ＴＮ６１文献标识码：８文章编号：１６０６―７５１７（２００５）１卜０３―１２５体材料的自旋波线宽△Ｈ，最常用的方法就是在铁氧体ｌ引言中ＪＪＵ｝央速弛豫粒子，人ｆ『Ｊ在柘榴石中ＪＪＵ入ＨＯ（钬）和理想的三端结环行器的没汁概念基于散射矩阵理论，尖晶石中ＪＪｕ入ＣＯ（钴）或Ｇｄ（钆），提高了△Ｈ值，使散射矩阵建立了结的入射波和反射波之『日Ｊ的关系。三端结△Ｈ达到５－３５０ｅ，大大抑制了自旋波的非线性增长，提环行器由一个铁氧体ＪＪｕ载的中心区域和……

隔离器最大功率承受峰值铁氧体连接头(环行器)的最大功率承受峰值电弧放电(俗称打火)与击穿电压之简介引起电打火的因素很多且其机制复杂,诸如:1.电极间的介质材料本身的击穿电压。2.电路片的几何结构。3.采用的波形。在下列情况下,通常容易产生电打火：1.介质的击穿电压太低。2.电路片不光滑,有粗糙、锋利的毛刺。波形是由信号频率、脉冲形状/持续时间、和电路匹配等相关条件决定,通常以最差条件或者用随机方法来推导容限值和减额系数。击穿电压(如果是空气介质)主要是(P*D)(气压和电极间距的乘积)的函数[1]。本文末所附的经验公式可以用来估算击穿电压最小值。ANI-003-CRev-确定环行器/隔离器的最大承受功率(不发生打火现象的条件下)的最佳方法是用功放(在工作频率)作为输入,在确保匹配良好的条件下,检查待测物的电弧放电情况。如果不具备这样的测试条件,也可以使用具有高压输出功能的测量计来检测产生电弧放电时的最小输入功率。此类测试通常采用直流/60Hz的测试信号,所得到的击穿电压可以用来推导引起电弧效应的射频功率,公式如下:P2V击穿Z系统极间介质采用固体材料通常有助于提高最低击穿电压。但如果在介质填充物(固体)中存有小的空隙(或气泡),那么即使在低于固有击穿电压的情况下,也可能产生内部击穿(对气泡的击穿)。如果这种内部击穿反复发生,那么介质的特性就会在热、化学效应以及放电的综合作用下不断恶化。举例说明,如果一个50欧的设备的最低击穿电压(峰峰值)为200伏,那么最大承受功率(无电弧产生)为:200/50*200=800(瓦)M/A-COM的测试装置高压计,顾名思义,用以可调变压器使输出电压至千伏级。M/A-COM所使用的测量计(HyPotJunior，Model#4045由AssociatedR……

大功率微带滤波器的设计维普资讯http://www.cqvip.com《通信对抗》２００１年大功率微带滤波器的设计信息产业部电子第三十六研究所杨贤松［摘要】本文首先介绍了微带低通滤波器的设计过程，并对其进行了结点电压和电流的分析，在此基础上提出了一种能有效提高微带滤波器功率容量的方法．关键词：射频电路微带滤波器１前言在射频电路中，滤波器是最常用的部件之一，因此设计人员经常需要设计各种不同形式的滤波器来满足不同的应用要求。在５００￣ｚ以下，一般都用集中参数电路设计，调试较为方便。随着频率的提高，分布参数的影响越来越太，到了Ｌ波段，基本上都采用微带线或腔体滤波器的形式。腔体滤波器的功率容量较大，但结构加工及调试较为困难，在批量生产时的一致性不容易做好；而微带滤波器采用印制板加工的形式，只要首块电路板设计调试完成了，其余的根本不用再调试，且一致性很好，但这仅限于低通滤波器。对于商通及带通滤波器来说，由于微带短路电感及串联电容不易实现，做起来要困难得多。微带滤波器的主要缺点就是功率容量较小。下面通过一个低通滤波器的设计和分析，谈谈如何提高其功率容量。２电路设计在某系统中，需要设计一个９６０～１２５０Ｍ］ｉｚ、２００Ｗ的低通滤波器，要求谐波抑制太于３５ｄＢ，尺寸要尽量小。从生产的一致性、成本及工作量来说，微带线形式有明显的优越性。因谐波抑制要求不高，滤波器的级数可尽量降低，这也有利于减小尺寸。利……

一种大功率宽频带低损耗定向耦合器的设计与实现维普资讯http://www.cqvip.com±拉至鱼年第４期（总第１９９期）一种大功率宽频带低损耗定向耦合器的设计与实现田丰，谢绍斌，刘小龙（空军工程大学电讯工程学院，陕西西安７１００７７）摘要根据传输线变压器串并联同时耦－．ｕ原理，设计了一种１ｌｆ３ｄＢ铁氧体定向耦合器，该定向耦合器是用漆包线绕在射频铁氧体磁芯上做成。具有尺寸小、结构简单和频带宽等优点，工作范围在１Ｏ０～４００ＭＨｚ。对其参数进行了理论计算和测量，满足设计要求。经过实际应用，验证了设计方法的可行性。关键词传输线变压器；宽频带；低损耗；大功率；定向耦合器ＴＮ６２２中图分类号ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆａＬｏｗＬｏｓｓＨｉｇｈＰｏｗｅｒＢｒｏａｄｂａｎｄＤｉｒｅｃｔｉｏｎａｌＣｏｕｐｌｅｒＴｉａｎＦｅｎｇ，ＸｉｅＳｈａｏｂｉｎ，ＬｉｕＸｉａｏｌｏｎｇ（ＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｉｒｎｇｉｎｓｉｔｔｕｔｅ。ＡｉｒＦｏｒｃｅＥｎｇｉｎｅｅｉｎｒｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉａｎ７１００７７，Ｃｈｉｎａ）ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｉｓｐ……

射频宽带大功率放大器模块支撑技术射频宽带大功率放大器模块赵夕彬（中国电子科技集团公司，河北石家庄０５００５１）摘要：利用推挽ＭＯＳＦＥＴ晶体管，通过采用传输线变压器宽带匹配技术，研制出一种宽频带高功率放大器模块。文中给出了测试结果，模块的性能指标良好。关键词：宽频带；ＭＯＳＦＥＴ；功率放大器模块；传输线变压器中图分类号：ＴＮ７２２．７＋５文献标识码：Ａ文章编号：１００３－３５３Ｘ（２００３）０２－００６５－０３ＲＦｗｉｄｅ－ｂａｎｄｈｉｇｈ－ｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｍｏｄｕｌｅＺＨＡＯＸｉ－ｂｉｎ（Ｔｈｅ１３ｔｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣＥＴＣ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ０５００５１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂｙｍｅａｎｓｏｆｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｌｉｎｅｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒｓ，ａｎｄｔｈｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆｗｉｄｅ－ｂａｎｄａｍｐｌｉｆｉｅｒｓｏｆＭＯＳＦＥＴ，ａｗｉｄｅ－ｂａｎｄｈｉｇｈ－ｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｍｏｄｕｌｅｈａｓｂｅｅｎｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙｃｏｍｐｌｅｔｅｄ．Ｔｈｅｃｏｎ－ｃｌｕｓｉｏｎｓｏｆｔｈｅｔｅｓｔａｒｅｂｅｔｔｅｒ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｗｉｄｅ－ｂａｎｄ；ＭＯＳＦＥＴ；ｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｍｏｄｕｌｅ；ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｌｉｎｅｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ１引言随着现代通讯技术的发展，宽频带高速跳频技术、宽频带扩频技术对固态发射机提出了更高的要求，即射频功率放大器宽带化。宽带大功率产生技术已成为电子通讯系统中的一项关键技术。宽带大功率放大器模……

大功率超声逆变电源的研制……

大功率LED封装设计……

傻瓜东东学RF研发之18--浅谈大功率电流驱动电路的应用设计（毕）傻瓜东东浅谈大功率电流驱动电路模块的开发及应用设计Rd-xu5442010/5内容简介：傻瓜东东在《傻瓜东东学RF之13---耿氏二极管电源以及YIG驱动电路的设计报告》中介绍了一款大功率I/V的驱动电路，虽说这是一款成熟的I/V驱动电路，但是它是一个由分立元件构成，电路结构相对复杂点；另外，原推举的电路功能简单，对于一些新同学而言应用起来难免有点困难（特别是排故）。今已将此电路改良设计成电路模块型式，使设计师不论老师还是学生，都能在加上简单的外围电路后，就能应用这个电路。本文对这款大功率电流驱动电路模块的应用作了详尽的介绍和说明，其中重点讲授了电路模块的散热原理分析和设计，提出了适用的散热方案。可供初学的同学参考、学习。本文电路模块部分内容来源于西安华经微电子公司的相关资料，应用部分内容来源于本人的设计报告。1.大功率电流驱动电路模块简介1.大功率电流驱动电路小型化集成大功率电流驱动电路模块的设计初衷，是想利国内对于电路微集成组合封装的技术，针对原《傻瓜东东学RF之13---耿氏二极管电源以及YIG驱动电路的设计报告》中所提到的电路，经过西安华经微电子公司的厚膜电路组合封装技术，使原来需要很多分立元器件才能组成的电路，集成在一个以模块型式、相对较小的组合封装电路中。《傻瓜东东学RF之13---耿氏二极管电源以及YIG驱动电路的设计报告》中所介绍的电路，原来是由分立元件所组成，这个电路能可靠、稳定地工作，但电路由于是由各个分立元件所组成……

大功率微波电子注器件及其发展真空电子技术1999年第1期1VACUUMELECTRONICS专家论谈大功率微波电子注器件及其发展廖复疆(北京真空电子技术研究所北京100016)1998年12月10日收到MicrowaveElectronBeamDevicesandTheirTechnicalAdvancesLiaoFujiang(BeijingVacuumElectronicsResearchInstitute,Beijing100016)AbstractThetechnicaladvancesofmicrowaveelectronbeamdevicesaredescribedinthispaper.Basedontheinteractionbetweentheelectronbeamandelectromagneticfield,microwavetube,highpowermicrowaves(HPM)andvacuummicroelectronicsdevicesarestilltheheartsof.Theirtechnicaladvanceswillstronglysupportthedefencethedefenceandinformationsystemsequipmentdevelopmentfornextcenturyandhavedeepinfluenceonthe……