标签: 二极
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供车载设备使用的ESD保护二极管,供车载设备使用的ESD保护二极管……
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TVS二极管应用指南瞬态电压抑制二极管应用指南第一章TVS器件的特点、电特性和主要电参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到VC值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压VC就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。2、最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。IPP与最大箝位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。……
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常用稳压二极管技术参数常用稳压二极管技术参数|||||型号||稳压值(V)||稳定电流(mA)||功率(mW)||型号||稳压值(V)||稳定电流(mA)||功率(mW)……
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二极管，三极管经典应用,二极管，三极管和mos管的基础知识……
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C波段微波限幅二极管第36卷第5期1999年10月半导体情报43C波段微波限幅二极管安振峰王晓燕(电子十三所,石家庄050051)摘要设计了一种新的限幅二极管微带封装形式,可使器件良好地工作于C波段。关键词限幅衰减C波段限幅器中图分类号:TN312+14TN305194文献标识码:A文章编号:100125507(1999)5243203C-BandMicrowaveLimiterDiodeAnZhenfeng,WangXiaoyan(The13thInstitute(Electronics),Shijiazhuang050051)AbstractAnewpackagestyleforlimiterdiodewasdesigned,Thelimiterdiodecan2workinCband.KeywordsLimitationAttenuationC2bandLimiter1引言在雷达等微波发射接收系统中,为防止发射机的功率直接泄露到接收机而烧毁,接收机前加上限幅器,使限幅器的门限电平小于接收机能承受的烧毁功率,这样便保护了接收系统。根据限幅的工作原理,限幅管常采用并联使用,为便于安装,常采用同轴封装形势的限幅管。但由于分布参数的影响,这种限幅器只能工作于几百兆以下的频段内,在较高频率下(1GHz以上),均采用微波集成限幅模块[1]。但是,在某些特殊情况下,必须使用封装的分立器件来制作限幅器。因此,在较高频率下,研制分立封装的限幅二极……
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用于1900MHz的平衡式PIN二极管衰减器的设计用于1900MHz的平衡式PIN二极管衰减器的设计安捷伦科技公司无线半导体部门应用工程组在TDMA系统中，许多移动通信单位都会共用使用不同时隙的相同下行链路频率，对基地台的发射器链路来说，一个以电子控制的可变衰减器是绝对必要的。由于不同的移动通信单位对于基地台所发射的功率位准有不同的要求，所以基地台的发射器功率必须能够被动态而迅速地加以控制才行。PIN二极管有一项已知且特殊的特性，那就是它在射频下的电阻，可由改变偏压电流来加以变更。因此，PIN二极管对于RF与微波中的可变衰减器设计来说，是一个非常适合且实用的元件。使用正交耦合器作为输入与输出耦合元件的平衡式拓朴，可以产生一个具有良好回返损耗与高动态范围的PIN二极管可变衰减器。使用安捷伦的HSMP-481BPIN二极管作为衰减元件时，衰减器所产生的失真会非常低，因此相当适合最新的数字通信系统使用。利用图1所示的方法，可以设计出非常简单的单一PIN二极管衰减器。不过，在这样的设计中，很难达到良好的阻抗匹配，因为二极体的阻抗会明显随着偏压而改变。不良的阻抗匹配会产生问题，因为连接到衰减器的滤波器的响应，通常会因负载的不同而改变。改善整个频宽的VSWR的一个解决方案，就是在设计中使用耦合元件来达到不变的阻抗特性。在图2所显示的设计中，循环器为衰减器前面的阶段提供一个低VSWR的负载。一个理想的固定阻抗设计，会采用以两个正交耦合器作为输入与输出耦合元件的平衡结构，如图3所示。如果正交耦合器是完美的，则所有反射的RF都会传送到50终端（图15会简单的说明）。因此，只要提供给0度与90度输出埠的负载阻抗是相同的，不管它们实际的阻抗值为何，在正交耦合器的输入埠所出现的阻抗将会是50。平衡式设计也会提供比非平衡式设计……
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发_光_二极管失效分析发光二极管失效分析１引言和半导体器件一样，发光二极管（ＬＥＤ）早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分，是提高ＬＥＤ可靠性的积极主动的方法。ＬＥＤ失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验，再做半破坏性、不可重复的试验，最后进行破坏性试验的原则。采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器件（ＤＵＡ）的真正失效因素、迹象丢失或引入新的失效因素，以期得到客观的分析结论。针对ＬＥＤ所具有的光电性能、树脂实心及透明封装等特点，在ＬＥＤ早期失效分析过程中，已总结出一套行之有效的失效分析新方法。２ＬＥＤ失效分析方法２.１减薄树脂光学透视法在ＬＥＤ失效非破坏性分析技术中，目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法，具有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施，所以它是最广泛地用于进行非破坏检验失效ＬＥＤ的方法。除外观缺陷外，还可以透过封装树脂观察内部情况，对于高聚光效果的封装，由于器件本身光学聚光效果的影响，往往看不清楚，因此在保持电性能未受破坏的条件下，可去除聚光部分，并减薄封装树脂，再进行抛光，这样在显微镜下就很容易观察ＬＥＤ芯片和封装工艺的质量。诸如树脂中是否存在气泡或杂质；固晶和键合位置是否准确无误；支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象，都可以清楚地观察到了。２.２半腐蚀解剖法对于ＬＥＤ单灯，其两根引脚是靠树脂固定的，解剖时，如果将器件整体浸入酸液中，强酸腐蚀祛除树脂后，芯片和支架引脚等就完全裸露出来，引脚失去树脂的固定，芯片与引脚的连接受到破坏，这样的解剖方法，只能分析ＤＵＡ的芯片问题，而难于分析ＤＵＡ引线连接方面的缺陷。因此我们采用半腐蚀解剖法，只将ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部浸入酸液中，并精确控制腐蚀深度，去除ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部的树脂，保留底部树脂，使芯片和支架引脚等完全裸露出来，完好保持引线……
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二极管的特性与应用二极管的特性与应用[pic] 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管最重要的特……
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二极管的动作特性与应用二极管的动作特性与应用宇量|内容标题导览：│二极管的动作原理│电阻与二极管构成的应用电路│电容与二极管构成的应用||电路│||||||||二极管属于半导体器件的一种，应用在一般电子电路的半导体，依照性质的不同可以分成P型||与N型两种，如果利用P型→N型性质改变所构成的PN接合，就可以制作二极管(Diode)器件，除||此之外使金属与半导体接触，利用Schottky接合的电气特性，同样可以制作二极管器件。二极||管具备两个端子，它的外形随着用途的不同有许多形状，不过基本上二极管的动作原理却完全||相同。本文要介绍二极管的基本功能，同时针对泛用二极管进行模拟分析，藉此探讨二极管动||作时的电流与电压决定方法。||……
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二极管组成的升压降压电路TechnicalInformationPaperNo.0001(Ver.001)No.0001(Ver.001)Feb.2002Feb.2002“极组……
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功率二极管的设计原则及其串并联特性功率二极管的设计原则及其串并联特性1.1功率半导体二极管的设计准则功率半导体二极管的设计一般考虑以下几点：1)考虑二极管正向平均电流的转折温度，为确保器件工作的可靠性，对二极管的电流和电压进行降额设计。一般是先估算电路中二极管的通态电流和反向电压，选取时留有1.5～2倍的裕量。2)正向压降应小，以减小正向导通损耗，提高效率，尤其是在大电流，低频率的工作电路中。3)反向恢复电流峰值要小，与之相关的反向恢复时间要小。值得注意的是反向恢复时间的选择问题：不同厂家的测试条件不同，对应同一二极管的反向恢复时间trr也不相同。比较合理的选择方法是看平均正向电流IF和反向恢复电流的峰值IRM的比值，如图Fig1所示；[pic]Fig1trr、taandtbWaveformsandDefinitions[pic]，比值越大对应的trr也越大。4)正向恢复电压峰值要小，尤其是在使用超快恢复管的场合。5)反向漏电流小，尤其是在高压高结温的场合。6)对功率二极管进行设计时，如果有FUSE保护时，还要考虑diode的I2t与FUSE的I2t相配合。7)根据要求的电流工作范围确定二极管Tc温度范围及其封装形式和散热方式。8)对功率半导体二极管进行串并联设计时，应遵守的原则如下：二极管的串联：二极管的串联应用一般用在开关管的续流二极管的场合中。串联时，需要注意静态反向截止电压和动态反向截止电压的动态分布。[pic]图2二极管串联的电路在静态时，由于串……
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续流二极管什么是续流二极管大家可能都知道二极管吧那什么是续流二极管呢？其实他还是个二极管只不过它在这起续流作用而以，例如在继电器线圈两端反向接的那个二极管或单向可控硅两端反向接的也都是为什么要反向接个二极管呢？因为继电器的线圈是一个很大的电感，它能以磁场的形式储存电能，所以当他吸合的时候存储大量的磁场当控制继电器的三极管由导通变为截至时线圈断电但是线圈里有磁场这时将产生反向电动势电压高达1000v以上很容易击穿推动三极管或其他电路元件，这是由于二极管的接入正好和反向电动势方向一致把反向电势通过续流二极管以电流的形式中和掉从而保护了其他电路元件，因此它一般是开关速度比较快的二极管，象可控硅电路一样因可控硅一般当成一个触点开关来用，如果控制的是大电感负载一样会产生高压反电动势原理和继电器殿禄式一样的。在显示器上也用到一般用在消磁继电器的线圈上。一种用于驱动电感性负载的负载驱动电路，包括连接负载的回流闭合电路。在该回流闭合电路中设置续流二极管。该续流二极管并联一个MOS晶体管，用于接通/断开电流。设置一电容器并以其两端连接至MOS晶体管的栅极和漏极，设置一电阻器并以其两端连接至MOS晶体管的栅极和源极。在续流二极管的恢复操作期间，借助于该电容器和电阻器，MOS晶体管的栅极至源极的电压在一预定时间周期内被上拉而超过一阈值。上拉该栅极至源极电压致使续流二极管的恢复特性变得柔和，抑制恢复浪涌。续流二极管，作用也正是为了保证在马达驱动电路关断时，马达内线圈的电流得到延续一段时间，避免因瞬间电流突变而引发的高的尖峰电压，这个高尖峰电压，可能击穿马达驱动电路等。象继电器、DC-DC电路中都会看到这种作用的二极管，不管是分立二极管，还是集成在IC内的二极管，你看到开关管与电感在一起，就通常都会伴随着……
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提高变容二极管调频电路频率稳定度的温度补偿方法提高变容二极管调频电路频率稳定度的温度补偿方法在变容二极管调频电路中，载频频率的不稳定性主要由温度变化、电源电压变化、负载阻抗变化等因素引起的。可以通过减少外界因素的变化来提高频率稳定度，如采用高稳定度直流稳压电源来减少电源电压的变化，采用金属屏蔽罩减少外界电磁场的变化，或者提高谐振回路的标准性，如采用参数稳定的回路电感器和电容器，采用温度补偿法，改进安装工艺，减弱振荡管与谐振回路的耦合。在以上这些措施中，温度补偿法得到了广泛的应用。尤其是在军工产品方面，为了满足产品在高、低温环境下的工作性能要求，常常通过温度补偿法来减少温度对产品各项指标的影响。在变容二极管调频电路中，控制变容二极管的反向电压的轻微变动会导致频率偏移，在电路设计中，载频受温度变化的影响，通常规律是温度升高时频率变高，温度降低时载频瞬时起振频率偏低。如何兼顾高低温时的频率偏移，本文提供了一个简单的补偿电路，很好地解决了这个问题。[pic]温度补偿的理论分析和模型●变容二极管调频电路的分析变容二极管的调频电路如图1所示，在电路中，载频受温度的影响，通常规律是负的温度系数，即温度升高时频率变低，可以用具有负温度系数的电容来补偿。补偿用电容是C6、C12、C18，所用温度系数组别是C组。C9、C10、C11对失真度有较大的影响，可以选用一定温度系数电容来对失真度进行温度补偿，由于频率高、分散性大，没有较确切的规律可循，一般要靠试验确定，改变范围通常不宜过大，以调高或调低一挡为宜，个别电容可以改变到两挡。电感L2、L3、L4采用在高频陶瓷骨架上烧渗银制成的温度系数小、损耗小、Q值高的电感线圈，其Q值大于200，温度系数可达(1～5)×10-7……
