C波段微波限幅二极管第 36 卷　第 5 期　1999 年 10 月 　　　　　　半导体情报 43 C 波段微波限幅二极管 安振峰　王晓燕 ( 电子十三所, 石家庄　050051) 摘要　设计了一种新的限幅二极管微带封装形式, 可使器件良好地工作于 C 波段。 关键词　限幅　衰减　C 波段　限幅器 中图分类号: TN 312+ 14　TN 305194　文献标识码: A 文章编号: 100125507 ( 1999) 5243203 C - Band M icrowave L i m iter D iode A n Zhenfeng, W ang X iaoyan ( T he 13 th Institu te ( E lectron ics) , S h ij iaz huang 050051) Abstract　A new p ackage sty le fo r li m iter d iode w a s designed, T he li m iter d iode can 2 w o rk in C band. Keywords　L i m ita t ion 　A t tenua t ion 　C 2band 　L i m iter 1　引　言 在雷达等微波发射接收系统中, 为防止发 射机的功率直接泄露到接收机而烧毁, 接收机 前加上限幅器, 使限幅器的门限电平小于接收 机能承受的烧毁功率, 这样便保护了接收系统。 根据限幅的工作原理, 限幅管常采用并联使用, 为便于安装, 常采用同轴封装形势的限幅管。 但 由于分布参数的影响, 这种限幅器只能工作于 几百兆以下的频段内, 在较高频率下 ( 1GH z 以 上) , 均采用微波集成限幅模块[ 1 ]。但是, 在某 些特殊情况下, 必须使用封装的分立器件来制 作限幅器。 因此, 在较高频率下, 研制分立封 装的限幅二极……