发_光_二极管失效分析 发光二极管失效分析 １ 引言 和半导体器件一样，发光二极管（ＬＥＤ）早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分 ，是提高ＬＥＤ可靠性的积极主动的方法。ＬＥＤ失效分析步骤必须遵循先进行非破坏 性、可逆、可重复的试验，再做半破坏性、不可重复的试验，最后进行破坏性试验的原 则。采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器件（ＤＵＡ）的真正失效因素、 迹象丢失或引入新的失效因素，以期得到客观的分析结论。针对ＬＥＤ所具有的光电性 能、树脂实心及透明封装等特点，在ＬＥＤ早期失效分析过程中，已总结出一套行之有 效的失效分析新方法。 ２ ＬＥＤ失效分析方法 ２.１ 减薄树脂光学透视法 在ＬＥＤ失效非破坏性分析技术中，目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法，具 有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施，所以它是最广泛地用于进行非破坏检 验失效ＬＥＤ的方法。除外观缺陷外，还可以透过封装树脂观察内部情况，对于高聚光 效果的封装，由于器件本身光学聚光效果的影响，往往看不清楚，因此在保持电性能未 受破坏的条件下，可去除聚光部分，并减薄封装树脂，再进行抛光，这样在显微镜下就 很容易观察ＬＥＤ芯片和封装工艺的质量。诸如树脂中是否存在气泡或杂质；固晶和键 合位置是否准确无误；支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象，都可 以清楚地观察到了。 ２.２ 半腐蚀解剖法 对于ＬＥＤ单灯，其两根引脚是靠树脂固定的，解剖时，如果将器件整体浸入酸液中， 强酸腐蚀祛除树脂后，芯片和支架引脚等就完全裸露出来，引脚失去树脂的固定，芯片 与引脚的连接受到破坏，这样的解剖方法，只能分析ＤＵＡ的芯片问题，而难于分析Ｄ ＵＡ引线连接方面的缺陷。因此我们采用半腐蚀解剖法，只将ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部浸 入酸液中，并精确控制腐蚀深度，去除ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部的树脂，保留底部树脂， 使芯片和支架引脚等完全裸露出来，完好保持引线……