标签: TO251

型号：NTD5865NL-1G-VB丝印：VBFB1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：50A-开通电阻：10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-门电压阈值：1.94Vth(V)-封装类型：TO251应用简介:NTD5865NL-1G-VB是一款N沟道MOSFET，具有60V的额定电压和50A的额定电流。它的开通电阻在不同电压下具有较低的值，分别为10mΩ@10V和12mΩ@4.5V。此外，它的门电压阈值为1.94V，适用于各种门电压驱动电路。该产品可以应用于以下领域模块：1.电源供应模块：由于NTD5865NL-1G-VB具有较高的额定电压和额定电流，它可以用于电源供应模块，如电源适配器和开关电源等。2.电动车辆模块：由于NTD5865NL-1G-VB能够承受较高的电流，可以在电动车辆的驱动模块中使用，如电动汽车和电动自行车等。3.工业控制模块：NTD5865NL-1G-VB在工业控制领域中具有广泛的应用，可用于电机驱动、过载保护和开关控制等模块。4.照明模块：由于该产品具有较高的额定电压，可用于照明模块，如LED驱动器和室内照明灯等。总之，NTD5865NL-1G-VB适用于需要处理较高电压和电流的领域模块，如电源供应、电动车辆、工业控制和照明等。

型号：FQU15N06L-VB 丝印：VBFB1630 品牌：VBsemi 参数：N沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2.4Vth(V)；TO251详细参数说明：-型号类型：FQU15N06L-VB是N沟道MOSFET-最大电压：60V-最大电流：25A-开态电阻：32mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门阈电压：2.4V-封装：TO251应用简介：该型号的FQU15N06L-VBMOSFET是一种高功率N沟道MOSFET，适用于各种功率电子设备和模块中。由于其较高的电压和电流能力，以及较低的开态电阻，该型号适用于以下应用领域：1.电源模块：可以用作开关电源的开关管，控制电源的开关状态，以实现高效能转换。2.马达驱动：可以用作马达的开关管，控制马达的启停和转向，使马达运行稳定高效。3.照明模块：可以用作照明装置的开关管，通过控制开关态来调节照明亮度或颜色。4.电动车辆模块：可以用作电动车辆的电源开关管，控制电池与电动机之间的连接与断开。总之，FQU15N06L-VBMOSFET在高功率、高电压、高电流的应用场景中表现出色，适用于各种需要控制开关状态的电子设备和模块中。

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号IRFU5505PBF-VB的详细参数和应用简介：**型号：**IRFU5505PBF-VB**丝印：**VBFB2610N**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-25A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON))：66mΩ@10V,80mΩ@4.5V-门源电压阈值(Vth)：-1.43V-标准门源电压(±V)：20V-封装：TO251**产品应用简介：**IRFU5505PBF-VB是一款P沟道MOSFET，具有适度的电流承受能力和相对低的漏极-源极电阻，适用于多种电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款MOSFET的性能参数使其适用于多种领域。**产品应用领域：**1.**电源开关：**该型号的MOSFET可用于电源开关应用，以切换电路中的电源连接，如电源管理单元和电源开关。2.**电池保护：**可用于电池保护电路，以控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。3.**电源管理模块：**在电源管理模块中，IRFU5505PBF-VB可用于功率控制和电流调节，以提高效率并确保电路的稳定性。4.**电机驱动：**适用于电机驱动电路，例如小型直流电机和电机控制应用。5.**逆变器和电源逆变器：**在逆变器电路中，用于将直流电源转换为交流电源，通常用于太阳能逆变器和电源逆变器。总之，IRFU5505PBF-VBMOSFET在多个领域中都有广泛的应用，用于功率控制、电流开关和电源连接等用途。由于其性能参数，它在电子模块和设备中起到关键作用。

型号：IRFU220NPBF-VB丝印：VBFB1203M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-最大连续漏极电流：10A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：270mΩ@10V，320mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：3V-封装：TO251应用简介：IRFU220NPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有高电压承受能力和适用于高电压应用的漏极-源极电阻。这使其在多种高电压电子应用领域中非常有用。应用领域：1.**电源模块**：IRFU220NPBF-VB适用于高电压电源管理模块，如工业电源、电源开关和电源逆变器，能够提供高效的电能转换。2.**电机驱动**：这种MOSFET器件的高电压承受能力和适中电流承受能力使其非常适合用于高电压电机驱动器、电机控制和电机保护，可用于工业电机和汽车电机等领域。3.**电源开关**：IRFU220NPBF-VB可用于高电压和高电流的开关电路，如高压开关电源和电源开关。4.**工业自动化**：在工业自动化系统中，这种MOSFET器件可用于电源管理、驱动电路和电源分配。5.**电动汽车充电器**：在电动汽车充电器中，IRFU220NPBF-VB可用于高电压和高电流的电源开关，确保充电过程的高效和安全。总之，IRFU220NPBF-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要高电压、高电流承受能力、低电阻和可靠性的各种高电压电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电源开关、工业自动化和电动汽车充电器等模块。

型号：IRFU9024NPBF-VB丝印：VBFB2610N品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-25A-静态开启电阻(RDS(ON))：66mΩ@10V,80mΩ@4.5V-门源极电压(Vgs)：20V(±V)-阈值电压(Vth)：-1.43V-封装类型：TO251应用简介：IRFU9024NPBF-VB是一种P沟道MOSFET，适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域：1.电源模块：这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关，帮助提高电源管理的效率，适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。2.DC-DC转换器：IRFU9024NPBF-VB可以用于DC-DC转换器中，将一个电压转换成另一个电压，适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。3.电池管理：它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。4.汽车电子：由于其低导通电阻和电压特性，这种MOSFET也适用于汽车电子系统，如车辆电源管理和驱动控制。5.低功耗电子：由于其低导通电阻和低电压特性，适用于需要低功耗操作的电子设备，如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。IRFU9024NPBF-VB的特性使其适用于多种中等功率电子应用，尤其是在需要P沟道MOSFET的情况下。然而，在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。

型号:FQU13N06-VB丝印:VBFB1630品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:25A-静态导通电阻(RDS(ON)):32mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):2.4V-封装类型:TO251应用简介:FQU13N06-VB是一款高性能N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**电源开关**:这款晶体管可用于电源开关电路，帮助实现高效的电源控制和管理，特别适用于电源逆变器、电源管理单元和电源模块。2.**电机控制**:由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于电机驱动模块，用于控制电机的速度和方向，例如电动工具、电动车电机控制和工业电机驱动。3.**逆变器**:在逆变器模块中，FQU13N06-VB可以用作开关器件，帮助转换直流电源为交流电源，用于太阳能逆变器、电源逆变器和电动汽车充电器等应用。4.**电池保护**:它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定，例如便携式电子设备和电池管理系统。5.**LED驱动**:在LED照明控制模块中，这款晶体管可用作电流调节器和开关，实现对LED灯的亮度和颜色温度的控制。总之，FQU13N06-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源开关、电机控制、逆变器、电池保护和LED驱动等领域。其N沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件，特别适用于要求高性能和可靠性的应用。

型号：RFD15P05-VB丝印：VBFB2610N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-60V-额定电流（Id）：-25A-静态导通电阻（RDS(ON)）：66mΩ@10V,80mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：-20V至20V-阈值电压（Vth）：-1.43V-封装类型：TO251**应用简介：**RFD15P05-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块：1.**电源开关模块：**由于其P沟道MOSFET特性，RFD15P05-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于通信设备、工业电源和电子设备中。2.**电池保护：**该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、电动工具和电动汽车非常关键。3.**电池充电管理：**在电池充电管理模块中，RFD15P05-VB可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。4.**电机控制：**该产品适用于电机控制模块，如直流电机控制器和步进电机驱动器。这在自动化系统、机器人技术和电动汽车中广泛使用。5.**电源开关：**RFD15P05-VB还可以应用于各种电源开关应用，如开关稳压器、DC-DC变换器和电源模块。这对于提供高效、可靠的电源解决方案非常重要。总之，RFD15P05-VB是一款功能强大的P沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、电池充电管理、电机控制和电源开关等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。

型号：IRFU014PBF-VB丝印：VBFB1630品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：25A-导通电阻（RDS(ON)）：32mΩ@10V-门源电压范围（Vgs）：20V（正负）-阈值电压（Vth）：2.4V-封装：TO251应用简介：IRFU014PBF-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有较高的额定电压和电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域，如电源开关、电机控制和工业应用。详细参数说明：1.**类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。2.**额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为60V。这表示在正常工作条件下，其电压可以达到60V。3.**最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为25A。这使它能够处理高电流负载。4.**导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为32mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。5.**门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。6.**阈值电压（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压为2.4V。这是启动MOSFET导通的门源电压。7.**封装**：这款MOSFET采用TO251封装，这是一种常见的功率封装类型，适用于高功率电子应用。应用领域：IRFU014PBF-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和高电流开关的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块：1.**电源开关**：可用于高电压开关电源，如电压转换和电源稳定。2.**电机控制**：在电机控制器中用于控制电机的速度和方向，特别是用于工业电机。3.**电力逆变器**：用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器和电力逆变器。4.**高电压电源管理**：用于高电压电源管理和电流控制电路，如工业控制系统。5.**电动工具**：在需要高功率和高效能的电动工具中，如电动钻机和电锯。总之，这款N沟道MOSFET适用于需要高电压和高电流开关的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在高功率和工业应用中。

型号：NTD12N10-1G-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：15A-静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：-20V至20V-阈值电压（Vth）：1.41V-封装类型：TO251**应用简介：**NTD12N10-1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块：1.**电源开关模块：**由于其高额定电压和电流承载能力，NTD12N10-1G-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于电子设备、通信设备和工业应用中。2.**电池保护：**该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、无人机和电动工具非常关键。3.**电机控制：**NTD12N10-1G-VB适用于电机控制模块，例如直流电机控制器和步进电机驱动器。这在自动化系统、机器人技术和电动汽车中广泛使用。4.**电池充电管理：**在电池充电管理模块中，该MOSFET可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。5.**LED驱动：**该产品还可以用于LED驱动模块，用于开关和调光LED灯。这对于照明系统、商业照明和照明调光器非常有用。总之，NTD12N10-1G-VB是一款功能强大的N沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、电机控制、电池充电管理和LED驱动等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。

型号:IRLU110PBF-VB丝印:VBFB1102M品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:10A-静态导通电阻(RDS(ON)):220mΩ@10V,264mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):2V-封装类型:TO251应用简介:IRLU110PBF-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**电源开关**:这款晶体管可用于电源开关电路，帮助实现高效的电源控制和管理，特别适用于工业电源和电力电子模块。2.**电机控制**:由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于电机驱动模块，用于控制电机的速度和方向。3.**逆变器**:在逆变器模块中，IRLU110PBF-VB可以用作开关器件，帮助转换直流电源为交流电源，用于太阳能逆变器、电源逆变器等应用。4.**电池保护**:它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定。5.**LED驱动**:在LED照明控制模块中，这款晶体管可用作电流调节器和开关，实现对LED灯的亮度和颜色温度的控制。总之，IRLU110PBF-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源开关、电机控制、逆变器、电池保护和LED驱动等领域。其N沟道特性、高电压承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件。

型号:IRLU024NPBF丝印:VBFB1630品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):25A -开通电阻(RDS(ON)):32mΩ@10V,36mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):2.4V -封装类型:TO251应用简介:这款IRLU024NPBFMOSFET是一款高压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。-电机控制模块：用于高压直流电机驱动、步进电机驱动等高功率电机控制。-电动车充电模块：用于电动车充电桩、电池管理系统中的功率开关和控制。-电源逆变器模块：用于太阳能逆变器、电网逆变器等高压功率转换应用。总之，IRLU024NPBFMOSFET适用于高压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供高可靠性的电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。

型号：15N10TO251丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.41Vth-封装：TO251应用简介：15N10TO251是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为15A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：-电源管理模块：适用于中等电压电源开关和电池管理系统。-电动工具：可用于驱动中等功率电动工具中的负载开关和电源控制。-电机驱动模块：适用于驱动中功率电机和机器人控制系统。总之，15N10TO251适用于中等电压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电动工具和电机驱动模块等。

型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V，120mΩ@4.5V -门源电压范围：±20V -门源阈值电压：1.41V -封装类型：TO251应用简介：FQU13N10L（丝印：VBFB1101M）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：FQU13N10L是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为100V，额定电流为15A，RDS(ON)为115mΩ@10V，120mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.41V，封装类型为TO251。应用领域：FQU13N10L（VBFB1101M）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要高电压和高电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：FQU13N10L可应用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，从而提高系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器：它可以应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3.电池管理系统：FQU13N10L适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效、可靠的电池管理。4.汽车电子系统：FQU13N10L可应用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高压和高功率的要求。综上所述，FQU13N10L（VBFB1101M）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力，适用于需要高效能和可靠性的电路。

CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封装类型：TO251应用简介：CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。CED12N10采用TO251封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有较高的额定电压和额定电流，CED12N10特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。总之，CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中，特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。

AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适用于中高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。其高功率承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。优势与适用领域：适用于中高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。高功率承载能力满足大电流需求。