丝印：VBFB1101M
品牌：VBsemi
**参数说明：**
- 极性：N沟道
- 额定电压（Vds）：100V
- 额定电流（Id）：15A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
- 门源极电压（Vgs）：-20V 至 20V
- 阈值电压（Vth）：1.41V
- 封装类型：TO251
**应用简介：**
NTD12N10-1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块：
1. **电源开关模块：** 由于其高额定电压和电流承载能力，NTD12N10-1G-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于电子设备、通信设备和工业应用中。
2. **电池保护：** 该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、无人机和电动工具非常关键。
3. **电机控制：** NTD12N10-1G-VB适用于电机控制模块，例如直流电机控制器和步进电机驱动器。这在自动化系统、机器人技术和电动汽车中广泛使用。
4. **电池充电管理：** 在电池充电管理模块中，该MOSFET可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。
5. **LED驱动：** 该产品还可以用于LED驱动模块，用于开关和调光LED灯。这对于照明系统、商业照明和照明调光器非常有用。
总之，NTD12N10-1G-VB是一款功能强大的N沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、电机控制、电池充电管理和LED驱动等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。
