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碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的加工过程中，终点检测技术是一项至关重要的技术，它能够在加工结束时准确判断切割或研磨的完成度，从而确保碳化硅衬底的TTV均匀性。本文将探讨终点检测技术对碳化硅衬底TTV均匀性的帮助。 一、终点检测技术的重要性 终点检测技术是一种在材料加工过程中，通过监测加工过程中的某些物理或化学变化，来准确判断加工是否达到预定目标的技术。在碳化硅衬底的加工中，终点检测技术的重要性体现在以下几个方面： 提高加工精度：通过终点检测技术，可以准确判断切割或研磨的完成度，避免过度加工或加工不足，从而提高碳化硅衬底的加工精度。 确保TTV均匀性：终点检测技术能够实时监测加工过程中的厚度变化，及时调整加工参数，确保碳化硅衬底的TTV均匀性。 提高生产效率：通过终点检测技术，可以优化加工过程，减少不必要的加工时间和成本，提高生产效率。 二、终点检测技术在碳化硅衬底加工中的应用 在碳化硅衬底的加工过程中，终点检测技术有多种应用方式，包括但不限于： 光学干涉法：光学干涉法是一种常用的终点检测技术，它利用光波在材料表面的反射和干涉现象，来监测材料厚度的变化。在碳化硅衬底的加工中，光学干涉法可以实时监测衬底表面的厚度变化，确保TTV的均匀性。 激光测距法：激光测距法利用激光束的反射原理，测量材料表面的距离变化。在碳化硅衬底的加工中，激光测距法可以实时监测衬底表面的高度变化，及时调整加工参数，确保TTV的均匀性。 电化学监测法：电化学监测法通过在加工过程中引入电解质溶液，监测加工过程中电流或电压的变化，来判断加工是否完成。在碳化硅衬底的加工中，电化学监测法可以实时监测加工过程中的材料去除速率，确保TTV的均匀性。 三、终点检测技术对TTV均匀性的帮助 终点检测技术对碳化硅衬底TTV均匀性的帮助主要体现在以下几个方面： 实时监测与反馈：终点检测技术能够实时监测加工过程中的厚度变化，及时提供反馈，使加工过程更加可控和稳定。 优化加工参数：根据终点检测技术的反馈，可以及时调整加工参数，如进给量、切割速度、研磨压力等，以确保TTV的均匀性。 减少加工误差：通过终点检测技术，可以准确判断加工是否完成，避免过度加工或加工不足导致的误差，从而提高碳化硅衬底的加工精度和TTV均匀性。 四、结论 终点检测技术在碳化硅衬底加工中发挥着至关重要的作用，它能够提高加工精度，确保TTV均匀性，提高生产效率。随着技术的不断进步和创新，终点检测技术将更加智能化和自动化，为碳化硅衬底的加工提供更加精确和可靠的保障。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，终点检测技术将成为提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键技术之一。同时，对于碳化硅衬底加工过程中的其他关键因素，如切割工具的选择、冷却与润滑、装夹方式等，也需要进行深入研究和优化，以实现更高的加工精度和TTV均匀性。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的切割过程中，进给量是一个至关重要的参数，它直接决定了切割过程中材料的去除速率和去除量的均匀性。本文旨在探讨如何通过适当减少进给量，使切割材料去除量更均匀，从而提高碳化硅衬底的TTV均匀性。 一、进给量对碳化硅衬底TTV均匀性的影响 进给量是指切割工具在切割过程中相对于工件移动的速度。在碳化硅衬底的切割过程中，进给量的大小直接影响切割效率和切割质量。过大的进给量会导致以下问题： 不均匀的材料去除：过大的进给量会导致切割工具在碳化硅衬底表面的接触时间变短，材料去除量不均匀，从而在衬底表面产生厚度变化，影响TTV的均匀性。 切割热效应：过大的进给量会增加切割过程中的摩擦热，导致切割工具和碳化硅衬底局部温度升高，可能引起热变形和微裂纹，进一步影响TTV的均匀性。 切割工具磨损：过大的进给量会加速切割工具的磨损，缩短其使用寿命，同时增加切割过程中的振动和不稳定因素，影响TTV的均匀性。 二、适当减少进给量的策略 为了提高碳化硅衬底的TTV均匀性，需要适当减少进给量，使切割材料去除量更均匀。以下是一些策略： 优化切割参数： 通过实验和仿真分析，找到最佳的切割参数组合，包括进给量、切割速度和切割深度等，以实现最佳的TTV均匀性。 在保证切割效率的前提下，适当降低进给量，使切割过程更加平稳和可控。 采用高精度切割设备： 使用高精度、高稳定性的切割设备，可以减少切割过程中的振动和不稳定因素，提高切割精度和TTV均匀性。 确保切割设备的各个部件都经过精密加工和装配，以提高整体的刚度和精度。 选择合适的切割工具： 根据碳化硅衬底的特性和加工要求，选择合适的切割工具材质和形状。 确保切割工具的刃口锋利、均匀，以减少切割过程中的振动和划痕。 加强工艺监控和质量控制： 在切割过程中，使用高精度的测量仪器对碳化硅衬底的TTV进行实时监测和反馈。 根据监测结果，及时调整切割参数或采取其他措施，以确保TTV的均匀性达到设计要求。 三、结论 适当减少进给量是提高碳化硅衬底TTV均匀性的有效策略之一。通过优化切割参数、采用高精度切割设备、选择合适的切割工具以及加强工艺监控和质量控制等措施，可以使切割材料去除量更均匀，从而提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的重要方向。同时，对于碳化硅衬底加工过程中的其他关键因素，如冷却与润滑、装夹方式等，也需要进行深入研究和优化，以实现更高的加工精度和TTV均匀性。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

在现代半导体工艺中，外延片的质量直接影响到器件的性能和可靠性。堆垛层错是外延片常见的缺陷之一，它会导致器件的电学性能下降和可靠性问题。为了克服现有技术中的这一缺点，发明了一种新的降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法，并在6英寸4H-SiC外延片的外延生长中得到了应用。 一、方法概述 这种新的外延方法主要包括以下步骤： 衬底准备：将衬底放置于反应室内的生长位置。 氢气刻蚀：向反应室内通入氢气，直至主气流达到90～140slm，压力控制在60～110mbar，升温至1630～1670℃，在氢气氛围下对衬底进行刻蚀，持续10～20分钟。这一步骤的目的是减少衬底上的基平面位错（BPD）。 第一外延缓冲层生长：向反应室内通入乙烯和三氯氢硅气体，调整反应室内C/Si比值在0.9～1.2的偏硅范围，在衬底的刻蚀面上低速生长第一外延缓冲层。乙烯的体积流量为10～20sccm，三氯氢硅的体积流量为20～40sccm，生长速率为2.0～4.0μm/h，厚度为0.1～0.3μm。 第二外延缓冲层生长：继续通入乙烯及三氯氢硅气体，调整反应室内C/Si比值在0.6～0.9的富硅范围，在第一外延缓冲层上低速生长第二外延缓冲层。乙烯的体积流量为20～60sccm，三氯氢硅的体积流量为30～160sccm，生长速率为7～15μm/h，厚度为0.2～1.0μm。 第二外延缓冲层刻蚀：停止通入乙烯和三氯氢硅，将反应室内温度降至1600～1630℃，在氢气氛围下刻蚀第二外延缓冲层4～10分钟。 第三外延缓冲层生长（可选）：改变乙烯和三氯氢硅的流量，使反应室内C/Si比值在0.9～1.1的偏富硅范围，在第二外延缓冲层的刻蚀面上低速生长第三外延缓冲层。乙烯的体积流量为30～90sccm，三氯氢硅的体积流量为60～170sccm，生长速率为7～15μm/h，厚度为0.2～1.0μm。 外延层生长：逐渐增加乙烯和三氯氢硅的流量，使反应室内C/Si比值在1.0～1.2的偏碳范围，高速生长外延层，形成外延片。乙烯的体积流量为120～140sccm，三氯氢硅的体积流量为270～310sccm，生长速率为50～60μm/h，厚度为6～15μm。 外延片处理：将反应室温度降至700～900℃，取出外延片并进行检测、清洗和封装。 二、技术特点与应用 减少堆垛层错密度：通过高温原位氢气刻蚀和低速生长不同C/Si比的外延缓冲层，有效抑制衬底、外延缓冲层和外延层界面处堆垛层错的产生，将外延片中堆垛层错密度控制在0.1～0.30cm^-2以内。 高质量外延片：外延缓冲层和外延层生长过程中采用高纯N2作为掺杂源，使外延层达到制作功率器件所需的掺杂浓度，从而制备出高质量的N型碳化硅外延片。 反应室适应性：该方法适用于水平热壁反应器，外延片的堆垛层错平均密度为0.1～0.5cm^-2，优于现有技术的3～6cm^-2。 应用前景：该方法已成功应用于6英寸4H-SiC外延片的外延生长中，通过优化生长条件和工艺步骤，显著提高了外延片的质量和可靠性，适用于高性能半导体器件的制造。 三、结论 这种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法通过精确控制生长条件和工艺步骤，有效减少了外延片中的堆垛层错密度，提高了外延片的质量和可靠性。该方法具有广泛的应用前景，可用于高性能半导体器件的制造，为半导体产业的发展提供了有力支持。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多 层 结 构，厚 度 可 从μm级到数百μm 级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

引言 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其卓越的物理和化学性能，在功率电子、高频通信、高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制备过程中，常常会遇到外延层不合格的情况，这时就需要将外延层去除，然后利用剩余的衬底进行再生处理，以降低生产成本并提高材料利用率。本文将详细介绍一种碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法，该方法结合了高效的去除技术和精细的再生处理步骤，旨在实现不合格外延片的再利用。 方法概述 碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法主要包括以下步骤：测量与评估、外延层去除、衬底再生处理以及化学机械抛光（CMP）。每个步骤都经过精心设计和优化，以确保最佳的去除效果和再生质量。 测量与评估 测量外延片参数：使用表面厚度测量仪测量外延层上多个点的厚度，得到厚度值hi（i=1,2,...n），n为大于等于1的正整数。同时，使用表面平整度测量仪测量外延片的总厚度H以及其平整度最大值TTV.MAX，平整度最大值是指衬底的生长外延层的侧面上的最高位置与最低位置之间的高度差。 评估外延层质量：根据测量的厚度和平整度数据，评估外延层的质量。对于不合格的外延层，需要进行去除处理。 外延层去除 减薄处理：根据外延平均厚度，使用双轴减薄机对外延层进行减薄处理。双轴减薄机采用金刚石和树脂等加工而成的砂轮，在高速旋转下对外延片的表面进行快速切削，以实现高效的去除效果。减薄处理包括第一减薄处理和第二减薄处理，可以根据需要选择使用粗砂轮或细砂轮。 冲刷清洗：减薄处理后，使用双面刷洗机对外延片的两面进行冲刷清洗，以去除残留的切削屑和杂质。冲刷清洗过程中，使用尼龙毛刷和二流体（如纯水和氮气）进行反复冲刷，确保外延片表面的清洁度。 衬底再生处理 计算衬底厚度：根据外延片的总厚度和减薄厚度，计算衬底的厚度。衬底的厚度等于外延片的总厚度减去减薄厚度。 检查衬底质量：对再生后的衬底进行质量检查，确保无裂纹、无杂质等缺陷。对于质量不合格的衬底，需要进行进一步的处理或更换。 化学机械抛光（CMP） 抛光处理：将经过冲刷清洗并符合质量要求的多个外延片贴于化学机械抛光设备的陶瓷盘上，然后对这些外延片同时进行至少一次化学机械抛光处理。CMP技术是外延片抛光中的最后一道工艺，通过抛光液和抛光垫的相互作用，将外延片表面的损伤层去除，从而降低表面粗糙度。 质量检查：抛光处理后，对外延片进行质量检查，确保表面平整度、粗糙度和洁净度等指标满足要求。 技术优势 高效去除：该方法采用双轴减薄机进行外延层的去除，具有高效、精确的去除效果，能够显著提高去除效率和质量。 精细再生：通过精细的再生处理步骤，包括冲刷清洗、计算衬底厚度和CMP抛光等，能够实现不合格外延片的再生利用，降低生产成本。 提高材料利用率：该方法将不合格的外延层去除后，利用剩余的衬底进行再生处理，显著提高了材料的利用率，有助于推动碳化硅半导体材料的商业化发展。 应用前景 碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法在SiC半导体材料制备领域具有广阔的应用前景。随着SiC半导体技术的不断发展，对高质量、高性能的SiC外延片的需求日益增长。通过采用该方法，可以显著降低SiC外延片的制备成本，提高材料利用率，为制造高性能、高可靠性的SiC器件提供有力支持。此外，该方法还适用于其他半导体材料的外延片制备过程，具有广泛的适用性和推广价值。 结论 综上所述，碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法是一种高效、精确的去除和再生处理技术，能够实现不合格外延片的再利用，降低生产成本并提高材料利用率。该方法在SiC半导体材料制备领域具有重要的应用价值，有助于推动SiC半导体技术的商业化发展。未来，随着SiC半导体技术的不断进步和应用领域的拓展，该方法将发挥更加重要的作用。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

碳化硅（SiC）外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位，而其基平面位错（BPD）对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效，特别是在双极性器件中尤为显著。因此，在碳化硅外延生长过程中，有效抑制和减少BPD的形成是提高器件性能的重要措施。本文将介绍一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法。 一、背景介绍 在碳化硅外延生长过程中，衬底中的位错会在外延层中复制或转化。螺型位错（TSD）和刃位错（TED）对器件性能的影响相对较小，而BPD则会在载流子注入过程中成为Shockley型堆垛层错的源头，导致载流子寿命降低和漏电流增加，引发所谓的“双极退化”。因此，减少和抑制BPD的形成是提升器件性能的关键。 现有的抑制BPD的方法包括利用关闭生长源和掺杂源，通过氢气进行界面高温退火处理，以及进行高掺缓冲层和渐变缓冲层处理。然而，这些方法难以完全消除衬底的影响，且存在氢气刻蚀作用，容易导致缓冲层变薄和退火时间过长，影响生产效率。 二、改善方法 为了解决现有技术的缺陷，本发明提出了一种新的改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法，该方法包括以下步骤： 等离子清洗：将需要外延生长的碳化硅衬底放入等离子清洗机进行Plasma清洗。清洗的气体流量比例为O2:N2:CF4=5:2:1，处理时间为5-20分钟，工作压力在200-350mtorr，功率在3-12KW。等离子清洗可以消除衬底表面的微小杂质，提高衬底表面态能，促使碳化硅键能结合，有利于外延层与衬底的台阶式垒晶生长。 缓冲层生长：将清洗后的碳化硅衬底放置到碳化硅外延炉反应室内的生长位置，向反应室内逐步通入氢气，并通入小流量的硅源、碳源气体和掺杂源氮气，直到主气流流量达到60-100slm，升温至1600～1700℃，进行第一层缓冲层生长。碳源气体可以是甲烷、乙烯、乙炔或丙烷，硅源气体可以是硅烷、二氯氢硅、三氯氢硅或四氯氢硅。 高温热处理修复晶格：在完成第一层缓冲层生长后，进行第一次高温热处理修复晶格。快速升温到1650～1800℃，同时关闭碳源、硅源气体和氢气，仅通入氮气，气体流量在50-200sccm之间，保持10～20分钟后，迅速降温到缓冲层反应温度。这一步骤可以抑制从衬底转化不彻底和未转化的BPD。 重复缓冲层生长和高温热处理：进行第二层和第三层缓冲层生长，每完成一层缓冲层生长后，都进行一次高温热处理修复晶格。这一步骤的操作与第一次高温热处理相同。多次高温热处理可以确保BPD抑制效果的稳定性，减少BPD抑制不彻底的情况。 外延层生长：完成第三层缓冲层生长后，进行常规的外延层生长。 降温和取出：完成完整结构的外延生长后，关闭反应气体，同时降温到700～1000℃，取出碳化硅外延片。 三、技术特点与效果 本发明的改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法具有以下技术特点和效果： 提高BPD转化效率：通过多次高温热处理修复晶格，可以有效提高BPD向TED的转化效率，抑制外延层中BPD的形成。 提升产品质量：减少BPD的形成，可以显著提升碳化硅外延层的质量，进而提高器件的性能和可靠性。 简化生产工艺：本方法简化了碳化硅外延生长的生产工艺，减少了氢气刻蚀步骤，提高了生产效率。 降低成本：通过优化生产工艺，降低了碳化硅半导体材料的成本，有利于碳化硅材料的商业化发展。 四、结论 综上所述，本发明提供了一种改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法，通过等离子清洗、多层缓冲层生长和多次高温热处理修复晶格，可以有效抑制外延层中BPD的形成，提高产品质量和生产效率。这一方法具有重要的应用价值，对于推动碳化硅半导体材料的商业化发展具有重要意义。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。