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MCP2561是微芯第二代高速CAN收发器，作为CAN总线和CAN协议控制器的一个接口。 芯片可用于汽车等高速，低静态电流，EMC和ESD等要求的场合。 方框图如下： 器件介绍： MCP2561是一个高速，容错器件作为CAN物理总线和CAN协议控制器的一个接口。兼容ISO11898-5的标准，操作速度达1M。通常，每一个CAN的节点必须有一个器件来转换控制器产生的数字信号，同时也是提供一个CAN控制器和总线一个尖峰电压的隔离。 模式控制 正常模式：通过STBY引脚来控制，驱动块可以操作和驱动总线引脚，高速的差分接收器使能。 待机模式：STBY引脚为高时进入待机模式，发送和高速接收关闭，以节省功耗，低功耗的接收器和唤醒功能打开，监视总线的操作，由于唤醒需要一定的时间，RXD引脚有延时的效应。 发送功能：CAN总线有两个状态，显性和隐性，当CANH和CANL电压差大于VDIFFD时为显性，当小于VDIFFR时为隐性。在TXD引脚则表现为高低电平。如果有别的节点为显性，则总线表现为显性。 接收功能：接收和发送是一个相反过程。 内部保护功能：CANH和CANL具有电池电路和电压瞬变的功能，保护芯片不会损坏，温度保护也可以保护芯片不会因短路的情况导致芯片损坏。 恒定的显性检测：有两种，一种是检测TXD，一种是检测总线。在正常模式下，如果在TXD引脚检测到一个延长的低电平状态，则会关闭CANH和CANL来阻止影响到CAN总线，当TXD回到高电平的时候，CANH和CANL继续有效。在待机模式下，如果总线上检测到一个延时的显性状态，则会设置RXD为隐性状态，来通知控制器将此状态进行校正。两种情况下，延时溢出为1.25ms，这样，如果工作在14.4K的最慢速度下，最多允许18个隐性位出现在总线上。 上电复位和欠压保护：上电到正常电压过程中，CANH和CANL为高阻状态，而在正常模式下，如果掉电到一个阀值以下，则强制进入隐性状态。 引脚描述： TXD:内部33K上拉，如果为低电平，则CANH和CANL获得总线，为显性。 VDD，VSS RXD：如果是低电平，总线发送了显性数据。由VDD或者VIO来供电。 SPLIT：参考电压输出，VDD/2 VIO：为数字脚供电，2561则通过VDD供电。 CANH和CANL：如果芯片没有上电，此引脚是不连接到总线的 STBY：内部上拉电阻，控制正常模式和待机模式 EP：传热 MCP2562与控制器的连接如下：

描述： MCP4726是一个12位带EEPROM和I2C接口的串行DAC，其小封装很适合在布局紧凑的应用方案上。 VREF或者VDD可以作为参考电压，如果是用VDD，则VDD连接内部参考电压，如果选择VREF，可以选择增益。 内部带EEPROM,在掉电情况下，保存DAC寄存器的值和配置位的值。 按照芯片的引脚定义，设计的DAC原理图如下，其中XTR117为电流输出电路。 引脚描述： VOUT:输出值可以从VSS到G*VRL,其中G为设置的增益。正常模式下，输出阻抗小，为1欧姆，在掉电模式下，通过大电阻下拉到地，此大电阻可以进行设置。 VDD：VDD的滤波推荐使用104电容和10UF的钽电容并联。 VSS：低阻要求，注意进行模拟隔离。 SDA：用上拉 SCL：用上拉 VREF：可以用此参考电压来替代VDD经过内部参考模块后生成的参考电压。 EP：如果有外部PAD，注意散热。 简介： 器件使用电阻阶梯结构，参考源可以选择，由程序控制。输出通过低功耗和高精度的运放进行缓冲，输出放大器提供一个低偏置电压和低噪声的轨对轨的输出。器件带EEPROM，允许POR/BOR值保存在DAC寄存器中和配置位中。 上电复位和掉电复位：保证正常的上电和掉电的操作，Vram的电压要小于POR的电压，对于POR，电压从0开始，到VPOR的时候，DAC固定的寄存器值锁存到DAC可变的寄存器中，配置位同上，POR位置一，复位延时开始，当定时器溢出，I2C接口开始工作。模拟输出通过可变的配置位和DAC寄存器值决定，这个过程就是上电复位 的过程。当电压低于VPOR时，器件强制进入掉电状态，在PD1和PD0中的状态是11，模拟电路关闭，可变DAC只强制到000，可变配置位VREF1，VREF0，G值强制到0. DAC的参考电压：有三种参考电压可供选择： 其中，如果选择VDD，则Vref则不需要链接，如果选择Vref模式，则可选择是否带缓冲，不带缓冲模式下，VREF可以从0V到VDD，如果在缓冲模式下，电压从0.01V到VDD-0.04V,缓冲能够提供低偏置电压，低噪声和高阻抗的输入。 梯度电阻：电阻梯度其实很简单，整个梯子就是N个1欧姆的电阻，比如12位的DAC，则电阻为4096欧，然后Vrl经过4096份电阻，如果要取第12梯的电压，则DAC设置在12的这个位置，取得一个模拟的电压值，梯子的结构如下： 输出BUFFER/Vout 从上图可以看出，VDD作为电源的时候不能用G=2，否则将超出VDD的输出边界，如果使用VREF，则可以设置G=2，这样，VREF=VDD/2为最大的VREF。 精度：每一步的电压变化大小根据参考电压和位数（12位）来决定，如VREF=3.3，则精度为3.3/4096。 输出变化率，由Vout负载决定。 最小的容性负载：如果容性负载比较小，输出缓冲的电流不会收到影响，但是Vout值则会受到影响，在本梯度到下一个梯度跳变的时候，会有一个斜坡，这个斜坡由BUF来决定。 大电容负载：这个斜率由输出缓冲漏电流和Vout负载来决定，输出电流不能超过漏电流ISC 驱动阻性和容性负载：Vout可以驱动一个100pF和5K并联的负载，如果电阻为3.5K左右，Vout的下降速度减小，推荐使用超过5K的负载电阻。 休眠操作：如果DAC操作不需要，有三种休眠模式可用。所有的休眠模式都会有如下的特点：关掉大部分内部电路，比如运放，电阻梯，运放输出为高阻状态，电阻梯和Vrl断开，保存DAC寄存器，配置位和EEPROM的寄存器和配置位值。三种模式的区别是：短路到地电阻的选择，有640K，125K和1K。在模式切换的过程中，Vout不再输出电流，电流通过下拉电阻输出。退出休眠模式：过程和上面是相反的。PD1和PD0=00的时候回到正常模式。 器件复位：器件复位有两种情况：一种是POR/BOR复位，一种是命令复位。 上电复位：将EEPROM中的值写入到RAM中（不可变写入到可变存储器中），复位延时定时器开启，此时不能接收I2C信号。 掉电复位：强制进入休眠模式，PD强制到11,RAM清空，I2C不能通信。 软件复位见下文。 寄存器，配置位和状态位 其中配置位上文的内容都有涉及到，两个状态位为RDY和POR，RDY只是EEPROM是否在进行编程，如果忙则为0，POR这个是当上电复位还没有完成，则为0，此时不能操作器件。 I2C接口 I2C协议为标准协议，支持三种速度：100K,400K和3.4M. 从机地址：从机地址的前两位固定为1100,后面三位为用户配置，这个三位的配置对应芯片的型号，不能随便设置，比如选用MCP4726A7，则A7对应最后三位为777，从机地址为0XC7。 高速模式在3.4M的速度下，其数据格式为：开始，高速模式选择，不响应，然后是重启开始，地址，响应，如下： GENERAL CALL： 这个是用于和其他所有从机通信的一个方法，这种地址有两种格式，可以用来复位和唤醒器件。 格式如下： MCP4726的I2C命令： 命令的发送包括读写存储器和GENERAL CALL的命令。 一共有如下的6条命令： 更新DAC寄存器：这个是用于快速更新DAC值的一个命令，包含要DAC和两个PD位。EEPROM的值不会变化。格式如下： 首先是发送地址和写位，等待从机响应，然后发送命令00，这里注意不是000或者001，然后跟两位PD和4位的数据，从机响应，然后跟剩下的8位数据，等待响应，然后由主机产生结束。 如果是需要连续不断的发数据，结束标志不需要发，继续发送重启信号和数据，此时地址不需要再发。这样可以快速的更新数据值。 写存储器：这种模式下，除了传送数据和PD以外，还可以传送G和VREF源，格式如下，和上面的命令类似，也可以发送重启进行快速数据更新： 写所有的存储器和写存储器命令格式是一样的，唯一不同就是词条命令会将EEPROM的数据也进行更新。 只写配置位：方法更简单，这个不能连续写，也没有这个必要，:-) 读MEMORY：这个需要读两组数据，一组是EEPROM的值，一组是寄存器中的值，按照如下的格式： GENERAL CALL命令：格式为，开始，然后7位0+写位响应+命令+响应结束。命令一共有两条，0X06为复位，0X09为唤醒。如下： DAC的术语：略 典型应用： 由于带EEPROM和睡眠模式，芯片主要用在如下应用中： 设置偏置点 传感器标定 便携式产品 电机控制 上拉电阻：电阻越大，能量消耗越小，但是增加了信号的传输延时，尤其是线路比较长或者总线节点比较多的情况下。电阻越小，则能量消耗大，但是传输速度快。通常选用1K~10K作为100K和400KHZ的速度情况下，如果选用HT模式，则电阻选用小于1K。 芯片的测试：简单的发送地址，看芯片是否产生响应就OK了。 供电考虑：如果选择VDD，则注意靠近芯片放置10UF钽电容和104的陶瓷电容。Vout根据需要防止小电容滤波。如果选用外部的参考源，同样需要加入钽电容和陶瓷电容。同时VDD也添加电容。

下面的内容通过TI公司XTR117官方数据手册提供,此芯片的厂家为TI旗下的BB。 数据手册链接地址： http://www.ti.com/lit/ds/symlink/xtr117.pdf 特性 静态电流小：130uA 向外提供5V电压 量程误差小0.05% 线性误差小：0.003% 宽电压范围:7.5V~40V 用途： 两线电流环 智能发送器 工业流程控制 测试系统 电流放大器 电压到电流的转换放大器 主要有两个模块，一个是为工业级应用的电流环模块，一个是5V调整管输出，为外部电路供电，IRET是一个外部电路的电流输入引脚，提供一个精确的外部电路电流输出。 如果要使用不同输出的vreg，可以选用XTR115和XTR116 应用说明 基础操作： XTR117是一个高精度的输出4-20mA的电流在工业级的电流环上，上图的基本框图中可以看出，XTR117是一个两线的电流发送器，由输入电流控制输出电流，电流的输入一部分是由PIN2输入，一部分是Q1输入，外部电源可以通过Vreg电路来提供，从这些地方流出的电流，必须从IRET中返回。XTR117内部有一个100增益的运放，输入输出的关系为IO=100*Iin，输入端链接一个Rin的电阻，电压从1V到最大值，推荐使用1.5V以上电压来降低电压偏置的影响。 外部晶体管： 外部晶体Q1,主要做为一个电流输出源，如果使用40V和20mA的电流输出，此晶体管的功耗高达0.8W，XTR117通过使用外部的晶体管来避免产生温飘，所以在安装晶体管的时候应该避免和模拟部分的电路离的太近。 晶体管的选型主要考虑NPN型，冲击电压，电流以及功耗，因为会有一个温度传导效果，最好不使用表贴的封装，可以考虑下面的一些型号来做设计：MJE3440,TIP41C，MJD3340. 最小输出电流： 因为有一个静态电流输出，IQ=130uA，如果电流为0，也会有一个IQ输出，当Iin大于IQ/100时，电流才开始增加，超过3.8mA输出的时候，才能为外部电路提供电流。 最低输入电流4mA的产生： 可以通过下图来产生一个4mA的最小电流输出： Vref=2.5V/Rin=40uA 输出=40uA*100=4mA.然后再输入一个0~160uA的电流则，输出4~20mA的电流范围。 最大输出电流： 最大的输出电流可以高达25mA，也可以拓展电流的输出到32mA，超过45mA则会损坏芯片。 防反接保护： 上面的电路中，如果V+和IO引脚反接，则会损坏芯片，可以通过如下的方式串接一个二极管桥来防止反接。 过压保护： 电压由比较远的模块来提供，容易产生一个浪涌电压，所以模块提供的电压最好是比XTR117的最大电压要低，可以采用稳压管来实现这样的目的，最好是选择一个钳位二极管来保护电路，XTR117能够承受的底稿电压为50V，所以推荐稳压管选用7.5V~40V。这里有一点需要特别注意的是，使用稳压管一定要配合桥路来使用，否则反接很容易烧坏稳压管。 无线干扰信号： 长导线传输会接收到无线的干扰，功过上面的电路也可以对无线干扰进行一些整形，无线干扰会产生不稳定的电流输出。 参考电压的输入方法： 有三种方式来输入参考电压，一种是电压形式DAC来输出，另外一个是IO端口输出数字电平，同过光耦隔离后，用电流输出的DAC来输出一个电流，还有一种方式是用PWM，以及一个RC滤波器来输出一个模拟电压、 如何通过第三种方式，也就是通过PWM输出一个模拟电压，下文将进行整理，以及源码解读。

简介： 输出比较通过定时器与一个或者两个比较寄存器的值，其有多种模式可以选择，当定时器值匹配寄存器里面的值的时候，输出状态改变，可以输出一个脉冲，也可以输出一组脉冲，通过可以在匹配时间发生时产生中断。 输出比较模块有如下多种操作模式： 单次时间拉高或者拉低 翻转模式 延时一个单次的模式 连续脉冲模式 PWM模式（带故障和不带故障保护） 输出比较寄存器： 每一个输出比较模块都有如下的寄存器： 控制寄存器 输出比较寄存器和辅输出比较寄存器 控制寄存器： OSCIDL：闲置时挂起还是继续有效 OCFLT：PWM的故障条件标志 OCTSEL：定时器选择 OCM：8种模式选择位 如果操作输出比较 定时器选择：定时器在控制寄存器中进行选择，选定的定时器从0开始计时，如果等于PR的值达到，则定时器清零，重新开始，定时器的时钟来源有两个，FOSC/2或者是TXCK输入的异步时钟。 模式选择，输出比较一共有8中模式选择，如下： 几种模式的介绍如下: 单次激活为低模式：也就是使能后，电平为低，如果匹配值到达，输出为高，同时输出一个中断。 单次激活为高模式：跟上面的情况正好相反。 翻转模式，用于产生50%的占空比，相当于上面的两种模式轮流开启。 特殊说明，如果上面的三种模式，OCXR=0,则第一次匹配的时候不产生电平变化和中断 延时单次模式：激活时为低，第一次匹配不中断，只拉高电平，再一次匹配，则拉低+中断。 连续脉冲模式：激活时为低，匹配时拉高，再匹配时拉低，此时产生中断。用于产生固定占空比的方波。 特殊说明：上面的两种情况下，RS，R，PRY的大小有大小要求，同样，如果OCXR=0，第一个定时器周期放弃。 无故障保护的PWM模式：PWM用于产生可变占空比，此时占空比通过RS调整，它作为R的一个影子寄存器，以防止出现故障。此时R只能读，OCX激活时的电平取决于OCXR是否为0，当定时器工作，匹配R后OCX拉低。然后定时器继续，RS加载到R上，OCX电平继续取决于OCXR。 简单来说，当OCXR一开始不是为0，也就是为20的时候，OCX拉高，当定时器到达20的时候，OCX拉低，然后定时器继续跑，跑完这个周期后，RS=50加载进来，同时OCX拉高继续下一个周期。 而如果OCXR一开始为0，则OCX一开始为低，跑完这个周期以后拉高，然后加载RS进来开始下一个周期。 PWM的周期和占空比通过上面的描述也容易计算出来。 带故障保护的PWM模式，这种模式下，如果有FAULT的条件，输出为三态，其他和上面的相同。OCFA和OCFB就是这个异常状态的来源，如果此位被拉低，则会产生一个三态输出，同时如果设置了中断，则中断产生。使用的时候可以通过上下拉来设置输出脚，而不是三态输出。 输出比较的DMA操作 和操作其他的DMA类似，具体看程序。 在节能模式下的操作： 睡眠模式下，OC不工作，如果故障检测功能开，则也会被拉高，但是如果芯片被唤醒，会加入到中断列队中。 闲置模式，如果选择继续工作，则全速全功能工作，如果选择不工作，功能同睡眠模式。 IO的配置 如果使能OC模块，则IO被模块控制，不再需要配置LAT和TRIS，只有在带故障检测的PWM，故障的输入引脚需要配置为输入，这里要注意。但是部分芯片，这种模式下，IO要配置为输出，具体要看手册。 官网有如下的资料，如果需要可以下载深入进行了解：

程序存储器 下图所示PIC24H器件有4M*24位的程序存储单元，有三种方法来访问这些单元。  23位的PC  通过talble读写指令  映射一个32K的段 程序空间分为用户编程单元和用户配置单元 用户编程单元包括一个复位向量，中断向量表，和存储单元 用户配置空间包括非可变的配置位来设置器件的参数和器件ID. 如下框图为存储器的隐射图 控制寄存器 CORCON：只有一位有效，PSV，作为使能和去使能PSV段可见。 PSVPAG:一共8位地址，和W寄存器的15位最低有效位构成23位的程序地址单元。 TBLPAG：一共8位，和W寄存器的15位最低有效位构成23位的程序地址单元。 PC: 从上面的存储器映射可以看出，PC没有指向地址为奇数的空间。这个是为了兼容数据空间寻址，部分器件可以寻址4M，每一个指令字的宽度为24比特。 PC的最低位为PSV和table指令保留，在指令寻址的时候，此位不需要，直接设置为0. 下图闲置了一个指令读取的例子，注意PC22:1=2*PC22:0 用TABLE指令的程序存储器读写 TBLRDL和TBLWTL可以直接读写任何程序空间地址的最低有效位， 而不需要通过数据地址，这个在有些应用中很有用。 TBLRDH和TBWTH是唯一可以将高8位的程序字作为数据字的指令。 TABLE指令汇总： TABLE指令可以在程序空间和数据空间中传递字节和字的类型，TABLE读指令是从程序空间中读到数据空间，写则是数据空间到程序空间。 这里有一个问题，数据空间的宽度是16位，而程序空间为24位，TABLE指令可以把程序空间当成两个16位的地址空间，这样，最大可寻址64K。 低位的读写则读写程序空间的低16位，而高8位则通过高位读写指令来完成，最高8位虽然可寻址，但是是不存在的，是一个需的地址。 如何产生一个TABLE地址？ 我们知道，地址的宽度是24位，这样，8位TBLPAG作为选择程序空间还是配置空间，而另外的16位作为寻址的地址，这样的就是32K个16位的地址，一共64K空间。 程序空间的数据TABLE地址 有三种情况，如果是TBLRDL.W这样的形式，则后面跟的是16位地址，如果是TABLRDL.B则看Wn的最低位，如果是0，则是最低8位地址，如果是1，位高8位的地址。 程序空间的高8位读写： 程序空间的高8位通过TBLRDH和TBLWTH来读写，和读第八位是一样的，不同的是，这个16位的前八位是无效的，读的时候返回的是0. 程序空间的数据存储 大部分的应用时候，高8位是没有使用的，数据存储按照16位宽度存储，推荐没有使用的位用NOP指令来填充，或者使用一个非法码，来保护此8位被意外执行。高8位通常在矩阵的存储和修改等需要压缩数据存储的条件下使用。 数据的程序空间可视 高达32K的数据可以映射到程序空间，这种模式叫做PSV，这种模式下，无需特殊指令，即可将数据存储到程序空间。 PSV的配置 PSV可以通过CORCON来设置，使能后，一半的数据空间可以映射到程序空间，低16位时可用的，而高8位不能隐射，需要用非法指令或者NOP来填充，位了保存系统的稳定，高8位只能通过指令来进行读写。 W寄存器中包含的低15位地址为有效地址，最高位则表示数据空间的类型，如果最高位为1，则表示映射到PSV，如果最高位位0，则表示不映射，存储到数据存储器中。 数据存储器简介 PIC24H的数据宽度为16位，数据空间最大可以寻址64K，数据的读写是通过两个AGU来产生地址的。 64K的数据空间最大为0XFFFF,也就是最大的空间为64K，其中PIC24HJ系列的存储器结构如下： 图中，2K空间为SFR，另外有8K的RAM空间，其中的8K空间包括了2K的DMA RAM，最大的地址也就是0X2800. 实际上X DATA RAM的空间为0X0800到0X2000，共6K。 W寄存器可以做为一个地址指针来进行读写。具体的DMA RAM可以参考DMA的资源。 从上面的图中可以看出，除了DMA RAM以外的数据存储区，都是Near数据存储区。 最高有一半的存储区可以通过PSV映射到程序空间，具体看PSV的介绍。 NEAR数据存储区 有8K的空间可以作为NEAR数据存储区，也就是说，PIC24HJ128GP506这颗芯片出了DMA RAM以外都可以当作13位直接寻址的NEAR区间。 AGU: 16位的地址都可以通过AGU来产生，如果超过这个范围，在复位的介绍可以看到，芯片将产生一个复位。AGU分为读写两个，都是在预取指的时候开始获得一个EA。 数据队列: 数据队列如下： 从上图可以看出，每一个地址存放的是一个字节数据，两个地址存放一个16位的数据，这个16位的数据分为高字节和低字节两个字节。一个偶数地址存放一个字的类型的数据，32位的数据为Long wrod数据，按照低字先存的方式列队存储。 DMA RAM: 这个在DMA资源部分有详细介绍。 FLASH编程简介 在程序存储器中介绍过TABLE指令，而在FLASH编程里面，就是用到了四条TABLE指令来实现的，具体的TABLE指令的例子也可以参考手册。 控制寄存器： NVMCON:这个是FLASH编程和擦除主要的控制寄存器。 NVMKEY:这个主要是防止意外的擦写FLASH操作，擦除之前，需要先写入0X55,然后写入0XAA,然后是两条NOP就可以擦除。 在这个过程中，必须先关中断，防止被中断打断。 NVMCON有如下的控制位： WR，初始化一个编程和擦除操作 WREN：使能编程和擦除 WRERR：编程和擦除错误标志 ERASE:擦除使能 NVMOP：擦除操作选择，选择要擦除的部分。如果ERASE=0，则，作为编程操作  RTSP: RTSP通过TABLE指令修改FLASH内容，也可以进行擦除和编程，一次性擦除为64*8条指令，或者一次性写入64条指令。 具体如何操作来读写这个缓冲，参考手册内容。