原创 PIC24HJ单片机自学笔记-程序存储器、数据存储器和FLASH编程
程序存储器
下图所示PIC24H器件有4M*24位的程序存储单元，有三种方法来访问这些单元。
23位的PC
通过talble读写指令
映射一个32K的段
程序空间分为用户编程单元和用户配置单元
用户编程单元包括一个复位向量，中断向量表，和存储单元
用户配置空间包括非可变的配置位来设置器件的参数和器件ID.
如下框图为存储器的隐射图
控制寄存器
CORCON：只有一位有效，PSV，作为使能和去使能PSV段可见。
PSVPAG:一共8位地址，和W寄存器的15位最低有效位构成23位的程序地址单元。
TBLPAG：一共8位，和W寄存器的15位最低有效位构成23位的程序地址单元。
PC:
从上面的存储器映射可以看出，PC没有指向地址为奇数的空间。这个是为了兼容数据空间寻址，部分器件可以寻址4M，每一个指令字的宽度为24比特。
PC的最低位为PSV和table指令保留，在指令寻址的时候，此位不需要，直接设置为0.
下图闲置了一个指令读取的例子，注意PC<22:1>=2*PC<22:0>
用TABLE指令的程序存储器读写
TBLRDL和TBLWTL可以直接读写任何程序空间地址的最低有效位，
而不需要通过数据地址，这个在有些应用中很有用。
TBLRDH和TBWTH是唯一可以将高8位的程序字作为数据字的指令。
TABLE指令汇总：
TABLE指令可以在程序空间和数据空间中传递字节和字的类型，TABLE读指令是从程序空间中读到数据空间，写则是数据空间到程序空间。
这里有一个问题，数据空间的宽度是16位，而程序空间为24位，TABLE指令可以把程序空间当成两个16位的地址空间，这样，最大可寻址64K。
低位的读写则读写程序空间的低16位，而高8位则通过高位读写指令来完成，最高8位虽然可寻址，但是是不存在的，是一个需的地址。
如何产生一个TABLE地址？
我们知道，地址的宽度是24位，这样，8位TBLPAG作为选择程序空间还是配置空间，而另外的16位作为寻址的地址，这样的就是32K个16位的地址，一共64K空间。
程序空间的数据TABLE地址
有三种情况，如果是TBLRDL.W这样的形式，则后面跟的是16位地址，如果是TABLRDL.B则看Wn的最低位，如果是0，则是最低8位地址，如果是1，位高8位的地址。
程序空间的高8位读写：
程序空间的高8位通过TBLRDH和TBLWTH来读写，和读第八位是一样的，不同的是，这个16位的前八位是无效的，读的时候返回的是0.
程序空间的数据存储
大部分的应用时候，高8位是没有使用的，数据存储按照16位宽度存储，推荐没有使用的位用NOP指令来填充，或者使用一个非法码，来保护此8位被意外执行。高8位通常在矩阵的存储和修改等需要压缩数据存储的条件下使用。
数据的程序空间可视
高达32K的数据可以映射到程序空间，这种模式叫做PSV，这种模式下，无需特殊指令，即可将数据存储到程序空间。
PSV的配置
PSV可以通过CORCON来设置，使能后，一半的数据空间可以映射到程序空间，低16位时可用的，而高8位不能隐射，需要用非法指令或者NOP来填充，位了保存系统的稳定，高8位只能通过指令来进行读写。
W寄存器中包含的低15位地址为有效地址，最高位则表示数据空间的类型，如果最高位为1，则表示映射到PSV，如果最高位位0，则表示不映射，存储到数据存储器中。
数据存储器简介
PIC24H的数据宽度为16位，数据空间最大可以寻址64K，数据的读写是通过两个AGU来产生地址的。
64K的数据空间最大为0XFFFF,也就是最大的空间为64K，其中PIC24HJ系列的存储器结构如下：
图中，2K空间为SFR，另外有8K的RAM空间，其中的8K空间包括了2K的DMA RAM，最大的地址也就是0X2800.
实际上X DATA RAM的空间为0X0800到0X2000，共6K。
W寄存器可以做为一个地址指针来进行读写。具体的DMA RAM可以参考DMA的资源。
从上面的图中可以看出，除了DMA RAM以外的数据存储区，都是Near数据存储区。
最高有一半的存储区可以通过PSV映射到程序空间，具体看PSV的介绍。
NEAR数据存储区
有8K的空间可以作为NEAR数据存储区，也就是说，PIC24HJ128GP506这颗芯片出了DMA RAM以外都可以当作13位直接寻址的NEAR区间。
AGU:
16位的地址都可以通过AGU来产生，如果超过这个范围，在复位的介绍可以看到，芯片将产生一个复位。AGU分为读写两个，都是在预取指的时候开始获得一个EA。
数据队列:
数据队列如下：
从上图可以看出，每一个地址存放的是一个字节数据，两个地址存放一个16位的数据，这个16位的数据分为高字节和低字节两个字节。一个偶数地址存放一个字的类型的数据，32位的数据为Long wrod数据，按照低字先存的方式列队存储。
DMA RAM:
这个在DMA资源部分有详细介绍。
FLASH编程简介
在程序存储器中介绍过TABLE指令，而在FLASH编程里面，就是用到了四条TABLE指令来实现的，具体的TABLE指令的例子也可以参考手册。
控制寄存器：
NVMCON:这个是FLASH编程和擦除主要的控制寄存器。
NVMKEY:这个主要是防止意外的擦写FLASH操作，擦除之前，需要先写入0X55,然后写入0XAA,然后是两条NOP就可以擦除。
在这个过程中，必须先关中断，防止被中断打断。
NVMCON有如下的控制位：
WR，初始化一个编程和擦除操作
WREN：使能编程和擦除
WRERR：编程和擦除错误标志
ERASE:擦除使能
NVMOP：擦除操作选择，选择要擦除的部分。如果ERASE=0，则，作为编程操作
RTSP:
RTSP通过TABLE指令修改FLASH内容，也可以进行擦除和编程，一次性擦除为64*8条指令，或者一次性写入64条指令。
具体如何操作来读写这个缓冲，参考手册内容。
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