标签: sot23

型号：FDV301N-NL-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-功能类型：N沟道MOSFET-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻：24mΩ（4.5V时），33mΩ（2.5V时）-门极电压：8Vgs（±V）-阈值电压：0.45~1Vth-封装类型：SOT23应用简介：该型号的FDV301N-NL-VBN沟道MOSFET适用于多种领域的电路模块应用。以下是一些可能的应用领域：1.电源管理模块：由于FDV301N-NL-VB具有较低的开态电阻和适中的额定电流，它可以用在各种电源管理模块中，如开关电源、电池保护电路等。2.DC-DC转换器：由于该MOSFET的低开态电阻和较高的额定电流，它在DC-DC转换器中可以提供较低的导通损耗和较高的效率。3.电压稳定器：FDV301N-NL-VB具有较低的开态电阻，在电压稳定器中可以提供稳定的输出电压和较低的功耗。4.电机驱动：该型号的MOSFET适用于小功率的电机驱动电路，可以提供较低的开态电阻和较高的额定电流。5.LED驱动：因为FDV301N-NL-VB具有适中的电流和较低的开态电阻，它可以用于LED照明应用中的电流调节和驱动电路。总结起来，FDV301N-NL-VBN沟道MOSFET适用于电源管理、DC-DC转换器、电压稳定器、电机驱动和LED驱动等多种电路模块应用。

型号：SI2309DS-T1-GE3-VB丝印：VB2658品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.2A-开通电阻：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源极电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-2Vth(V)-封装类型：SOT23应用简介：SI2309DS-T1-GE3-VB是一种P沟道功率MOSFET，适用于各种领域的应用。它具有较高的额定电压和额定电流，能够提供可靠的功率放大和开关控制。其低开通电阻，在低电压下能够提供较低的功耗，同时保持较低的温升。这些产品适用于以下领域模块：1.电源模块：SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电源模块中的开关电源，为电子设备提供稳定和高效的电源转换。2.电机驱动模块：由于SI2309DS-T1-GE3-VB具有较高的额定电流和低的开通电阻，它可以用于电机驱动模块中，实现电机的高效、精确控制。3.照明模块：SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于LED照明模块中的开关电源，提供稳定和可靠的电源供应，以实现高亮度和节能的照明效果。4.电池管理模块：SI2309DS-T1-GE3-VB可以用于电池管理模块中的电源开关和电流控制，以保护电池并提供高效的充放电控制。总结而言，SI2309DS-T1-GE3-VB适用于各种领域模块，包括电源模块、电机驱动模块、照明模块和电池管理模块等，用于功率放大、开关控制和电源转换等应用。

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极源极电压：±20V-阈值电压：-1V-封装：SOT23应用简介：该产品是一款P沟道MOSFET，适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压，能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。该产品适用于以下领域模块：1.电源模块：用于电源管理、电压调节、稳压等电源系统的搭建；2.电动工具模块：用于电动工具的电源开关、电流控制等；3.汽车电子模块：用于汽车电子系统的开关驱动、电路保护等；4.通信模块：用于通信设备的功率放大、信号开关等；5.工控模块：用于工业控制系统中的电流控制和开关驱动等。总之，SSC8035GS6-VB是一款适用于多个领域模块的P沟道MOSFET，具有低电阻、高耐压等特点，广泛应用于电源、电动工具、汽车电子、通信和工控等领域。

详细参数说明：型号：SSM3K301T-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-工作电压：20V-额定电流：6A-开态电阻：RDS(ON)=24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门压范围：8Vgs(±V)-阈值电压范围：0.45~1Vth(V)-封装类型：SOT23应用简介：该产品是一种N沟道功率MOSFET，适用于电压在20V以下的各种应用场景。由于其低开态电阻和高额定电流，它可以提供高效的开关特性。因此，适用于需要高速开关和高负载电流的各种领域。该产品的主要应用领域包括但不限于：1.电源管理模块：适用于电池管理、充电器和逆变器等电源管理模块中的功率开关。2.电动工具：适用于电动工具的驱动电路，如钻机、锤钻、砂轮机等。3.汽车电子：适用于车载电子模块，如涡轮增压器电动阀、燃油喷射电路等。4.工业自动化：适用于机器人控制、工控设备、电动机驱动等工业自动化领域。5.LED照明：适用于LED驱动电路，如LED灯带、LED灯泡等。总结起来，SSM3K301T-VB适用于需要高效的高功率开关和合理的工作电压的各种领域模块，包括电源管理、电动工具、汽车电子、工业自动化和LED照明等。

型号：DMG3415U-7-F-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定工作电压：-30V-额定工作电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围：±20Vgs-阈值电压：-1Vth-封装形式：SOT23详细参数说明：DMG3415U-7-F-VB是一种P沟道MOSFET，其额定工作电压为-30V，额定工作电流为-5.6A。该器件的导通电阻为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V时分别对应两种不同的工作电压。其门源电压范围为±20Vgs，阈值电压为-1Vth。该器件采用SOT23封装形式。应用简介：DMG3415U-7-F-VB适用于多个领域的模块和应用。由于其能够承受高电流和较高的工作电压，使其适用于需要高功率驱动的应用。以下是一些可能的应用领域：1.电源模块：DMG3415U-7-F-VB可用于电源模块中的开关电源设计，用于电压转换和电流管理。2.电机驱动模块：该器件适用于电机驱动模块，例如直流电机驱动器或步进电机驱动器。3.照明模块：由于该器件能够承受较高的电流和工作电压，因此可用于LED照明驱动模块。4.工业控制模块：DMG3415U-7-F-VB可用于工业控制模块，如PLC（可编程逻辑控制器）或工业自动化设备。5.电池管理模块：该器件适用于电池管理模块，用于控制电池充放电和保护功能。总结：DMG3415U-7-F-VB是一款P沟道MOSFET器件，适用于多个领域的模块和应用。它具有承受较高电流和工作电压的特性，适用于需要高功率驱动的应用。常见的应用领域包括电源模块、电机驱动模块、照明模块、工业控制模块和电池管理模块等。

丝印：VB2355品牌：VBsemi型号：SPP3407DS23RGB-VB参数说明：-电源电压（Vds）：-30V-电流（Id）：-5.6A-开关电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-硅门压（Vgs(±V)）：20V-硅门阈值电压（Vth）：-1V-封装类型：SOT23应用简介：SPP3407DS23RGB-VB是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。它具有低电阻、高电流处理能力，适用于各种需要进行开关控制或功率放大的应用。该产品主要应用于以下领域模块：1.电源模块：由于SPP3407DS23RGB-VB能够承受高电流和电压，因此非常适用于电源模块中的开关电路和功率放大电路。2.电调模块：对于需要对电机进行控制的设备，如电调模块，SPP3407DS23RGB-VB能够提供高效的电源开关和驱动功能。3.车载电子模块：由于其小巧的封装和高电流处理能力，SPP3407DS23RGB-VB可用于车载电子模块中的驱动器和电源开关。4.工业自动化模块：在工业自动化和控制系统中，SPP3407DS23RGB-VB可以用作各种开关和放大电路的关键元件。总之，SPP3407DS23RGB-VB是一款高性能P沟道MOSFET器件，适用于各种需要进行高电流、高电压开关控制或功率放大的领域模块。

型号：SI2314EDS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：20V-最大漏电流：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压（Vth）：0.45Vto1V-封装：SOT23应用简介：SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于低功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于小型电子系统。领域模块应用：1.电源开关模块：SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率电源开关应用，如便携式电子设备和电池供电设备。2.信号开关：适用于低功率信号开关和控制电路，如小型开关电路和信号切换器。3.低功耗模块：在需要低功耗的模块中，如传感器节点、小型控制器，可发挥作用。这些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。

型号：SSF2341E-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-开通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源极电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)-封装类型：SOT23应用简介：该型号的VBsemi丝印为VB2290的P沟道场效应管适用于各种需要在低电压和低功耗工作的领域模块。它可应用于以下领域模块中：1.电源管理模块：由于其低沟道电阻和可靠的性能，该场效应管可用于各类电源管理设备，如电源开关、稳压器、DC-DC转换器等。2.电动工具模块：具有较高的耐压和电流承受能力，该场效应管可用于电动工具模块中的开关电路、驱动电路等。3.电动车辆模块：由于其高耐压和低功耗特性，该场效应管可用于电动车辆中的电池管理系统、电动机驱动系统等。4.工业控制模块：该场效应管的低沟道电阻和高可靠性使其成为工业控制系统中的理想选择，可以用于各种开关电路和控制电路。总结：SSF2341E-VB是VBsemi品牌的场效应管，是一种P沟道器件。它具有低沟道电阻、高耐压和低功耗的优势，广泛应用于电源管理模块、电动工具模块、电动车辆模块以及工业控制模块等领域。

型号：MI3407-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-开态电阻(RDS(ON))：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-额定门源电压范围(20Vgs(±V))-阈值电压(-1Vth(V))-封装类型：SOT23应用简介：这个型号的MI3407-VB晶体管可广泛应用于各种电子设备和模块中。它是一个P沟道MOSFET晶体管，可以被用于电路开关、功率放大、电源管理等各种应用领域。其低开态电阻和高额定电流使得它非常适合用于高效率的功率控制电路。另外，它的封装类型为SOT23，易于安装和布局。这些产品可用于以下领域模块：-电源管理模块：MI3407-VB的高额定电压和额定电流使其非常适合应用在电源管理模块中，例如直流电源开关。-电路开关模块：MI3407-VB的低开态电阻和高耐压特性使其非常适合用于开关电路，例如电机驱动电路和继电器驱动电路。-功率放大模块：MI3407-VB的高额定电流和低开态电阻使其非常适合用于功率放大模块，例如音频放大器和功率放大器。总之，MI3407-VB晶体管可广泛应用于不同领域的模块中，包括电源管理模块、电路开关模块和功率放大模块。它的优秀参数和封装类型使其成为具有高性能和易用性的选择。

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。-**持续电流（ID）：**6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。-**导通电阻（RDS(ON))：**24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**0.45~1V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压范围。-**封装：**SOT23，这是一种小型表面贴装封装。应用简介：N沟道MOSFET在多种领域中得到广泛应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，包括移动设备、笔记本电脑和其他电子产品中的DC-DC转换器。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。3.**电机控制：**用于小型电机控制，例如电动工具、风扇和模型汽车。4.**LED驱动：**用于LED照明应用，以提供精确的LED灯光控制。5.**移动设备：**在手机、平板电脑和便携式电子设备中，用于电源管理和电池保护。6.**电子模块：**用于各种类型的电子模块，以实现电源开关和电流控制。这种N沟道MOSFET适用于低电压和低功率应用，通常用于便携式电子设备和小型电子电路中，以提供高效的电流控制和电源管理。

型号：NTR4170NT1G丝印：VB1330品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.2~2.2Vth-封装：SOT23应用简介：NTR4170NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6.5A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于低电压电源开关和电池管理系统等。2.照明模块：可用于LED驱动和照明控制。3.消费电子模块：适用于手机、平板电脑和数码相机等消费电子设备中的功率管理。总之，NTR4170NT1G适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和消费电子模块等。

型号：AO3414   丝印：VB1240  品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压：0.45~1V-封装类型：SOT23详细参数说明：AO3414是一款N沟道MOS管，适用于最大20V的工作电压，最大6A的电流承载能力。其导通电阻在4.5V下为24mΩ，2.5V下为33mΩ。阈值电压为0.45~1V，需要在控制电压大于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23。应用简介：AO3414适用于低电压和较小电流应用领域，如电池保护、电源管理、低功耗设备等。其低导通电阻和较低的额定电压使其适合于高效能转换和低功耗应用。在电池保护模块、电源管理模块和低功耗设备中，AO3414能够提供稳定的功率传输和低功耗特性。综上所述，AO3414适用于低电压和较小电流承载能力的应用，特别适用于电池保护、电源管理和低功耗设备等领域模块。其低导通电阻、较低的额定电压和低功耗特性为这些模块提供了高效能转换和低功耗的特性。

型号：SI2323DDS-T1-GE3  丝印：VB2355  品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：-1V-封装类型：SOT23详细参数说明：SI2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOS管，适用于最大-30V的工作电压，最大-5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47mΩ，4.5V下为56mΩ。阈值电压为-1V，需要在控制电压小于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23。应用简介：SI2323DDS-T1-GE3适用于需要低电压和中等电流的应用领域，如电源开关、电池保护、电源管理等。其低导通电阻和较低的额定电压使其能够提供高效能转换和可靠的开关控制。在电源开关模块、电池保护模块和电源管理模块中，SI2323DDS-T1-GE3能够提供稳定的功率传输和可靠的电路保护。综上所述，SI2323DDS-T1-GE3适用于低电压和中等电流承载能力的应用，特别适用于电源开关、电池保护和电源管理等领域模块。其低导通电阻、较低的额定电压和稳定的性能为这些模块提供了高效能转换和可靠的电路控制。

型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-**P沟道：**该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**-20V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。-**持续电流（ID）：**-4A，表示MOSFET可以承受的最大电流。负值表示电流方向与N沟道MOSFET相反。-**导通电阻（RDS(ON))：**57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**-0.81V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。负值表示电压极性相反。-**封装：**SOT23，这是一种小型表面贴装封装。应用简介：P沟道MOSFET通常用于多种功率电子应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，包括移动设备、笔记本电脑和其他电子产品中的DC-DC转换器。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以防止电池充电或放电时的电流过大。3.**电源逆变器：**用于逆变器应用，将直流电转换为交流电，通常在太阳能逆变器和UPS系统中使用。4.**电机驱动：**用于电机控制应用，包括电机驱动器和电动车辆控制。5.**LED驱动器：**用于LED照明应用，以实现高效的LED灯光控制。这种P沟道MOSFET适用于需要P沟道器件的电子电路，它能够提供可靠的电流控制和开关性能，通常用于功率电子领域以提高效率和性能。

型号：AP2306GN丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：20V-最大电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：8Vgs(±V)-门阈电压：0.45~1Vth-封装：SOT23应用简介：AP2306GN是一款N沟道MOSFET，适用于低电压和中等电流的应用。其最大耐压为20V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于低电压电源开关和电池管理系统等。2.照明模块：可用于LED驱动和照明控制。3.手持设备：适用于手机、平板电脑等手持设备中的负载开关和电源控制。总之，AP2306GN适用于低电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和手持设备等。

型号：MEM2310XG丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.5A-RDS(ON)：30mΩ@10V，33mΩ@4.5V-门源电压范围：20V-门源阈值电压范围：1.2V~2.2V-封装类型：SOT23应用简介：MEM2310XG（丝印：VB1330）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：MEM2310XG是一款N沟道功率MOSFET，适用于多种领域和应用场景。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为6.5A，RDS(ON)为30mΩ@10V，33mΩ@4.5V，门源电压范围为20V，门源阈值电压范围为1.2V~2.2V，封装类型为SOT23。应用领域：MEM2310XG（VB1330）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路设计。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：MEM2310XG可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.逆变器与变换器：它适用于逆变器和变换器中的开关电路设计，提供可靠的电流控制与电能转换。3.LED驱动：MEM2310XG也适用于LED驱动电路，提供稳定的电流控制和高效能的电能转换。综上所述，MEM2310XG（VB1330）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、逆变器与变换器以及LED驱动等领域模块。它具有较低的导通电阻和高可靠性，适用于需要高效能和电流控制的电路。

型号：IRLML6344TRPBF丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23该产品具有以下详细参数说明：-类型：N沟道功率场效应管-最大耐压：30V-最大漏极电流：6.5A-导通时的电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs）范围：±20V-阈值电压（Vth）范围：1.2V至2.2V-封装：SOT23该产品适用于以下领域模块：-电源开关：IRLML6344TRPBF可用于电源开关模块，实现电源的控制和转换。-电池管理：适用于电池管理模块，实现电池的充放电控制和保护功能。-电流控制：可用于需要控制电流的模块，提供稳定的电流放大和电路控制能力。-LED照明：适用于LED照明驱动模块，提供对LED灯的驱动和亮度控制。综上所述，IRLML6344TRPBF适用于电源开关、电池管理、电流控制和LED照明等领域模块。

型号：SI2314DS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VDS）：**20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。-**持续电流（ID）：**6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。-**导通电阻（RDS(ON))：**24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。-**阈值电压（Vth)：**0.45~1V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。-**封装：**SOT23，这是一种小型表面贴装封装。应用简介：N沟道MOSFET在多种领域中得到广泛应用，包括但不限于：1.**电源开关：**用于电源开关电路，包括移动设备、笔记本电脑和其他电子产品中的DC-DC转换器。2.**电池保护：**用于电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。3.**电机控制：**用于小型电机控制，例如电动工具、风扇、和模型汽车。4.**LED驱动：**用于LED照明应用，以提供精确的LED灯光控制。5.**移动设备：**在手机、平板电脑和便携式电子设备中，用于电源管理和电池保护。6.**电子模块：**用于各种类型的电子模块，以实现电源开关和电流控制。这种N沟道MOSFET适用于低电压和低功率应用，通常用于便携式电子设备和小型电子电路中，以提供高效的电流控制和电源管理。

型号：ME2323D-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-开态电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：-0.81V-封装：SOT23应用简介：ME2323D-VB是一款P沟道MOSFET，适用于需要低开态电阻和低电压的应用。这款MOSFET可用于电源开关、电池保护、信号放大和其他需要P沟道MOSFET的电路。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：ME2323D-VB可用于电源开关应用，尤其适用于低电压电源，如电池供电设备。2.**电池保护**：在电池管理系统中，这款MOSFET可以用于电池充放电控制和保护，确保电池组的安全运行。3.**信号放大**：由于其低阈值电压和低开态电阻，ME2323D-VB适用于信号放大和开关应用，如放大电路和信号切换。4.**低电压应用**：这款MOSFET的低电压和低开态电阻特性使其适用于低电压电路设计。总之，ME2323D-VB适用于多个领域，包括电源开关、电池保护、信号放大和低电压应用等模块。其P沟道特性和低电压特性使其成为处理低电压应用的理想选择，同时也可用于各种需要P沟道MOSFET的电路设计。

型号:AP2310N-VB丝印:VB1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):96mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):1V至3V-封装:SOT23应用简介:AP2310N-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**AP2310N-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其高额定电压和适中电流容忍能力使其适用于各种电源开关电路。2.**电源管理：**在电源管理模块中，AP2310N-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。3.**电池保护：**在锂电池保护电路中，AP2310N-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。4.**LED驱动：**在LED照明驱动电路中，可以用于控制LED的亮度和稳定电流，适用于照明应用。5.**电流控制：**可以用于电流控制电路，例如电流限制器和电流源。这些应用领域涵盖了各种电子设备和模块，AP2310N-VB的高电压容忍能力和适中电流特性使其成为用于电源管理和电流控制的理想元件。它可以在各种电路中实现高效率和可靠性。