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微波低噪声放大器的Serenade优化设计Ansoft2004年用户通讯-21-微波低噪声放大器的Serenade优化设计顾伟安叶（北京理工大学电子工程系微波电路实验室，100081）[摘要]：本文首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论、方法和过程，然后介绍使用微波电路CAD软件Ansoft公司的Serenade8.71进行分析和优化设计一个微波低噪声放大器的方法和过程。获得了较为理想的结果：工作频带：9.6～10.6GHz，噪声系数：低噪声放大器(LNA)在接收机系统中处于前端，主要作用是放大接收到的微弱信号，降低噪声干扰。LNA的设计对整个接收机性能至关重要，它直接影响整机性能，尤其是接收机灵敏度。随着通讯、雷达技术的发展，对微波宽频带低噪声放大器也提出更加严格的要求。利用微波电路CAD设计软件来进行电路设计，可以避开复杂的理论计算，极大地提高设计准确性和效率。Ansoft公司的Serenade仿真软件由于其强大的功能而广泛应用于射频微波电路仿真和优化设计。本次仿真设计使用Ansoft公司Serenade8.71仿真软件优化设计低噪声放大器，获得了较好的仿真结果。二.低噪声放大器的设计理论LNA的性能指标主要是噪声系数、增益、工作频段、电压驻波比以及增益平坦度，尤其是噪声系数和增益对整机性能影响较大。在频率较高的频段设计制作放大器，我们通常采用场效应管FET。放大器的噪声系数和信号源的阻抗有关，放大器存在着最佳的信号源阻抗Zs0。放大器的输入匹配电路应该按照噪声最佳的原则进行设计，此时放大器的噪声系数是最小。为了获得较高的功率增益和较好的输出驻波比，输出匹配电路则采用共轭匹配。输入匹配电路做最佳噪声匹……

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季博利用ADS设计低噪声放大器LNA利用ADS设计LNA2000级电科（1）班季博3001143009低噪声放大器设计的依据和步骤：满足规定的技术指标噪声系数（或噪声温度）；功率增益；增益平坦度；工作频带；动态范围输入、输出为标准微带线，其特征阻抗均为50(步骤：放大器级数（对于我们，为了便于设计和学习，通常选择一级）晶体管选择电路拓朴结构电路初步设计用CAD软件进行设计、优化、仿真模拟1.低噪声放大器的主要技术指标1．LNA的噪声系数和噪声温度放大器的噪声系数NF可定义如下[pic]式中，NF为微波部件的噪声系数；Sin，Nin分别为输入端的信号功率和噪声功率；Sout，Nout分别为输出端的信号功率和噪声功率。噪声系数的物理含义是：信号通过放大器之后，由于放大器产生噪声，使信噪比变坏；信噪比下降的倍数就是噪声系数。通常，噪声系数用分贝数表示，此时[pic]放大器自身产生的噪声常用等效噪声温度Te来表达。噪声温度Te与噪声系数NF的关系是[pic]式中，T0为环境温度，通常取为293K。2．LNA的功率增益、相关增益与增益平坦度微波放大器功率增益有多种定义，比如资用增益、实际增益、共扼增益、单向化增益等。对于实际的低噪音放大器，功率增益通常是指信源和负载都是50Ω标准阻抗情况下实测的增益。实际测量时，常用插入法，即用功率计先测信号源能给出的功率P1；再把放大器接到信源上，用同一功率计测放大器输出功率P2，功率增益就是[pic]低噪声放大器都是按照噪声最佳匹配进行设计的。噪声最佳匹配点并非最大增益点……

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解决方案之久低噪声放大器设计9ANSOFT高频设计系列Ansoft低噪声放大器解决方案低噪声放大器设计-电路/系统/平面电磁场AnsoftDesigner基于电磁场的EDA软件工具设计ANSOFT高频设计系列AnsoftDesignerINTEGRATION设计环Circuit/System/EMPlanarElectromagneticallyChargedEDASoftware射频模块设计、调谐、贴片天线、PCB设计高频电路/平面电磁场仿真层计为先进的数据输入全集成化的版图/原理图编辑器动态设计项目管理部件库扩展和管理求解器管理先进的后处理和图形化结果强大的三维动态视图系统、电路和部件仿真分析三维多层平面电磁仿真全集成化的多种仿真工具的协同仿真和HFSS协同仿真将频级电电电气统设计软连个设设计ANSOFT高频设计系列Circuit/System/EMPlanarElectromagneticallyChargedEDASoftware低噪声放大器MMIC：采用UMSPH25微波单片集成电路工艺建立用于LNA设计的MMIC设计包电模型文档版图设计规则MMIC低噪声放大器设计过程创建设计包FET特性描述输入匹配输出匹配版图考虑设计ANSOFT高频设计系列Circuit/System/EMPlanarElectromagneticallyChargedEDASoftware创建MMIC设计包：电模型建立模型拓扑公式电主电容的特性由电容C和串联电阻Rs描述SEL=L*WEL(顶电极面积)C(pF)=coef1*SEL(mm2……

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利用ADS软件设计X频段低噪声放大器电讯技术2006年第1期文章编号:1001-893X(2006)01-0119-04研究与开发RESEARCH&DEVELOPMENT利用ADS软件设计X频段低噪声放大器唐海啸,张玉兴,杨陈庆,杨玉梅1121①(1.电子科技大学电子工程学院,成都610054;2.西南电子设备研究所,成都610036)摘要:首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其工作频段为8.6～9.5GHz,噪声系数≤1.8dB,增益为23dB,带内平坦度≤±0.5dB。关键词:低噪声放大器;噪声系数;增益;Smith圆图;ADS仿真软件;优化中图分类号:TN722.3文献标识码:AAnXBandLowNoiseAmplifierDesignwithADSSoftwareTANGHai-xiao,ZHANGYu-xing,YANGChen-qing,YANGYu-mei1121(1.SchoolofElectronicEngineering,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China;2.SouthwestChinaInstituteof……

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利用ADS仿真设计低噪声放大器_ZTE西研所利用ADS仿真设计低噪声放大器内容摘要：本文给出了利用ADS仿真设计低噪声放大器的设计方法及步骤，同时给出了该电路的优化仿真结果及电路性能在批量生产中的合格率。通过设计方法可以看出，利用ADS进行微波电路仿真，它不但很方便的得出最佳电路设计，同时也能对微波电路的容差特性进行了模拟分析，是微波产品设计的良好工具。关键词：S参量仿真、噪声系数、稳定性、YIELD、YIELD优化仿真。1．引言：ADS软件在射频电路的仿真分析与设计方面的应用非常方便，通常对于小信号特性可以进行S参量仿真，可以得到电路的噪声系数、输入输出驻波比、增益及电路的稳定性。在电原理分析中可以利用仿真器YIELD进行电路的合格率分析，可以利用仿真器YIELDOPTIM进行电路最大合格率的优化分析，从而得到电路的最佳容差设计。利用ADS软件进行低噪声放大器的设计我们会采用以上的工具进行电路的设计与优化，输出一个合格率较高的产品设计，为最终产品的开发成功奠定良好的基础。2．设计目标在无线通信领域，为了提高接收信号的灵敏度，一般在接收机的最前端放置低噪声放大器，由于低噪声放大器的噪声系数较小，而接收系统经过合理的增益分布后，噪声系数主要由低噪声放大器决定，因此，降低低噪声放大器的噪声系数，是提高接收灵敏度的一种关键手段。本文讲述的是用PHEMT场效应管ATF34143进行电路第一级的设计方法。对于电路的第二级以及后续电路可以采用MMIC微波单片放大器完成。因此低噪声放大器的关键设计是电路的第一级。我们利用ATF34143完成的第一级低噪声放大的设计目标是：频率：1710MHZ~1980MHZ增益：大于12dB增益平坦度：每5MHZ带内小于0.2dB输入回波损耗：小于1.5输出回波损耗：小于2……

1～6GHz宽带低噪声放大器的研制第36卷第5期1999年10月半导体情报371～6GHz宽带低噪声放大器的研制李大平(河北半导体研究所,石家庄050051)摘要该放大器采用负反馈的设计原理,利用EESOF进行CAD设计,选用噪声较小增益较高的日本FUJITU公司的GaAs晶体管(FHX14型)。通过精心调试,解决了研制中两个难题,即多级级联与稳定性和可靠性难题,从而使该放大器达到满意的性能指标。关键词噪声增益宽带中图分类号:TN72213文献标识码:A文章编号:100125507(1999)5237202～6GHzBroadbandLowNoiseAmplifierDevelopmentof1LiDaping(HebeiSemiconductorResearchInstitute,Shijiazhuang050051)AbstractBasedonnegativefeedbackprinciple,throughCADoptimizationandcarefullyturning,byusingalownoise,highgainMESFET(typeFHX14)madebyFujitsucompa2.nyJapan,thisamplifierfitsalltheelectroniccharacteristicsrequiredbyourcustomersThroughresolvingtheprob……

X和Ku波段GaAsMMIC低噪声放大器的测量及其研究1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.……

Ka频段低噪声放大器的设计1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.……

S波段单片低噪声放大器第34卷第1期2004年1月东南大学学报(自然科学版)JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalScienceEdition)Vol134No11Jan.2004S波段单片低噪声放大器彭龙新1,2李建平2蒋幼泉2魏同立1(1东南大学微电子中心,南京210096)(2南京电子器件研究所,南京210016)摘要:S波段单片低噪声放大器采用了015μmS波段带宽300MHz范围内,增益在2415～26dB范围内,相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大114dB,输入输出驻波最大114,1dB压缩输出功率大于1015dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.关键词:赝配高电子迁移率晶体管;微波单片集成电路;单片低噪声放大器;静电中图分类号:TN72213文献标识码:A文章编号:1001-0505(2004)0120005205S2bandMMIClownoiseamplifierPengLongxin1,2LiJianping2JiangYouquan2WeiTongli1(1MicroelectronicCenter……

S波段低噪声放大器CAD设计第26卷第5期2004年5月现代雷达Vol.26No.5ModernRadarMay,200459S波段低噪声放大器CAD设计Ξ刘怡费元春(北京理工大学微波技术研究所北京100081)【摘要】介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。与以往同类文章有很大不同,文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素进行软件仿真计算,最后给出工作带宽为2.0～4.0GHz、增益G>22dB、噪声系数NF0.7dB的两极低噪声放大器的仿真结果和最终的微带电路。【关键词】雷达,低噪声放大器,CAD设计中图分类号:TN957文献标识码:AComputerAidedDesignoftheS2bandLowNoiseAmplifierLIUJing2yiFEIYuan2chun(MicrowaveTechnologyInstitute,BeijingInstituteofTechnologyBeijing100081)【Abstract】DesignphilosophyforS2bandlownoiseamplifierispresented,theeasilyneglectedfactorswhichaffectthenoiseperformanceandstabilityareanalyzed……

2～8GHz单片可变增益低噪声放大器芯片1期杨荣等:应变Si1-xGex沟道PMOSFET空穴局域化研究.Solid2channelStateElectronics,1995;38(2):3239ticalPMOSFETfabricatedbyGeionimplantation.～15IEEEElectronDeviceLetters,1998;19(1):133LambertAD,LanderRJP,ParkerEHC,etal.LowfrequencynoisemeasurementsofP2channelSi1.GexSiMOSFET’s1999;46(7):1484～14864YeoYC.Nanoscaleultra2thin2bodysilicon2on2insula2torP2MOSFETwithaSiGeSiheterostructurechan2.IEEEElectronDeviceLetters,2000;21(4):161～nel1635TMAMEDICIUSR’SMANUAL,VERSION4.0,Oct,19976PeopleR.BandAlignmentsofcoherentlystrainedGeSi.ApplPhysLett,1986;48(2):538～542substrates7Iniewsk……

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宽带低噪声放大器的计算机辅助设计1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.1995-2006TsinghuaTongfangOpticalDiscCo.,Ltd.Allrightsreserved.……