1～6GHz宽带低噪声放大器的研制第 36 卷 第 5 期 1999 年 10 月
半导体情报
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1 ～ 6GHz 宽带低噪声放大器的研制
李大平
( 河北半导体研究所, 石家庄 050051)
摘要 该放大器采用负反馈的设计原理, 利用 EESO F 进行 CAD 设计, 选用噪声较小增 益较高的日本 FU J ITU 公司的 GaA s 晶体管 ( FHX 14 型) 。通过精心调试, 解决了研制中 两个难题, 即多级级联与稳定性和可靠性难题, 从而使该放大器达到满意的性能指标。 关键词 噪声 增益 宽带 中图分类号: TN 72213 文献标识码: A 文章编号: 100125507 ( 1999) 5237202
～ 6GHz Broadband L ow No ise Am pl if ier D evelopm en t of 1
L i D ap ing
(H ebei S em icond uctor R esea rch Institu te, S h ij iaz huang 050051)
Abstract B a sed on nega t ive feedback p rincip le, th rough CAD op t i m iza t ion and ca refu lly tu rn ing, by u sing a low no ise, h igh ga in M ESFET ( typ e FHX 14) m ade by Fu jit su com p a 2 . ny J ap an, th is am p lifier fit s a ll the elect ron ic cha racterist ics requ ired by ou r cu stom ers T h rough reso lving the p rob……
