S波段单片低噪声放大器第 34 卷第 1 期 2004 年 1 月 　　　　　　 　 东南大学学报 (自然科学版) J OURNAL OF SOU THEAST UN IV ERSIT Y (Natural Science Edition) 　 Vol134 No 11 J an. 2004 S 波段单片低噪声放大器 彭龙新1 ,2 　李建平2 　蒋幼泉2 　 魏同立1 ( 1 东南大学微电子中心 , 南京 210096) ( 2 南京电子器件研究所 , 南京 210016) 摘要 : S 波段单片低噪声放大器采用了 015 μm S 波段带宽 300 M Hz 范围内 , 增益在 2415 ～ 26 dB 范围内 , 相位线性度小于 1° ,相位偏差 ± 7° , 噪声系数最大 114 dB , 输入输出驻波最大 114 , 1 dB 压缩输出功率大于 1015 dBm. 另外 ,还对 放大器进行了高温 、 低温环境试验和静电模拟和试验 . 关键词 : 赝配高电子迁移率晶体管 ; 微波单片集成电路 ; 单片低噪声放大器 ; 静电 中图分类号 : TN72213 　　 文献标识码 : A 　　 文章编号 : 1001 - 0505 ( 2004) 0120005205 S2band MMIC low noise amplif ier Peng Longxin1 , 2 　 Li Jianping2 　Jiang Youquan2 　 Wei Tongli1 ( 1 Microelectronic Center……