当MOSFET作为反相器使用时,常常需要在漏极和VCC直接接一个上拉电阻,一般这个上拉电阻的阻值与MOSFET最大漏极电流有关,电阻的取值不能使流过MOSFET的电流超过最大漏极电流。但是在把此反相器用于一定开关频率下时,除了要考虑最大漏极电流外,还要考虑开关频率和漏源之间的寄生电容了。MOS开关管从开状态变为关状态时,对漏源的寄生电容充电,vcc上拉电阻寄生电容形成一个充电回路,充电时间为5rc,如果关断时间小于5rc的话充电不完全,用pspice仿真分别对开关频率和上拉电阻进行扫描仿真,可以看到反相器的输出波形和开关频率还有上拉电阻的关系。
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论