原创 RAM技术档案（连载之七）

非易失性RAM：冯·诺伊曼体系的终结者<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

从1972年到现在，半导体存储器在RAM中占有绝对统治的地位，它与CPU同步发展，半节距从250nm缩小到90nm，单片容量从1KB提升到32MB，存储密度提高了几千万倍，这样的进步真是令人惊叹不已。

半导体存储器向来存在一个致命的缺点，DRAM和SRAM都属于易失性存储器，在停电后其中存储的信息会全部消失，就像没有水，鲜花就会败落一样。这样的软肋成为电脑用户的心头之患，一旦发生计算出错、发生蓝屏，就会造成数据丢失，造成不可收拾的局面。

因此，近十年来对非易失性存储器的研究工作一刻也没有停止，并取得了长足的进步，其中最突出的成就是闪存的应用。在一些对速度要求不是特别高的系统中，内存和外存已经合而为一，统一使用闪存了。不过，因为从闪存技术上来讲，它只是在擦除数据时放电速度很快（快闪的称呼就是这么来的），而在写入数据时需要一个较长的充电时间，想提升其存取速度是很困难的，因此在主流的电脑中闪存还只能充当外存的角色。

Figure 20   principle of flash memore

俗话说，天无绝人之路，速度上能与

Figure 21   MRAM  compared with DRAM

当这些先进的非易失性存储芯片获得广泛应用时，内存和外存就可以使用同一种存储介质了，计算机体系中RAM与ROM各尽其能、内存与外存分而治之的传统架构就将成为多余，冯·诺伊曼体系也就自然地退出历史舞台了。

闪存替代硬盘的革新近期有了很大进展，数家公司都已经推出了没有硬盘的笔记本电脑，Intel公司也将于2007年上半年推出代号为ROBSON的台式机存储系统，以闪存替代硬盘作为系统文件的存储介质，以提高系统反应能力。Microsoft最新推出的Windows vista也开始支持混合硬盘（Hibrid HDD），三星公司已经发布了世界上最早的混合硬盘产品。（全文结束）