原创 Winbond华邦半导体存储器Mamory

 2006-12-16 23:59  3125 5 5 分类: 消费电子

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DRAM 动态随机存储器 SDR SDRAM DDR SDRAM Mobile手机 RAM 随机存取存贮器; Pseudo SRAM (PSRAM) 低功耗 SDR SDRAM 低功耗 DDR SDRAM Flash存储器并行Parallel Flash存储器串行Serial Flash存储器 EPROM可擦可编程只读存储器

Winbond 华邦存储器Mamory SDR SDRAM 动态随机存储器
16M	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Availability
W981616CH	1Mx16	2 Banks	-6/ -7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 50 (400 mil )	Mass Production
W9816G6CH	1Mx16	2 Banks	-6/-7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 50 (400 mil ), Pb-free	Mass Production
W9816G6CB	1Mx16	2 Banks	-7	143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 50 (400 mil ), Pb-free	Mass Production

64M	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Availability
W986416EH	4Mx16	4 Banks	-6/ -7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil)	Mass Production
W9864G6EH	4Mx16	4 Banks	-6/ -7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Mass Production
W986432EH	2Mx32	4 Banks	-6 /-7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 86 (400 mil)	Mass Production
W9864G2EH	2Mx32	4 Banks	-6/ -7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 86 (400 mil), Pb-free	Mass Production
W9864G6EB	4Mx16	4 Banks	-7	143 MHz	CL3	3.3 V	60 Ball VFBGA, Pb-free	Mass Production
W9864G6GH	4Mx16	4 Banks	-6/ -7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Q2/06
W9864G2GH	2Mx32	4 Banks	-6/ -7	166 MHz/143 MHz	CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Q2/06
W9864G6GB	4Mx16	4 Banks	-7	143 MHz	CL3	3.3 V	60 Ball VFBGA, Pb-free	Q3/06

128M	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Availability
W981216DH	8Mx16	4 Banks	-75	133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil)	Mass Production
W9812G6DH	8Mx16	4 Banks	-6 -7 -75	166 MHz 143 MHz 133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Mass Production
W9812G2DH	4Mx32	4 Banks	-6 -7 -75	166 MHz 143 MHz 133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	TSOP II 86 (400 mil), Pb-free	Mass Production
W9812G2DB	4Mx32	4 Banks	-75	133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	90 Ball TFBGA, Pb-free	Mass Production
W9812G6GH	8Mx16	4 Banks	-6 -7 -75	166 MHz 143 MHz 133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Q2/06
W9812G2GH	4Mx32	4 Banks	-6 -7 -75	166 MHz 143 MHz 133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	TSOP II 86 (400 mil), Pb-free	Q2/06
W9812G2GB	4Mx32	4 Banks	-75	133 MHz	CL2/CL3	3.3 V	90 Ball TFBGA, Pb-free	Q3/06

256M	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Availability
W982516CH	16Mx16	4 Banks	-7 -75	143 MHz 133 MHz	CL2/CL3 CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil)	Mass Production
W9825G6CH	16Mx16	4 Banks	-7 -75	143 MHz 133 MHz	CL2/CL3 CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Mass Production
W9825G6CB	16Mx16	4 Banks	-75	133 MHz	CL3	3.3 V	90 Ball VFBGA, Pb-free	Mass Production
W9825G6DH	16Mx16	4 Banks	-7 -75	143 MHz 133 MHz	CL2/CL3 CL3	3.3 V	TSOP II 54 (400 mil), Pb-free	Q3/06
W9825G2DB	16Mx16	4 Banks	-75	133 MHz	CL3	3.3 V	90 Ball VFBGA, Pb-free	Q3/06

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Winbond 华邦存储器Mamory DDR SRAM 动态随机存储器
128Mb	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Availability
W9412G6CH	8Mx16	4 Banks	-5 -6 -75	200 MHz 166 MHz 133 MHz	CL2/ CL2.5/ CL3	2.5 V	TSOP II 66 (400 mil ), Pb-free	Q2/06
W9412G2CB	4Mx32	4 Banks	-5 -6 -75	200 MHz 166 MHz 133 MHz	CL2/ CL2.5/ CL3	2.5 V	144 Balls LFBGA, Pb-free	Q3/06

256Mb	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Availability
W9425G6CH	16Mx16	4 Banks	-5 -6 -75	200 MHz 166 MHz 133 MHz	CL2/ CL2.5/ CL3	2.5 V	TSOP II 66 (400 mil ),Pb-free	Q2/06
W9425G6DH	16Mx16	4 Banks	-5 -6 -75	200 MHz 166 MHz 133 MHz	CL2.5/ CL3	2.5 V	TSOP II 66 (400 mil ),Pb-free	Q3/06

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Winbond 华邦存储器Mamory Mobile手机 RAM Pseudo SRAM (PSRAM 随机存取存贮器)
32M Part No.	Organization	Speed Grade		Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W965L6B-GW	2M x 16	65ns	Async	3.0V	KGD	by request	Mass Production
W965A6C-GW	2M x 16	70ns	Async/Page	3.0V	KGD	by request	Q1/06
W965A6D-GW	2M x 16	70ns	Async/Page	3.0V	KGD	by request	Q1/06

64M Part No.	Organization	Speed Grade		Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W966A6B-GW	4M x 16	83MHZ	Sync Burst/Page	3.0V	KGD	by request	Mass Production
W966D6B-GW	4M x 16	77MHZ	Sync Burst/Page	1.8V	KGD	by request	Mass Production
W966A6C-GW	4M x 16	77ns	Sync/Page	3.0V	KGD	by request	Q1/06

128M Part No.	Organization	Speed Grade		Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W967C6A-GW	8M x 16	77MHZ	Async/Page/Burst	3.0V	KGD	by request	Mass Production
W967A6AA-GW	8M x 16	70ns	Async/Page	3.0V	KGD	by request	Mass Production
W967D6D-GW	8M x 16	133MHZ	Async/Page/Burst	1.8V	KGD	by request	Q3/06

256M Part No.	Organization	Speed Grade		Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W968D6B-GW	16M x 16	133MHZ	Async/Page/Burst	1.8V	KGD	by request	Q2/06
W968D2B-GW	8M x 32	133MHZ	Async/Page/Burst	1.8V	KGD	by request	Q3/06

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Winbond 华邦存储器Mamory Mobile手机低功耗 SDR SDRAM存储器
256M Part No.	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W988D6E-GW	16Mx16	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8V	KGD	by request	Phase in Q3/06
W988D2E-GW	8Mx32	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8V	KGD	by request	Phase in Q3/06
W988D2EBG75E	8Mx32	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8V	8*13 90 Ball BGA,Pb-Free	by request	Phase in Q3/06

518M Part No.	Organization		Speed Grade			Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W989D2A-GW	16Mx32	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8V	KGD	by request	Phase in Q3/06
W989D6A-GW	32Mx16	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8V	KGD	by request	Phase in Q3/06
W989D6A-GW	64Mx8	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8V	KGD	by request	Phase in Q3/06

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Winbond 华邦存储器Mamory Mobile手机低功耗 DDR SDRAM存储器
256M Part No.	Organization		Speed Grand			Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W948D6E-GW	16Mx16	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8 V	KGD	by request	Q3/06

512M Part No.	Organization		Speed Grand			Voltage	Package	Datasheet Revision	Availability
W949D6A-GW	32Mx16	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8 V	KGD	by request	Q3/06
W949D2A-GW	16Mx32	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8 V	KGD	by request	Q3/06
W949D8A-GW	64Mx8	4Banks	-75	133 MHz	CL3/2	1.8 V	KGD	by request	Q3/06

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Winbond 华邦存储器Mamory Flash存储器并行Parallel Flash 闪存器
小容量Flash	容量	电压	结构	封装	技术资料版本	Availability
W29C512A	512K	5V	64K x8	PLCC 32,TSOP 32	A3 2005年4月	M/P
W29EE512	512K	5V	64K x8	PLCC 32, TSOP 32 Pb-free PLCC 32	A9 2005年4月	M/P
W29C011A	1M	5V	128K X8	DIP 32, SOP 32 PLCC 32	A4 2005年4月	M/P
W29EE011	1M	5V	128K X8	PLCC 32, TSOP 32 DIP 32 Pb-free PLCC 32	A17 2005年4月	M/P
W29C020C	2M	5V	256K x 8	DIP 32, PLCC 32, TSOP 32	A7 2006年11月	EOL
W29C040	4M	5V	512K x 8	DIP32 PLCC 32, TSOP 32,	A10 2005年4月	EOL
W39L512	512K	3.3V	64K x 8	PLCC 32, STSOP 32	A4 2006年9月	M/P
W39F010	1M	5V	128K x 8	DIP 32, PLCC 32, TSOP 32, STSOP 32	A4 2006年1月	M/P
W39L010	1M	5V	128K x 8	PLCC 32, STSOP 32	A5 2005年4月	M/P
W39L040	4M	3.3V	512K x 8	PLCC 32, TSOP 32, STSOP 32	A6 2005年4月	-
W39L040A	4M	3.3V	512K x 8	PLCC 32, STSOP 32	A3 2005年4月	M/P

FWH/LPC	容量	电压	结构	封装	Remark	技术资料版本	Availability
W39V040A*	4M	3.3V	512K x 8	PLCC32, STSOP32	LPC	A5 2005年4月	M/P
W39V040FA*				PLCC 32, STSOP 32 TSOP 40	FWH	A5 2005年4月	M/P
W39V040B*				PLCC 32, STSOP 32	LPC	A3 2005年4月	M/P
W39V040FB*				PLCC 32, STSOP 32	FWH	A3 2005年4月	M/P
W39V040C*				PLCC 32, STSOP 32	LPC	A1 2006年4月	Q2/06
W39V040FC*				PLCC 32, STSOP 32	FWH	A1 2006年4月	Q2/06
W39V080FA	8M	3.3V	1M x 8	PLCC 32, STSOP 32	FWH	A3 2005年4月	M/P
W39V080A	8M	3.3V	1M x 8	PLCC 32, STSOP 32	LPC	A3 2006年1月	M/P

高容量Flash	容量	电压	结构	封装	Remark	技术资料版本	Availability
W19B320A	32M	3V	4M x 8/ 2M x 16	TSOP 48, TFBGA 48	Flexible Bank	A3 2006年1月	M/P

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Winbond 华邦存储器Mamory 串行 Serial Flash 闪存器
型号	容量	电压	结构	封装	Availability
W25P10	1M	3.0 / 3.3V	Uniform 64KB Sectors 512 Pages of 256B/page	8-pin SOIC 150mil	M/P
W25X10	1M	3.0 / 3.3V	Uniform 4KB Sectors75 MHz, Dual-Output Read	8-pin SOIC 150mil	M/P
W25P20	2M	3.0 / 3.3V	Uniform 64KB Sectors 1024 Pages of 256B/page	8-pin SOIC 150mil	M/P
W25X20	2M	3.0 / 3.3V	Uniform 4KB Sectors 75 MHz, Dual-Output Read	8-pin SOIC 150mil	M/P
W25P40	4M	3.0 / 3.3V	Uniform 64KB Sectors 2048 Pages of 256B/page	8-pin SOIC 150mil	M/P
W25X40	4M	3.0 / 3.3V	Uniform 4KB Sectors 75 MHz, Dual-Output Read	8-pin SOIC 150mil & 208mil 8-pin DIP 300mil ,WSON 6x5mm	M/P
W25B40	4M	3.0 / 3.3V	Boot Block 4K to 64KB Sectors 2048 Pages of 256B/page	8-pin SOIC 150mil	M/P
W25P80	8M	3.0 / 3.3V	Uniform 64KB Sectors 4096 Pages of 256B/page	8-pin SOIC 208mil	M/P
W25X80	8M	3.0 / 3.3V	Uniform 4KB Sectors 75 MHz, Dual-Output Read	8-pin SOIC 150mil & 208mil 8-pin DIP 300mil ,WSON 6x5mm	M/P
W25P16	16M	3.0 / 3.3V	Uniform 64KB Sectors 8192 Pages of 256B/page	8-pin SOIC 208mil / 16-pin SOIC 300mil	M/P
W25X16	16M	3.0 / 3.3V	Uniform 4KB Sectors 75 MHz, Dual-Output Read	8-pin SOIC 208mil / 16-pin SOIC 300mil	Q4 2006
W25X32	32M	3.0 / 3.3V	Uniform 4KB Sectors 75 MHz, Dual-Output Read	8-pin SOIC 208mil / 16-pin SOIC 300mil	Q4 2006

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Winbond 华邦存储器Mamory EPROM 可擦可编程只读存储器
型号	容量	电压	结构	封装	技术资料版本	Availability
W27E512	512K	5V	64K X 8	DIP 28, PLCC 32	A10 2003年12月	M/P
W27C512*		5V	64K X 8	DIP 28, PLCC 32	A6 2006年1月	M/P
W27E520		5V/3.3V	64K X 8	SOP 20, TSSOP 20	A2 2000年9月	M/P
W27L520				SOP 20, TSSOP 20	A5 2001年7月	M/P
W27C520				SOP 20, TSSOP 20	A2 2002年5月	M/P
W27E01	1M	5V	128K X 8	DIP 32, PLCC 32, STSOP 32	A1 2002年5月	M/P
W27C01		5V	128K X 8	PLCC 32, STSOP 32, DIP 32	A2 2002年4月	M/P
W27L01		3.3V	128K X 8	TSOP 32, PLCC 32, STSOP 32	A3 2003年2月	M/P
W27E02	2M	5V	256K X 8	DIP 32, PLCC 32, STSOP 32	A1 2002年5月	M/P
W27C02		5V	256K X 8	DIP 32, PLCC 32, STSOP 32	A2 2002年4月	M/P
W27L02		3.3V	256K X 8	PLCC 32, STSOP 32	A3 2003年2月	M/P
W27E040	4M	5V	512K X 8	DIP 32, PLCC 32	A3 2003年12月	M/

Winbond华邦半导体存储器Mamory SDR SDRAM 动态随机存储器：<?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />256M ：W982516CH 、W9825G6CH 、W9825G6CB 、W9825G6DH 、W9825G2DB 。128M：W981216DH 、W9812G6DH 、W9812G2DH 、W9812G2DB 、W9812G6GH 、W9812G2GH 、W9812G2GB。64M：W986416EH 、W9864G6EH 、W986432EH 、W9864G2EH 、W9864G6EB 、W9864G6GH 、W9864G2GH 、W9864G6GB。16M：、W981616CH、W9816G6CH、W9816G6CB。

Winbond华邦半导体存储器Mamory SDR SDRAM 动态随机存储器：128Mb：W9412G6CH：W9412G2CB。128Mb：W9412G6CH、W9412G2CB。256Mb：W9425G6CH、W9425G6DH。256Mb：W9425G6CH、W9425G6DH。Winbond华邦半导体存储器Mamory Mobile手机 RAM Pseudo SRAM (PSRAM 随机存取存贮器)：32M：W965L6B-GW、W965A6C-GW、W965A6D-GW。64M：W966A6B-GW 、W966D6B-GW、W966A6C-GW。128M： W967C6A-GW、W967A6AAGW、W967D6D-GW。256M：W968D6B-GW、W968D2B-GW。Winbond华邦半导体存储器Mamory Mobile手机低功耗 SDR SDRAM存储器：256M：W988D6E-GW、W988D2E-GW、W988D2EBG75E。518M：W989D2A-GW、W989D6A-GW、 W989D6A-GW。Winbond华邦半导体存储器Mamory Mobile手机低功耗 DDR SDRAM存储器: 256M: W948D6E-GW。512M：W949D6A-GW、W949D2A-GW 、W949D8A-GW。Winbond华邦半导体存储器Mamory Flash存储器并行Parallel Flash 闪存器：小容量Flash：W29C512A、W29EE512、W29C011A、W29EE011、W29C020C、W29C040、W39L512、W39F010、W39L010、W39L040、W39L040A。FWH/LPC：W39V040A*、W39V040FA*、W39V040B*、W39V040FB*、W39V040C* 、W39V040FC*、 W39V080FA、 W39V080A。高容量Flash：W19B320A

Winbond华邦半导体存储器Mamory Flash存储器并行Parallel Flash 闪存器：Winbond华邦半导体存储器Mamory 串行 Serial Flash 闪存器：W25P10、W25X10、W25P20、W25X20、W25P40、W25X40、W25B40、W25P80、W25X80、W25P16、W25X16、W25X32。Winbond华邦半导体存储器Mamory EPROM 可擦可编程只读存储器：W27E512、W27C512、W27E520、W27L520、W27C520、W27E01、W27C01、W27L01、W27E02、W27C02、W27L02 、W27E040。

Winbond华邦半导体存储器Mamory包括：Winbond华邦半导体存储器Mamory SDR SDRAM 动态随机存储器、Winbond华邦半导体存储器Mamory SDR SDRAM 动态随机存储器、Winbond华邦半导体存储器Mamory Mobile手机 RAM Pseudo SRAM (PSRAM 随机存取存贮器)、Winbond华邦半导体存储器Mamory Mobile手机低功耗 SDR SDRAM存储器、Winbond华邦半导体存储器Mamory Mobile手机低功耗 DDR SDRAM存储器、华邦半导体存储器Mamory Flash存储器并行Parallel Flash 闪存器、Winbond华邦半导体存储器Mamory Flash存储器并行Parallel Flash 闪存器：Winbond华邦半导体存储器Mamory 串行 Serial Flash 闪存器、Winbond华邦半导体存储器Mamory EPROM 可擦可编程只读存储器