原创 GaN FET在6GHz频率条件下可产生174W功率

 2008-6-5 11:00  2251 3 3 分类: 工程师职场

对卫星和蜂窝基站来说，一个由TOSHIBA公司提供的GaN（氮化镓）功率场效应管（FET）在输出功率上超过了GaAs（砷化镓）器件，功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的额定输出功率大约为90W/6 GHz和30W/14 GHz，而相比之下，GaN的饱和电子速度、介质击穿电压和工作温度范围都要高于GaAs。对于在GHz级工作频率条件下实现更高的输出功率而言，这些因素是很重要的。

这款器件采用了一种外延层结构，具有优化的FET布局和尺寸设置，并运用了一种旨在实现低接触电阻和低栅极漏电流的新型表面处理工艺。TOSHIBA公司的生产过程还使用了一种改进版本的传统步进工艺，与C波段GaN器件常用的电子束平板印刷术相比，它更加适用于大批量生产。一个GaN功率FET芯片的大小为2.92毫米×0.71毫米，一个包含4颗芯片的封装器件的外部尺寸为24.5毫米×17.4毫米。

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