原创 半导体三极管

  通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示

  不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和基点结。

   我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：

发射区中掺杂
基区必须很薄
基电结的面积应很大
工作时：发射结应正向偏置，集电结应反向偏置

载流子的传输过程
因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺杂，所以发射区的多数载流子扩散注入至基区，又由于集电结的反向作用，故注入至基区的载流子在基区形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电结，被电场拉至集电区形成集电极电流。而留在基区的很少，因为基区做的很薄。
我们再用图形来说明一下，如图（3）所示：

电流的分配关系
由于载流子的运动，从而产生相应电流，它们的关系如下：
    
        
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（1）共基极，如图（1）所示
（2）共发射极  如图（2）所示
（3）共集电极  如图（3）所示

1.输入特性

它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结相互影响，因此，输出电压U_CE对输入特性有影响，
且U_CE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。我们用U_CE=0和U_CE>=1,两条曲线表示，如图（4）所示

它的输出特性可分为三个区：（如图（5）的特性曲线）
(1)截止区：I_B<=0时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源电压，两个结均反偏
(2)饱和区：此时两个结均处于正向偏置，U_CE=0.3V
(3)放大区:此时I_C=ßI_B，I_C基本不随U_CE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。

   由于半导体的载流子受温度影响，因此三极管的参数受温度影响，温度上升，输入特性曲线向左移，基极的电流不变，基极与发射极之间的电压降低。输出特性曲线上移。
  温度升高，放大系数也增加。