原创 cmos 砷化镓 硅锗的比较

砷化镓（GaAs）元件通常比CMOS元件要大，但因为其中的载流子移动速度更快，所以元件速度也更快。虽然砷化镓不一定能取代硅的位置，但硅锗合金的载流子迁移率也很高，并且它同硅的处理工艺互相兼容。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

Strategy Analytics进行的新研究表明，尽管面向无线收发器集成电路的硅锗(SiGe)和CMOS取得了显著进展，但是砷化镓(GaAs)器件仍在蜂窝电话功率放大器(PA)中占统治地位。

    市场研究公司Newton表示RFMD、Skyworks、日立和摩托罗拉等四家公司去年占据了120亿美元的蜂窝电话功率放大器市场份额。

      安森美半导体(ON Semiconductor)计划推出先进硅锗(SiGe)芯片系列，GigaComm系列硅锗芯片符合OC-192及10-GbE (100亿位以太网)网络速度的先进性能要求，能以每秒12 Gbps的高速度传输数据，较现有产品快3倍。  

       硅锗是一种硅基材料，是标准互补金属氧化半导体(CMOS)的替代技术。将硅和锗集成在一起，可以CMOS技术的低廉成本获得砷化镓(Gallium Arsenide)的性能，具有硅的超低噪音和超低失真特性，特别适用于高性能电路产品。