原创 SAMSUNG Nand Flash应用

    对于nand最大的问题就是会有bad block，由于bad block的不确定性，所以进一步加大了对nand编程访问的难度。所以只有解决了bad block的问题才可能使用nand，将bad block处理的好才会最大的提升nand的access效率。
    什么是bad block呢？就是在这一个block里有1个或多个bit的状态不能稳定的编程，所以就没法使用它，但是如果一个block(128KByte)有一个Bit是坏的，那么整个block放弃使用。听起来有点浪费，可能是根据物理原理使整个block的稳定性不能保证吧，或者是其他考虑。不过既然三星要求我们这么做，那么为了系统的稳定，也不要计较那几百KB的容量了。
    bad block有2种，一种是initial bad block，另一种是runtime bad block。所谓initial bad block就是在三星出厂时就是坏块的。为什么出厂会有坏块？这个很正常，因为nand就是会有坏块，比LCD有坏点的几率大的多。但是可以放心的是三星在出厂前都对nand进行了测试，erase了所有的block，所以内容会都是0xFF，同时标记了bad block，这些即是initial bad block。每一种容量的nand允许的最多坏块数都是有规定的，低于某个值是不会出厂的，同时低于98%的可用块，基本就会认为这块nand很不稳定了。
    initial bad block的标记是保证坏块的前2个page里的spare area里的第一个字节的内容不会是0xFF。即如果前2个page其中一个的2048地址（从0开始计数，以后都是这种计数方式）上的数据（就是spare area的第一个字节）是0xFF，那么这个块不是initial bad block。值得注意的一点是bad block的标记会被erase掉成0xFF，所以有可能会误被认为是good block。所以在对每一个block earse之前一定要判断是不是bad block，否则将bad block的标志erase了，以后使用的时候会误被当作good block，从而有可能带来数据损失。
    对于runtime的bad block，就是使用中出现的bad block，可以从erase或program后对成功与否的判断来决定这个block是否变成bad block，如果是的话则标记。一般标记的法则和initial bad block一样，在前两个page的spare area的第一个byte上写非0xFF值，一般写0。
    对于bad block的处理办法就是驱动层的问题了，做的好的话会很复杂，这个以后再介绍诸如三星的pocketstoreII这样的专门的nand driver来提供高可靠性和高peRFermance。最简单的就是遇到坏块向后跳，但也是效率最差的，因为访问第n块时，你要知道0--(n-1)块一共有多少个bad block才能决定操作的偏移量，而扫描n-1块对于n比较大的情况无疑会很慢。