原创 samsung 的flash芯片k9f1208的读写操作

 //return (dat!=0xff);
}

写页内容的函数，除了对512个字节操作以外，还对于16个spare的字节做了操作，可以根据自己的要求决定是否包含对spare的操作。
U32 WritePage(U32 addr, const U8 *buf, U16 blk_idx)
{
 U16 i;
 U8 stat;
 U8 ecc_code[3];
 U8 oob_info[16];
 //printf("write page %x",addr); 
 for(i=0; i<sizeof(oob_info); i++)
  oob_info = 0xff;
 
 nand_calculate_ecc(buf, ecc_code);
 oob_info[eccpos[0]] = ecc_code[0];
 oob_info[eccpos[1]] = ecc_code[1];
 oob_info[eccpos[2]] = ecc_code[2];
 nand_calculate_ecc(buf+256, ecc_code);
 oob_info[eccpos[3]] = ecc_code[0];
 oob_info[eccpos[4]] = ecc_code[1];
 oob_info[eccpos[5]] = ecc_code[2];
 oob_info[BLK_IDXL]  = blk_idx;
 oob_info[BLK_IDXH]  = blk_idx>>8;
 oob_info[FMT_TAG]   = format_tags[addr&0x1f];
 
 NFChipEn();
 WrNFCmd(PROGCMD0);
 WrNFAddr(0);
 WrNFAddr(addr);
 WrNFAddr(addr>>8);
 if(NandAddr)
  WrNFAddr(addr>>16);
// InitEcc(); 
 for(i=0; i<512; i++)
  WrNFDat(buf);
  
 /*if(!addr) {
  WrNFDat('b');
  WrNFDat('o');
  WrNFDat('o');
  WrNFDat('t');  
 } else {  
  for(i=0; i<sizeof(oob_info); i++)
   WrNFDat(oob_info);
 }*/
/* tmp[0] = rNFECC0;
    tmp[1] = rNFECC1;
    tmp[2] = rNFECC2;
     
 WrNFDat(tmp[0]);
 WrNFDat(tmp[1]);
 WrNFDat(tmp[2]);
*/  
 WrNFCmd(PROGCMD1);
 stat = WaitNFBusy();
 NFChipDs();
 
#ifdef WR_BAD_BLK_TEST
 if((addr&0xff)==0x17) stat = 1; //just for test bad block
#endif
  
 if(stat)
  printf("Write nand flash 0x%x fail\n", addr);
 else { 
  U8 RdDat[512];
  
  ReadPage(addr, RdDat);  
  for(i=0; i<512; i++)
   if(RdDat!=buf) {
    printf("Check data at page 0x%x, offset 0x%x fail\n", addr, i);
    stat = 1;
    break;
   }
 }
  
 return stat; 
}
void WriteSpare(U32 addr,const U8* buf)
{
    int i;
 //addr &= ~0x1f;
 //printf("write spare %x",addr);
 NFChipEn();
 
 WrNFCmd(READCMD2); //point to area c
 
 WrNFCmd(PROGCMD0);
 WrNFAddr(0);  //mark offset 0
 WrNFAddr(addr);
 WrNFAddr(addr>>8);
 if(NandAddr)
  WrNFAddr(addr>>16);
 for(i=0;i<16;i++){
  WrNFDat(buf);
 }