原创 同步整流介绍

 DC/DC变换器中的损耗主要有三部分组成，功率开关管的损耗，高频变压器损耗，输出整流管的损耗。在低电压大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达到1.0到1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD）也会产生0.6V的压降，导致整流损耗增大，电源效率降低。

    同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC的效率并且不存在肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制性器件，它在导通时的伏安特性成线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须和整流电压相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

    在传统的次级整流电路中，肖特基二极管是低电压，大电流应用的首选。其导通压降大于0.4V，但通信电源模块的输出电压随着通信技术发展而逐步降低时，采用肖特基二极管的电源模块损失相当惊人，在输出电压为5V时，效率可达85%左右，在输出电压降为3.3V时，效率降为80%。

    在低输出电压应用中，同步整流技术有明显优势。功率MOSFET导通电流能力比较强，可以达到60A以上。采用同步整流后，次级整流的 电压降等于MOSFET的导通压降，由MOSFET的导通电阻决定，而且控制技术的进步也降低了MOSFET的开关损耗。