原创半导体行业术语

 2007-4-24 21:53  3387 1 1 分类: 工程师职场

沸点118℃。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上之纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。
　　30 CHAMBER 真空室,反应室专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等。针对此特殊空间之种种外在或内在环境：例如外在粒子数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件。
　　31 CHANNEL 信道当在MOS晶体管的闸极上加上电压（PMOS为负，NMOS为正），则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下之区域形成一反转层（Inversion Layer），也就是其下之半导体P-type变成N-type Si，N-type变成P-type Si，而与源极和汲极，我们旧称此反转层为“信道”。信道的长度“Channel Length”对MOS组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLY CD的控制需要非常谨慎。
　　32 CHIP ,DIE 晶粒一片芯片（OR晶圆，即Wafer）上有许多相同的方形小单位，这些小单位及称为晶粒。同一芯片上每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们曰常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的，从几百个到几千个不等。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往往就会波及成百成千个产品。
　　33 CLT（CARRIER LIFE TIME）截子生命周期一、定义少数戴子再温度平均时电子被束缚在原子格内，当外加能量时，电子获得能量，脱离原子格束缚，形成自由状态而参与电流岛通的的工作，但能量消失后，这些电子/电洞将因在结合因素回复至平衡状态，因子当这些载子由被激发后回复平衡期间，称之为少数载子“LIFE TIME“二、应用范围1.评估卢管和清洗槽的干净度2.针对芯片之清洁度及损伤程度对CLT值有影响为A.芯片中离子污染浓度及污染之金属种类B.芯片中结晶缺陷浓度
　　34 CMOS 互补式金氧半导体金属氧化膜半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅（或金属）作为闸极，利用家到闸极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由电洞导电）。而互补式金氧半导体（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强、α-PARTICLE免疫力好等许多优点，是超大规模集成电路（VLSI）的主流。
　　35 COATING 光阻覆盖将光阻剂以浸泡、喷雾、刷怖、或滚压等方法加于芯片上，称为光阻覆盖。目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转的芯片支持器上，适量的光阻剂加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光阻剂向外流开，很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜，旋转速度必须适中稳定。而旋转速度和光阻剂黏滞性绝应所镀光阻剂的厚度。光阻剂加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光阻剂中过多的溶剂，进而使光阻膜较为坚硬，同时增加光阻膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光阻膜即软烤过程，也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。
　　36 CROSS SECTION 横截面 IC的制造基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的构造，以改善制程或解决制程问题，经常会利用破坏性切割方式以电子显微镜（SEM）来观察，而切割横截面、观察横截面的方式是其中较为普遍之一种。
　　37 C-V PLOT 电容,电压圆译意为电容、电压图：也就是说当组件在不同状况下，在闸极上施以某一电压时，会产生不同之电容值（此电压可为正或负），如此组件为理想的组件；也就是闸极和汲极间几乎没有杂质在里面（COMTAMINATION）。当外界环境改变时（温度或压力），并不太会影响它的电容值，利用此可MONITOR MOS 组件之好坏，一般△V＜0.2为正常。
　　38 CWQC 全公司品质管制以往有些经营者或老板，一直都认为品质管制是品管部门或品管主管的责任，遇到品质管制做不好时，即立即指责品质主管，这是不对的。品质管制不是品质部门或某一单位就可以做好的，而是全公司每一部门全体人员都参与才能做好。固品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制（Company Wide Quality Control）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体质；即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质，以及全员有体系导向的体质。

39 CYCLE TIME 生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需之生产/制造时间。在TI-ACER，生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期时间”（WAFER-OUT CYCLE TIME　），一为“制程周期时间”（PROCESS CYCLE TIME）“芯片产出周期时间”乃指单一批号之芯片由投入到产出所需之生产/制造时间。“制程周期时间”则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间，而各工站（从头至尾）平均生产/制造之加总极为该制程之制程周期时间。目前TI-ACER LINE REPORT 之生产周期时间乃采用“制程周期时间”。一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）
　　40 CYCLE TIME 生产周期 IC制造流程复杂，且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成，谓之Cycle Time。由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效，故Cycle Time越短，竞争能力就越高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。由于Cycle Time 长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利，早曰出FIB上市销售。
　　41 DEFECT DENSITY 缺点密度〝缺点密度〞系指芯片单位面积上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少〝缺点数〞之意，此缺点数一般可分为两大类：A.可视性缺点B.不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来（如桥接、断线），由于芯片制造过程甚为复杂漫长，芯片上缺点数越少，产品量率品质必然越佳，故〝缺点密度〞常备用来当作一个工厂制造的产品品质好坏的指针。
　　42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤目的：去除芯片表面水分，增加光阻附着力。以免芯片表面曝光显影后光阻掀起。方法：在光阻覆盖之前，利用高温（120℃或150℃）加热方式为之。
　　43 DENSIFY 密化 CVD沉积后，由于所沈积之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高温步骤使薄膜中之分子重新结合，以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。
　　44 DESCUM 电浆预处理 1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的时间，较一般电浆光阻去除（Stripping）为短。其目的只是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑（Scum）加以去除，以使图形不失真，蚀刻出来之图案不会有残余。2. 有关电浆去除光阻之原理，请参阅「电浆光阻去除」（Ashing）。3. 通常作电浆预处理，均以较低之力，及小之功率为之，也就是使光阻之蚀刻率降低得很低，使得均匀度能提高，以保持完整的图形，达到电浆预处理的目的。
　　45 DESIGN RULE 设计规范由于半导体制程技术，系一们专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法（RECIPE）的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善，成功地制造出来时，需有一套规范来做有关技术上之规定，此即“DESIGN RULE”，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力、各项相关电性参数规格等之考虑，订正了如：1. 各制程层次、线路之间距离、线宽等之规格。2. 各制程层次厚度、深度等之规格。3. 各项电性参数等之规格。以供产品设计者及制程技术工程师等人之遵循、参考。
　　46 EDSIGN RULE 设计准则设计准则EDSIGN RULE：反应制程能力及制程组件参数，以供IC设计者设计IC时的参考准则。一份完整的Design Rule包括有下列各部分：A.制程参数：如氧化层厚度、复晶、金属层厚度等，其它如流程、ADI、AEI 参数。主要为扩散与黄光两方面的参数。B.电气参数：提供给设计者做仿真电路时之参考。C.布局参数：及一般所谓的3μm、2μm、1.5μm…等等之Rules，提供布局原布局之依据。D.光罩制作资料：提供给光罩公司做光罩时之计算机资料，如CD BAR、测试键之摆放位置，各层次之相对位置之摆放等。
　　47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均对准每个Field再曝光前均针对此单一Field对准之方法称之；也就是说每个Field均要对准。
　　48 DIFFUSION 扩散在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子布植的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
　　49 DI WATER 去离子水 IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤之后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC。工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离子级PARTICLE，经厂务的设备将之杀菌、过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞，专供IC制造之用。
　　50 DOPING 参入杂质为使组件运作，芯片必须参以杂质，一般常用的有：1.预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸气，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱入扩散；或利用沉积时同时进行预置。2.离子植入：先使杂质游离，然后加速植入芯片。
　　51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM），在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失，故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类：A.需要六个Transistor（晶体管），B.四个Transistor（晶体管）加两个Load resistor（负载电阻）。由于上述之优缺点，DRAM一般皆用在PC（个人计算机）或其它不需高速且记忆容量大之记忆器，而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量。如监视器（Monitor）、打印机（Printer）等外围控制或工业控制上。
　　52 DRIVE IN 驱入离子植入（ion implantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散道教深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称之驱入。在驱入时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入世界原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。
　　53 E-BEAM LITHOGRAPHY 电子束微影技术目前芯片制作中所使用之对准机，其曝光光源波长约为（365nm～436nm），其可制作线宽约1μ之IC图形。但当需制作更细之图形时，则目前之对准机，受曝光光源波长之限制，而无法达成，因此在次微米之微影技术中，及有用以电子数为曝光光源者，由于电子束波长甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更细之IC图型，此种技术即称之电子束微影技术。电子束微影技术，目前已应用于光罩制作上，至于应用于光芯片制作中，则仍在发展中。

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