原创半导体行业术语

 2007-4-24 22:16  4177 2 2 分类: 工程师职场

161 SILICON 硅硅－SI（全文SILICON）为自然界元素之一种，意即我们所使用的硅芯片组成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在（重复性单位细胞组成），每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成之四面体（称为钻石结构）如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近之原子其原型或其价件之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间（故称为半导体材料），人类可经由温度之变化、能量之激发及杂质参入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的曰常生活中。
　　162 SILICON NITRIDE 氯化硅氮化硅是SixNY的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质较差，但因其沉积时温度甚低可以作IC完成主结构后的保护层。
　　163 SMS （SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS）半导体制造系统此SMS – 半导体制造系统为德州仪器公司（TI）为辅助半导体的生产制造而发展出的——计算机软件系统，其主要功能包含有：1）制程变更控制2）制程数据搜集与统计图表3）制程与操作规格制定4）机台维护追踪5）生产计划制定6）线上统计报表7）在制品操作与追踪8）自动化系统接口
　　164 SOFT WARE, HARD WARE 软件 ,硬件 1. 定义：大略而言，所谓硬件可泛指像PC-BOARD，机台外壳等一些零组件；而软件一般指运用程序，指令一套完整之控制系统，可经由程序、指令之修改而修改，以人为例子，软件就好比脑中之记忆、思想，可控制整个身体各部分之动作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，可知道软件、硬件是相辅相成，缺一不可。近来尚有一种介于Software、Hardware之间，称为Firm-Ware，他的功用，，就相当于把软件写入硬件(比如PROM)，以加快速度，因此软、硬件间的区分也变得较不明显了。
　　165 S.O.G.（SPIN ON GLASS）旋制氧化硅旋制氧化硅（Spin on Glass）是利用旋制芯片，将含有硅化物之溶液均匀地平涂与芯片上，在利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化程稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如下：旋转平涂→加热烧烤→高温硬化（~450℃）旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间之平坦化（Planization）。以增加层与层之间的结合特性，避免空洞之形成及膜之剥裂。
　　166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE）缩小型J形脚包装IC 因外脚弯成“J”字形，且外伸长度较一般I.C.为小儿得名。是记忆I.C.的普遍化包装形态，为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。
　　167 SOLVENT 溶剂 1. 两种物质相互溶解成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质被称为溶剂。例如：堂溶解于水中，变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，缓和的结果称为溶液。2. 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种： 2-1有机溶剂：分子内含有碳原子的称为有机溶剂，例如丙酮（CH3COCH3）、IPA（CH3CHOHCH3）。2-2无机溶剂：分子内不含有碳原子的称为无机溶剂，例如硫酸（H2SO4），氢氟酸（HF）3. 在FIB内所通称的溶剂，一般是只有机溶液而言。
　　168 SPECIFICATION（SPEC）规范规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试…等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚并确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，已达自主管理及全员参与标准化之目的。
　　169 SPICE PARAMETER SPIC参数 1. 定义：SPICE是一个分析非线性DC、非线性瞬间AC和线性AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之，有DIODES、BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等，利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称「SPICE参数」。目前由于公司使用之模式为HSPICE Level 2，故一般常说之SPICE参数，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的参数。
　　170 S.R.A（SPREADING RESISTENCE ANALYSIS）展布电阻分析在下列一些情况，可利用S.R.A.方法来得到其Resisitivity：(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在测量Resistivity的方式有很多，但若要降低校正，则一定要使用到Point-Contact Probe的展布电阻。
　　171 SPUTTERING 溅镀溅镀乃是带能量的离子撞击物体，致使表面的原子飞散出来，附着于基板上形成薄膜之现象。当所加电流为直流时，称为直流溅镀（D.C SPUTTERING）：所加电流为射频时，称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING）。基于经济及效率观点，氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子，此时电子数目增加并且同时受电场再加速，以便再次进行游离反应，如此不去如同雪崩（AVALANCHE）一样产生辉光放电（GLOW DIS CHARGE），氩气离子受阴极（靶材）吸引，加速碰撞靶材，将表面原子打出而吸附在基本上。由于溅镀有薄膜厚度容易控制、组织均匀、表面相当平滑等优点，因此被电子工业广泛地使用。
　　172 SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST）系统暂时性失效比率测试 Soft Error为所有发挥性组件之共有特性。对DRAM而言，每记忆细胞（Memory Cell）所存电荷（charge-to-sense）存在一刻开关的接面（junction），以空乏（depleted）的状态存在。当该细胞有高能粒子源（e.g. α-particle From molding compound），使所存电荷消失或减少到无法侦测时，该细胞便暂时消失。
　　173 STEP COVERAGE 阶梯覆盖 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各层次间各项薄膜、沉积材料等，当覆盖、跨越过底下层次时，由于底下层次高低起伏不一及有线条粗细变化，会造成此薄膜、沉积材料在产品部分区域（如高低起伏交界处）覆盖度会变差，此变差的程度，即为『STEP COVERAGE』一般系以厚度变化比表示： STEP COVERAGE =厚度最薄处/厚度最厚处此比例越接近1越佳，反之越差，正常言均应达50﹪以上。
　　174 STEPPER 步进式对准机 1. 定义：Stepper（步进式对准机）系Stepprojection aligner 之简称。Stepper与Project aligner原理类似，只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。Stepper使用自动对准，不但迅速、精确，且可使用计算机计算、补偿。对准方式可分为Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良（如Run in/Run out）。Stepper亦可按缩影比例，分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例，光罩上一条5u之直线，曝在芯片上，仅1μ而已。
　　175 SURFACE STATES 表面状态 1.定义：表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷，也叫做Interface States。形成表面状态的原因，是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时，有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素：氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在｛111｝表面，良好的氧化步骤下，其表面状态密度约为5×10 10 charges/㎝2（i.e.Qs s＝5×1010q）。而对于｛100｝的表面状态密度约为｛111｝表面的1/3。
　　176 SWR（SPECIAL WORK REQUEST） SWR为特殊工作要求单。生产线为了区划正常流程芯片和工程实验芯片，将工程师依规定申请实验的芯片批称为SWR Lot，通常SWR Lot是用来解决制程问题，或评估新机器、制程而试作的芯片。
　　177 TARGET 靶一般用在金属溅镀（SPUTTERING）也就是以某种材料致造成各种形状，因此『靶』当作金属薄膜溅镀之来源。

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